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선형 (16030)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	요소 요소	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	전압- 오프셋 입력 (최대)	현재- 바이어스 입력 (최대)	현재- 유형 (출력)	현재 -Quiescent (최대)	CMRR, PSRR (TYP)	전파 전파 (지연)	히스테리시스	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
TLC2272ACPWG4	-	RFQ	3967	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			TLC227	2.4ma (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	150										3.6V/µs		50 MA	CMOS	2.25 MHz	1 PA	300 µV	4.4 v	16 v
LMP2016MA/NOPB	-	RFQ	5539	텍사스 텍사스	LMP®	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LMP2016	930µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-SOIC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	95										4V/µs		17 MA	범용	3MHz	3 PA	0.12 µV	2.7 v	5.25 v
LM111-MDE	403.4085	RFQ	7787	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	주사위	범용		LM111		DTL, MOS, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL			디세일	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	40	1	5V ~ 36V, ± 2.5V ~ 18V	3MV @ ± 15V	0.1µa @ ± 15V	-	6MA	-	-	-
OPA2353UAG4	-	RFQ	6411	텍사스 텍사스	MicroAmplifier ™	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA2353	5.2MA (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75										22V/µs		40 MA	CMOS	44 MHz	0.5 PA	3 MV	2.5 v	5.5 v
INA105KU/2K5E4	5.2305	RFQ	4858	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				1.5MA	미분	1		8-SOIC	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)		296-INA105KU/2K5E4TR	귀 99	8542.33.0001	2,500										3V/µs	1MHz	20 MA	미분			50 µV	10 v	36 v
5962-0051206QPA	39.2600	RFQ	249	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		구멍을 구멍을	8-CDIP (0.300 ", 7.62mm)				550µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-CDIP	다운로드					귀 99	8542.33.0001	1										1.6V/µs		80 MA	범용	6.4 MHz	1.3 NA	500 µV	2.7 v	6 v
LM4949TLX/NOPB	-	RFQ	8851	텍사스 텍사스	부머 ®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	25-WFBGA	d. d	Depop, 입력 차동, i²c, 음소거, 단락 및 열 보호, 셧다운, 볼륨 제어 제어	LM4949		스테레오 스테레오 2 헤드폰이있는 (스테레오)		2.7V ~ 5.5V	25-DSBGA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000																			2.5W x 2 @ 4ohm; 190mw x 2 @ 16ohm
LM675T/LF05	4.8926	RFQ	2072	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		구멍을 구멍을	TO-220-5 5 된 리드			LM675	18MA	-	1		TO-220-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	45										8V/µs		3 a	힘	5.5MHz	200 NA	1 MV	10 v	60 v
tlv2772aid	3.6700	RFQ	156	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLV2772	1MA (x2 2)	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75										10.5V/µs		50 MA	CMOS	5.1 MHz	2 PA	500 µV	2.5 v	5.5 v
tlc3704ipwr	1.7100	RFQ	3	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	범용		TLC3704		CMOS, 푸시,, TTL			14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	4	3V ~ 16V	5MV @ 10V	5PA @ 5V	20MA	125µA	84dB CMRR	4.5µs	-
TL082CJG	1.8400	RFQ	1	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		구멍을 구멍을	8-CDIP (0.300 ", 7.62mm)				1.4ma (x2 ()	-	2		8-CDIP	-	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.33.0001	1										13V/µs		10 MA	J-FET	3MHz	30 PA	3 MV	10 v	30 v
LM392DG4	0.5300	RFQ	3659	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인		트랜스 트랜스 증폭기	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	증폭기, 비교기		LM392					8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75
ina234aiybjr	2.0300	RFQ	4191	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-XFBGA, DSBGA				300µA	푸시 푸시	1		8-DSBGA (0.71x1.47)	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)			귀 99	8542.33.0001	3,000										-			현재의 현재의		100 PA	100 µV	1.7 v	5.5 v
5962-9088201MPA	-	RFQ	2027	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인													다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-5962-9088201MPA			1
