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선형 (16030)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 출력 출력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 요소 요소 전압- 단일, 공급/듀얼 (±) 전압- 오프셋 입력 (최대) 현재- 바이어스 입력 (최대) 현재- 유형 (출력) 현재 -Quiescent (최대) CMRR, PSRR (TYP) 전파 전파 (지연) 히스테리시스
LMP7300MA/NOPB Texas Instruments LMP7300MA/NOPB 3.2300
RFQ
 ECAD 259 0.00000000 텍사스 텍사스 LMP®, Powerwise® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 전압 전압 LMP7300 CMOS, 오픈- 수집가, TTL 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 95 1 2.7V ~ 12V, ± 1.35V ~ 6V 0.75MV @ 5V 0.003µA @ 5V - 13µA 100dB CMRR, 100dB PSRR 15µs 1MV
TLV3402IDG4 Texas Instruments TLV3402IDG4 -
RFQ
 ECAD 1916 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 범용 TLV3402 CMOS, 오픈, 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 75 2 2.7V ~ 16V, ± 1.35V ~ 8V 3.6MV @ 15V 250pa @ 15V 10MA 950NA 88dB CMRR, 105dB PSRR 300µs -
TLV3402IDGK Texas Instruments TLV3402IDGK 3.3500
RFQ
 ECAD 9920 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) 범용 TLV3402 CMOS, 오픈, 8-VSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 80 2 2.7V ~ 16V, ± 1.35V ~ 8V 3.6MV @ 15V 250pa @ 15V 10MA 950NA 88dB CMRR, 105dB PSRR 300µs -
TLV3404CD Texas Instruments TLV3404CD 3.3424
RFQ
 ECAD 3555 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 범용 TLV3404 CMOS, 오픈, 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 4 2.5V ~ 16V, ± 1.25V ~ 8V 3.6MV @ 15V 250pa @ 15V 10MA 950NA 88dB CMRR, 105dB PSRR 300µs -
TL3016IDRG4 Texas Instruments TL3016IDRG4 -
RFQ
 ECAD 4293 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 래치와 래치와 TL3016 보완, 풀 푸시, ttl 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 1 5V ~ 10V, ± 2.5V ~ 5V 3MV @ ± 5V 10µa @ ± 5V 20MA 12.5MA 97dB CMRR 10ns -
TL712CPWE4 Texas Instruments TL712CPWE4 -
RFQ
 ECAD 2440 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 미분 TL712 보완, 풀 푸시, 트라이 스테이트, ttl 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 150 1 4.75V ~ 5.25V - - - 20MA - 25ns 5MV
TLC352IPWG4 Texas Instruments TLC352IPWG4 -
RFQ
 ECAD 8323 0.00000000 텍사스 텍사스 Lincmos ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 미분 TLC352 CMOS, MOS,, 드레인, TTL 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 150 2 1.4V ~ 16V, ± 0.7V ~ 8V 5MV @ 5V 5PA @ 5V 20MA 400µA - - -
TLC352IPWR Texas Instruments tlc352ipwr 1.6000
RFQ
 ECAD 8755 0.00000000 텍사스 텍사스 Lincmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 미분 TLC352 CMOS, MOS,, 드레인, TTL 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 5A991B1 8542.39.0001 2,000 2 1.4V ~ 16V, ± 0.7V ~ 8V 5MV @ 5V 5PA @ 5V 20MA 400µA - - -
TLC354CPWR Texas Instruments tlc354cpwr 0.9435
RFQ
 ECAD 9207 0.00000000 텍사스 텍사스 Lincmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 미분 TLC354 CMOS, MOS,, 드레인, TTL 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 4 1.4V ~ 16V, ± 0.7V ~ 8V 5MV @ 5V 5PA @ 5V 20MA 800µA - - -
TLC354CPWRG4 Texas Instruments TLC354CPWRG4 -
RFQ
 ECAD 8730 0.00000000 텍사스 텍사스 Lincmos ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 미분 TLC354 CMOS, MOS,, 드레인, TTL 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 4 1.4V ~ 16V, ± 0.7V ~ 8V 5MV @ 5V 5PA @ 5V 20MA 800µA - - -
TLC354IDRG4 Texas Instruments TLC354IDRG4 -
RFQ
 ECAD 5550 0.00000000 텍사스 텍사스 Lincmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 미분 TLC354 CMOS, MOS,, 드레인, TTL 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 4 1.4V ~ 16V, ± 0.7V ~ 8V 5MV @ 5V 5PA @ 5V 20MA 800µA - - -
TLC3702IDG4 Texas Instruments TLC3702IDG4 -
RFQ
 ECAD 4010 0.00000000 텍사스 텍사스 Lincmos ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 범용 TLC3702 CMOS, 푸시,, TTL 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 75 2 3V ~ 16V 5MV @ 10V 5PA @ 5V 20MA 65µA 84dB CMRR 4.5µs -
TLC3702IDRG4 Texas Instruments TLC3702IDRG4 -
RFQ
 ECAD 2132 0.00000000 텍사스 텍사스 Lincmos ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 범용 TLC3702 CMOS, 푸시,, TTL 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 2 3V ~ 16V 5MV @ 10V 5PA @ 5V 20MA 65µA 84dB CMRR 4.5µs -
TLC3702IPWR Texas Instruments tlc3702ipwr 1.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 텍사스 텍사스 Lincmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 범용 TLC3702 CMOS, 푸시,, TTL 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 2 3V ~ 16V 5MV @ 10V 5PA @ 5V 20MA 65µA 84dB CMRR 4.5µs -
