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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 전류 - 높음 출력, 낮음 현재 -Quiescent (최대) 입력 입력 cl 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음
SN74LV05ADR Texas Instruments SN74LV05ADR 0.5400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 텍사스 텍사스 74lv 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 열린 열린 74LV05 6 2V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 인버터 -, 12MA 20 µA 1 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
NC7WZ02K8X onsemi NC7WZ02K8X -
RFQ
ECAD 7259 0.00000000 온세미 7wz 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비) - 7WZ02 2 1.65V ~ 5.5V US8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 게이트도 32MA, 32MA 1 µA 2 3.7ns @ 5v, 50pf - -
74AXP1G00GMH Nexperia USA Inc. 74axp1g00gmh 0.1143
RFQ
ECAD 7277 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74axp 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-xfdfn - 74axp1g00 1 0.7V ~ 2.75V 6- XSON, SOT886 (1.45x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 NAND 게이트 8ma, 8ma 600 NA 2 3ns @ 2.5v, 5pf 0.7V 1.6V
74LVC11PW,118 Nexperia USA Inc. 74LVC11PW, 118 0.4700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74LVC11 3 1.2V ~ 3.6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 그리고 그리고 24MA, 24MA 40 µA 3 6.2ns @ 3.3v, 50pf 0.12V ~ 0.8V 1.08V ~ 2V
74VHCT08AMX onsemi 74VHCT08AMX 0.5900
RFQ
ECAD 8 0.00000000 온세미 74VHCT 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74VHCT08 4 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 그리고 그리고 8ma, 8ma 2 µA 2 7.9ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
MC74ACT32NG onsemi MC74ACT32NG -
RFQ
ECAD 8796 0.00000000 온세미 74ACT 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74Act32 4 4.5V ~ 5.5V 14-PDIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 또는 또는 24MA, 24MA 4 µA 2 9NS @ 5V, 50pf 0.8V 2V
SN74LS14ML1 onsemi SN74LS14ml1 0.1400
RFQ
ECAD 60 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 74LS14 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
SN7400NSRE4 Texas Instruments SN7400NSRE4 -
RFQ
ECAD 9443 0.00000000 텍사스 텍사스 7400 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - SN7400 4 4.75V ~ 5.25V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 NAND 게이트 400µA, 16MA 2 22ns @ 5V, 15pf 0.8V 2V
SN74HC05APWR Texas Instruments SN74HC05APWR 0.5700
RFQ
ECAD 4989 0.00000000 텍사스 텍사스 74HC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 열린 열린 74HC05 6 2V ~ 6V 14-tssop - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 인버터 -, 5.2ma 2 µA 1 15NS @ 6V, 50pf 0.1V ~ 0.26V -
TC7W04FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7W04FU, LF 0.4000
RFQ
ECAD 5635 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TC7W 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비) - 7W04 3 2V ~ 6V 8-ssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 5.2MA, 5.2MA 1 µA 3 13ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
SN74HC04PWG4 Texas Instruments SN74HC04PWG4 -
RFQ
ECAD 6664 0.00000000 텍사스 텍사스 74HC 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74HC04 6 2V ~ 6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 90 인버터 5.2MA, 5.2MA 2 µA 1 16ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
74AHC2G32DP-Q100125 NXP USA Inc. 74AHC2G32DP-Q100125 0.1800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 74AHC2G32 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
74LCX11SJ Fairchild Semiconductor 74LCX11SJ 0.2000
RFQ
ECAD 6266 0.00000000 페어차일드 페어차일드 74lcx 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74LCX11 3 2V ~ 3.6V 14-SOP 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.39.0001 47 그리고 그리고 24MA, 24MA 10 µA 3 6ns @ 3.3v, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
DM74AS08MX onsemi DM74AS08MX -
RFQ
ECAD 9852 0.00000000 온세미 74AS 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74AS08 4 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 그리고 그리고 2MA, 20MA 2 5.5ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
74ABT04PW,118 Nexperia USA Inc. 74ABT04PW, 118 0.4431
RFQ
ECAD 4613 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74ABT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74ABT04 6 4.5V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 인버터 15ma, 20ma 50 µA 1 3.4ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
