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게이트와 게이트와 (16927)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 특징 기본 기본 번호 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 전류 - 높음 출력, 낮음 현재 -Quiescent (최대) 입력 입력 cl 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음
74AUP3G04GM,125 NXP USA Inc. 74AUP3G04GM, 125 -
RFQ
 ECAD 3962 0.00000000 NXP USA Inc. 74AUP 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-xfqfn 노출 패드 - 74AUP3G04 3 0.8V ~ 3.6V 8-xqfn (1.6x1.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 4,000 인버터 4MA, 4MA 500 NA 3 5.4ns @ 3.3v, 30pf 0.7V ~ 0.9V 1.6V ~ 2V
SN74AHC2G02HDCU3 Texas Instruments SN74AHC2G02HDCU3 0.1700
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 74AHC2G02 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3,000
7411PC National Semiconductor 7411pc -
RFQ
 ECAD 5387 0.00000000 국가 국가 * 대부분 활동적인 7411 - rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
SN74LS266NSR Texas Instruments SN74LS266NSR -
RFQ
 ECAD 8747 0.00000000 텍사스 텍사스 74ls 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 오픈 오픈 74LS266 4 4.75V ~ 5.25V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 xnor (독점 독점 아니오) -, 8ma 2 30NS @ 5V, 15pf 0.8V 2V
74LVC1G14GV-Q100125 NXP USA Inc. 74LVC1G14GV-Q100125 0.0400
RFQ
 ECAD 340 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 74LVC1G14 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 7,158
74AUP1G32GX,125 NXP Semiconductors 74AUP1G32GX, 125 -
RFQ
 ECAD 7565 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 74AUP1G32 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74AUP1G32GX, 125-954 귀 99 8542.39.0001 1
NC7WZ08K8X-L22236 onsemi NC7WZ08K8X-L22236 0.4300
RFQ
 ECAD 5290 0.00000000 온세미 7wz 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비) - 7WZ08 2 1.65V ~ 5.5V US8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 그리고 그리고 32MA, 32MA 1 µA 2 3.7ns @ 5v, 50pf - -
MC74VHC1G02DFT1G onsemi MC74VHC1G02DFT1G 0.3300
RFQ
 ECAD 7955 0.00000000 온세미 74VHC 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 74VHC1G02 1 2V ~ 5.5V SC-88A (SC-70-5/SOT-353) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 게이트도 8ma, 8ma 1 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
SN74AUC32RGYR Texas Instruments SN74AUC32RGYR 0.5000
RFQ
 ECAD 5206 0.00000000 텍사스 텍사스 74AUC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-vfqfn 노출 패드 - 74AUC32 4 0.8V ~ 2.7V 14-VQFN (3.5x3.5) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 또는 또는 9MA, 9MA 10 µA 2 2.1ns @ 2.5v, 30pf 0V ~ 0.7V 1.7V
MC74HC1GU04DTT1G onsemi MC74HC1GU04DTT1G 0.5000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 온세미 74HC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SOT-23-5 THIN, TSOT-23-5 - 74HC1GU04 1 2V ~ 6V 5-TSP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 2.6MA, 2.6MA 1 µA 1 17ns @ 6v, 50pf 0.3V ~ 1.2V 1.7V ~ 4.8V
54F00FMQB National Semiconductor 54F00FMQB 3.5200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 국가 국가 54f 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-cflatpack - 54F00 4 4.5V ~ 5.5V 14-cfp 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 NAND 게이트 1ma, 20ma 10.2 MA 2 7NS @ 5V, 50pf 0.8V 2V
SN74HC00ADBR Texas Instruments SN74HC00ADBR -
RFQ
 ECAD 7915 0.00000000 텍사스 텍사스 74HC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74HC00 4 2V ~ 6V 14-ssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 NAND 게이트 5.2MA, 5.2MA 2 µA 2 13ns @ 6v, 50pf 0.1V ~ 0.26V 1.9V ~ 5.9V
54ALS30AE/883 National Semiconductor 54ALS30AE/883 3.6200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 54ALS30 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
NLVVHC1G05DFT2G onsemi NLVVHC1G05DFT2G -
RFQ
 ECAD 2985 0.00000000 온세미 74VHC 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 열린 열린 NLVVHC1G05 1 2V ~ 5.5V SC-88A (SC-70-5/SOT-353) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 인버터 -, 8ma 1 µA 1 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