TLC3702MDR Texas Instruments TLC3702MDR 1.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 텍사스 텍사스 Lincmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 범용 TLC3702 CMOS, 푸시,, TTL 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 2 4V ~ 16V 5MV @ 10V 5PA @ 5V 20MA 90µA 84dB CMRR 4.5µs -
TLC3704CPW Texas Instruments TLC3704CPW 1.8500
RFQ
 ECAD 401 0.00000000 텍사스 텍사스 Lincmos ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 범용 TLC3704 CMOS, 푸시,, TTL 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 90 4 3V ~ 16V 5MV @ 10V 5PA @ 5V 20MA 100µA 84dB CMRR 4.5µs -
TLC3704IPWR Texas Instruments tlc3704ipwr 1.7100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 텍사스 텍사스 Lincmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 범용 TLC3704 CMOS, 푸시,, TTL 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 4 3V ~ 16V 5MV @ 10V 5PA @ 5V 20MA 125µA 84dB CMRR 4.5µs -
TLC372CDRG4 Texas Instruments TLC372CDRG4 -
RFQ
 ECAD 7217 0.00000000 텍사스 텍사스 Lincmos ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 미분 TLC372 CMOS, MOS,, 드레인, TTL 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 2 3V ~ 16V, ± 1.5V ~ 8V 5MV @ 5V 5PA @ 5V 20MA 400µA - - -
TLC372CPWRG4 Texas Instruments TLC372CPWRG4 -
RFQ
 ECAD 4508 0.00000000 텍사스 텍사스 Lincmos ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 미분 TLC372 CMOS, MOS,, 드레인, TTL 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 2 3V ~ 16V, ± 1.5V ~ 8V 5MV @ 5V 5PA @ 5V 20MA 400µA - - -
TLC372MDR Texas Instruments TLC372MDR 1.5500
RFQ
 ECAD 4049 0.00000000 텍사스 텍사스 Lincmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 미분 TLC372 CMOS, MOS,, 드레인, TTL 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 2 4V ~ 16V, ± 2V ~ 8V 5MV @ 5V 5PA @ 5V 20MA 400µA - - -
TLC374CN-A Texas Instruments TLC374CN-A 1.6100
RFQ
 ECAD 544 0.00000000 텍사스 텍사스 Lincmos ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) 미분 TLC374 CMOS, MOS,, 드레인, TTL 14-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 4 3V ~ 16V, ± 1.5V ~ 8V 5MV @ 5V 5PA @ 5V 20MA 800µA - - -
TLC393CPW Texas Instruments TLC393CPW 1.6400
RFQ
 ECAD 350 0.00000000 텍사스 텍사스 Lincmos ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 범용 TLC393 MOS, 오픈 드레인 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 150 2 3V ~ 16V 5MV @ 10V 5PA @ 5V 20MA 50µA 84dB CMRR 4.5µs -
TLC339CDBR Texas Instruments TLC339CDBR -
RFQ
 ECAD 4062 0.00000000 텍사스 텍사스 Lincmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비) 범용 TLC339 CMOS, 오픈, 14-ssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 4 3V ~ 16V 5MV @ 10V 5PA @ 5V 20MA 100µA 84dB CMRR 4.5µs -
TLC339CDR Texas Instruments TLC339CDR 1.5900
RFQ
 ECAD 7714 0.00000000 텍사스 텍사스 Lincmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 범용 TLC339 CMOS, 오픈, 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 4 3V ~ 16V 5MV @ 10V 5PA @ 5V 20MA 100µA 84dB CMRR 4.5µs -
TLV3011AIDBVTG4 Texas Instruments tlv3011aidbvtg4 -
RFQ
 ECAD 5016 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SOT-23-6 전압 전압 TLV3011 열린 열린 SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 1 1.8V ~ 5.5V 12MV @ 5.5V 10pa @ 5.5v - 5µA 74dB CMRR, 80dB PSRR 13.5µs -
LM211DG4 Texas Instruments LM211DG4 -
RFQ
 ECAD 9602 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 범용 LM211 DTL, MOS, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 75 1 3.5V ~ 30V, ± 1.75V ~ 15V 3MV @ ± 15V 0.1µa @ ± 15V 50ma 6MA - - -
LM211DRG4 Texas Instruments LM211DRG4 0.8600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 범용 LM211 DTL, MOS, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 1 3.5V ~ 30V, ± 1.75V ~ 15V 3MV @ ± 15V 0.1µa @ ± 15V 50ma 6MA - - -
LM211PW Texas Instruments lm211pw 1.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 범용 LM211 DTL, MOS, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 150 1 3.5V ~ 30V, ± 1.75V ~ 15V 3MV @ ± 15V 0.1µa @ ± 15V 50ma 6MA - - -
LM211QDR Texas Instruments lm211qdr 1.0100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 범용 LM211 DTL, MOS, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 1 3.5V ~ 30V, ± 1.75V ~ 15V 3MV @ ± 15V 0.1µa @ ± 15V 50ma 6MA - - -
LM2901AVQDR Texas Instruments LM2901AVQDR 0.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 미분 LM2901 CMOS, MOS,, 수집가, TTL 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 4 2V ~ 32V, ± 1V ~ 16V 2MV @ 32V 0.25µA @ 5V 20MA 2.5MA - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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