TL051AMJGB	4.3100	RFQ	2704	텍사스 텍사스	Lincmos ™	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		구멍을 구멍을	8-CDIP (0.300 ", 7.62mm)				2.7ma	-	1		8-CDIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.33.0001	1										20V/µs		80 MA	J-FET	3.1 MHz	30 PA	350 µV	10 v	30 v
INA254A3IPWAR	5.5900	RFQ	5684	텍사스 텍사스	제로 제로	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	24-SOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드				1.8ma	아니요	1		24-HTSSOP	-		3 (168 시간)					2,500										2.4V/µs	350 kHz		현재의 현재의		90 µA		2.7 v	5.5 v
LM339DRG4	-	RFQ	7971	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	미분		LM339		CMOS, MOS,, 수집가, TTL			14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	4	2V ~ 30V, ± 1V ~ 15V	5MV @ 30V	0.25µA @ 5V	20MA	2.5MA	-	-	-
LMH6739MQX/NOPB	4.3215	RFQ	4065	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		완충기	표면 표면	16-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비)			LMH6739	32 MA	-	3		16-SSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500		8V ~ 12V, ± 4V ~ 6V								3300V/µs	750MHz	90 MA
M38510/11202BGA	-	RFQ	2424	텍사스 텍사스	*	쟁반	활동적인													다운로드	Rohs3 준수			296-M38510/11202BGA			1
tlv2465idr	2.0355	RFQ	5583	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLV2465	550µA (x4 채널)	철도 철도 레일	4		16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										1.6V/µs		80 MA	범용	6.4 MHz	1.3 NA	500 µV	2.7 v	6 v
TLC080CDGNG4	-	RFQ	5928	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드			TLC080	1.9ma	-	1		8-HVSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	80										19V/µs		57 MA	범용	10MHz	2 PA	390 µV	4.5 v	16 v
5962-8771002QXA	-	RFQ	6913	텍사스 텍사스	*	쟁반	활동적인													다운로드	Rohs3 준수			296-5962-8771002QXA			1
LMV612MA/NOPB	0.4230	RFQ	7008	텍사스 텍사스	LMV®	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LMV612	116µA (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	95										0.42V/µs		100 MA	범용	1.5MHz	14 na	1 MV	1.8 v	5.5 v
TL3474AIDRE4	-	RFQ	4642	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 105 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TL3474	3.5MA (x4 ()	-	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										13V/µs		34 MA	범용	4 MHz	100 NA	1 MV	4 v	36 v
opa2202idgkt	2.0800	RFQ	762	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			OPA2202	580µa (x2 채널)	푸시 푸시	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250										0.35V/µs		35 MA	범용	1MHz	250 PA	20 µV	4.5 v	36 v
TLV8801DBVR	0.8100	RFQ	4	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			TLV8801	450NA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000										0.0015V/µs		4.7 MA	범용	6 kHz	0.1 PA	550 µV	1.7 v	5.5 v
INA210AirSWR	1.5000	RFQ	8	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	10-ufqfn			INA210	65µA	-	1		10-uqfn (1.8x1.4)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000										0.4V/µs			현재의 현재의	14 kHz	28 µA	0.55 µV	2.7 v	26 v
LM358PE4	-	RFQ	4133	텍사스 텍사스	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			LM358	500µA (x2 채널)	-	2		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50										0.3V/µs		40 MA	범용	700 kHz	20 NA	3 MV	3 v	30 v
OPA2863RUNR	1.0680	RFQ	9930	텍사스 텍사스	opax863	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	10-wfqfn				700µa (x2 채널)	푸시 푸시, 풀 투 레일	2		10-WQFN (2x2)	-	Rohs3 준수	2 (1 년)		296-OPA2863RUNR			3,000										105V/µs	110MHz	45 MA	전압 전압	50MHz	300 NA	400 µV	2.7 v	12.6 v
TAS5352DDV	12.5600	RFQ	897	텍사스 텍사스	PurePath Digital ™	튜브	새로운 새로운 아닙니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	44-powertssop (0.244 ", 6.20mm 너비)	d. d	디지털 pwm m, 단락 및 열 보호 보호, 종료	TAS5352		1 또는 (모노) 또는 2 채널 (스테레오)		10.8V ~ 13.2v	44-HTSSOP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	35																			250w x 1 @ 2ohm; 125W x 2 @ 4ohm

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

선형 (16030)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²