XC7SH02GV,125 NXP Semiconductors XC7SH02GV, 125 0.1600
RFQ
ECAD 60 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 7SH02 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-XC7SH02GV, 125-954 1
MC312AF Motorola MC312AF -
RFQ
ECAD 7271 0.00000000 모토로라 MC300 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 10-cflatpack - MC312 2 - 10-cflatpack 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 게이트도 - 3 - - -
NC7S02L6X Fairchild Semiconductor NC7S02L6X 0.1400
RFQ
ECAD 622 0.00000000 페어차일드 페어차일드 7S 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-ufdfn - 7S02 1 2V ~ 6V 6 마이크로 팩 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 게이트도 2.6MA, 2.6MA 1 µA 2 17ns @ 6v, 50pf 0.5V 1.5V
74LVCU04APW-Q100J Nexperia USA Inc. 74LVCU04APW-Q100J 0.4100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74LVCU 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74LVCU04 6 1.2V ~ 3.6V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 인버터 24MA, 24MA 40 µA 1 4NS @ 3.6V, 50pf 0.2V ~ 0.55V 1.2V ~ 2.2V
MC74VHC32M onsemi MC74VHC32M 0.1000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 74VHC32 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
74LCX14BQX onsemi 74LCX14BQX 1.0600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 74lcx 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-vfqfn 노출 패드 슈미트 슈미트 74LCX14 6 2V ~ 3.6V 14-dqfn (3x2.5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 24MA, 24MA 10 µA 1 6.5ns @ 3.3v, 50pf 0.4V ~ 0.6V 1.7V ~ 2.2V
MC10H100MELG onsemi MC10H100MELG -
RFQ
ECAD 7725 0.00000000 온세미 10h 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 75 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 스트로브 MC10H100 4 -4.94V ~ -5.46V 16- Ooeaj 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 게이트도 50MA, 50MA 2 1.7ns @ -5.2v, - -1.48V -1.13V
74HCT00D-Q100,118 NXP USA Inc. 74HCT00D-Q100,118 0.1200
RFQ
ECAD 8025 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74HCT 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74HCT00 4 4.5V ~ 5.5V 14- 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 NAND 게이트 4MA, 4MA 40 µA 2 12ns @ 4.5v, 50pf 0.8V 2V
74LVC1G02GS,132 Nexperia USA Inc. 74LVC1G02GS, 132 0.4100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74LVC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-xfdfn - 74LVC1G02 1 1.65V ~ 5.5V 6- XSON, SOT1202 (1x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 게이트도 32MA, 32MA 4 µA 2 4NS @ 5V, 50pf 0.7V ~ 0.8V 1.7V ~ 2V
74AHC3G14DC-Q100H Nexperia USA Inc. 74AHC3G14DC-Q100H 0.2529
RFQ
ECAD 6835 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74AHC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비) 슈미트 슈미트 74AHC3G14 3 2V ~ 5.5V 8-VSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 8ma, 8ma 1 µA 3 10.6ns @ 5V, 50pf 0.9V ~ 1.65V 2.2V ~ 3.85V
74AC08SCX onsemi 74AC08SCX 0.7100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 74AC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74AC08 4 2V ~ 6V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 그리고 그리고 24MA, 24MA 2 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.9V ~ 1.65V 2.1V ~ 3.85V
SN74AC04NSR Texas Instruments SN74AC04NSR 0.6400
RFQ
ECAD 7012 0.00000000 텍사스 텍사스 74AC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74AC04 6 2V ~ 6V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 인버터 24MA, 24MA 2 µA 1 7NS @ 5V, 50pf 0.9V ~ 1.65V 2.1V ~ 3.85V
DM74ALS804AN onsemi DM74ALS804AN -
RFQ
ECAD 8351 0.00000000 온세미 74ALS 튜브 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 20-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 74ALS804 6 4.5V ~ 5.5V 20-PDIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 450 NAND 게이트 15ma, 24ma 2 8NS @ 5V, 50pf 0.8V 2V
DM74ALS04BSJX onsemi DM74ALS04BSJX -
RFQ
ECAD 9627 0.00000000 온세미 74ALS 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74ALS04 6 4.5V ~ 5.5V 14-SOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 인버터 400µA, 8mA 1 11ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
NLX1G11BMX1TCG onsemi nlx1g11bmx1tcg -
RFQ
ECAD 7080 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-XFLGA - NLX1G11 1 1.65V ~ 5.5V 6- 룰가 (1.2x1) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 그리고 그리고 32MA, 32MA 1 µA 3 7NS @ 5V, 50pf - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고