NC7S86P5X-L22057 onsemi NC7S86P5X-L22057 0.4000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 온세미 7S 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 7S86 1 2V ~ 6V SC-88A (SC-70-5/SOT-353) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 xor (또는 독점) 2.6MA, 2.6MA 1 µA 2 17ns @ 6v, 50pf 0.5V 1.5V
NL27WZ32US onsemi NL27WZ32US -
RFQ
 ECAD 2835 0.00000000 온세미 27wz 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비) - 27WZ32 2 1.65V ~ 5.5V US8 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 또는 또는 32MA, 32MA 1 µA 2 3.7ns @ 5v, 50pf - -
JM38510/30301BCA Texas Instruments JM38510/30301BCA -
RFQ
 ECAD 3873 0.00000000 텍사스 텍사스 * 튜브 활동적인 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 296-JM38510/30301BCA 1
74AHC30D,112 Nexperia USA Inc. 74AHC30D, 112 -
RFQ
 ECAD 6420 0.00000000 Nexperia USA Inc. 74AHC 튜브 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74AHC30 1 2V ~ 5.5V 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 57 NAND 게이트 8ma, 8ma 2 µA 8 8NS @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
74HC11D,653 NXP Semiconductors 74HC11D, 653 0.1400
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 74HC11 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74HC11D, 653-954 귀 99 8542.39.0001 2,117
5962-9679201QCA Texas Instruments 5962-9679201QCA 13.4200
RFQ
 ECAD 178 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 5962-9679201 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1
MC74HC02AFL1 onsemi MC74HC02AFL1 0.0600
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 온세미 74HC 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74HC02 4 2V ~ 6V 14-ssop 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 게이트도 5.2MA, 5.2MA 1 µA 2 13ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
CD4011BNS Texas Instruments CD4011bns 0.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 CD4011 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
74AUP2G0604GM125 NXP USA Inc. 74AUP2G0604GM125 -
RFQ
 ECAD 4672 0.00000000 NXP USA Inc. 74AUP 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-xfdfn 열린 열린 74AUP2G0604 2 0.8V ~ 3.6V 6-XSON (1.45X1) 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 5,000 인버터 4MA, 4MA 500 µA 2 10.5ns @ 3.3v, 30pf 0.7V ~ 0.9V 1.6V ~ 2V
SN74HC05APW Texas Instruments SN74HC05APW 0.7200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 텍사스 텍사스 74HC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 열린 열린 74HC05 6 2V ~ 6V 14-tssop - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 인버터 -, 5.2ma 2 µA 1 15NS @ 6V, 50pf 0.1V ~ 0.26V -
SN74HCT32NS Texas Instruments SN74HCT32NS 0.1700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 텍사스 텍사스 74hct 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74HCT32 4 2V ~ 6V 14- - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 또는 또는 5.2MA, 5.2MA 2 µA 2 20ns @ 6v, 50pf 0.8V 2V
MC74VHC86DR2 onsemi MC74VHC86DR2 -
RFQ
 ECAD 6838 0.00000000 온세미 74VHC 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74VHC86 4 2V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 xor (또는 독점) 8ma, 8ma 2 µA 2 8.8ns @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
SN74S03D Texas Instruments SN74S03D 0.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 74S03 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1
TC7SH32FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH32FU, LJ (CT 0.3400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TC7SH 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 7SH32 1 2V ~ 5.5V 5-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 3,000 또는 또는 8ma, 8ma 2 µA 2 7.5ns @ 5V, 50pf 0.5V 1.5V
MC74ACT00D onsemi MC74ACT00D -
RFQ
 ECAD 4883 0.00000000 온세미 74ACT 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74ACT00 4 4.5V ~ 5.5V 14 -Soic 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 55 NAND 게이트 24MA, 24MA 4 µA 2 9NS @ 5V, 50pf 0.8V 2V
MC74VHCT00AMEL onsemi MC74VHCT00AMEL 0.0500
RFQ
 ECAD 6977 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 74VHCT00 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 2,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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