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선형 (16030)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	요소 요소	기능	표준	제어 제어	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	전압- 오프셋 입력 (최대)	현재- 바이어스 입력 (최대)	현재- 유형 (출력)	현재 -Quiescent (최대)	CMRR, PSRR (TYP)	전파 전파 (지연)	히스테리시스	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
5962F9560401V9A	-	RFQ	7987	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인													다운로드	Rohs3 준수			296-5962F9560401V9A			1
OPA842IDBVTG4	-	RFQ	8274	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			OPA842	20.2MA	-	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250													400V/µs		100 MA	전압 전압	200MHz	20 µA	300 µV	10 v	12 v
opa4684ipwr	-	RFQ	7030	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			OPA468	1.7ma (x4 ()	-	4		14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500													780V/µs	95MHz	160 MA	현재 현재	120MHz	5 µA	1.5 MV	2.8 v	12 v
INA326EA/2K5G4	-	RFQ	4303	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			INA326	2.4ma	철도 철도 레일	1		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500													-	1 kHz	25 MA	수단		200 PA	20 µV	2.7 v	5.5 v
TL084INE4	0.2859	RFQ	5112	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)				1.4ma	푸시 푸시, 풀	4		14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수			296-TL084INE4	귀 99	8542.33.0001	25													13V/µs			J-FET	3MHz	30 PA	3 MV	10 v	30 v
TLV2460AID	0.9400	RFQ	5	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				550µA	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1													1.6V/µs		80 MA	범용	6.4 MHz	1.3 NA	500 µV	2.7 v	6 v
TLC271BCPSRG4	-	RFQ	3617	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			TLC271	950µA	-	1		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000													5.3V/µs		30 MA	범용	2.2 MHz	0.7 PA	390 µV	3 v	16 v
TPA301DGNG4	-	RFQ	9193	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드	AB	단락 단락 열 및 및, 종료	TPA301		1 채널 (모노)		2.5V ~ 5.5V	8-msop-powerpad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	80																						700mw x 1 @ 8ohm
TLC272BCPS	1.7500	RFQ	556	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			TLC272	1.9ma (x2 ()	-	2		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	80													5.3V/µs		30 MA	CMOS	2.2 MHz	0.7 PA	290 µV	3 v	16 v
ONET1191PRGTRG4	-	RFQ	2709	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다		광학 광학	표면 표면	16-vfqfn 노출 패드	증폭기 증폭기		ONET1191					16-VQFN (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		5A991B1	8542.39.0001	3,000
5962-9088102M2A	-	RFQ	3154	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인													다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-5962-9088102M2A			1
TAS5717PHP	5.0744	RFQ	7956	텍사스 텍사스	-	쟁반	활동적인	0 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	48-powertqfp	d. d	열 열 단락 및	TAS5717		스테레오 스테레오 2 헤드폰이있는 (스테레오)		3V ~ 3.6V	48-HTQFP (7x7)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250																						10W x 2 @ 8ohm
vsp2232y/2kg4	-	RFQ	6136	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		소비자 소비자	표면 표면	48-LQFP			VSP2232				2.7V ~ 3.6V	48-LQFP (7x7)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000		프로세서	-	연속물
LM119J	68.4200	RFQ	930	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C		구멍을 구멍을	14-CDIP (0.300 ", 7.62mm)	범용		LM119		DTL, Open-Collector, RTL, TTL			14-CDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	2				5V ~ 36V, ± 2.5V ~ 18V	4MV @ ± 15V	0.5µa @ ± 15V	25MA	11.5MA	-	-	-
THS3110CDGN	-	RFQ	9524	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드			THS311	4.8ma	-	1		8-HVSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	160													1300V/µs	100MHz	260 MA	현재 현재		1.5 µA	3 MV	10 v	30 v
TLE2071IDG4	-	RFQ	3542	텍사스 텍사스	Excalibur ™	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLE2071	1.7ma	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75													45V/µs		48 MA	J-FET	10MHz	20 PA	490 µV	4.5 v	38 v
TLC2252QPWRG4Q1	-	RFQ	4705	텍사스 텍사스	AEC-Q100, LINCMOS ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			TLC225	80µa (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000													0.12V/µs		50 MA	CMOS	210 kHz	1 PA	200 µV	4.4 v	16 v
TPA0211DGNG4	-	RFQ	3781	텍사스 텍사스	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드	AB	Depop, 셧다운	TPA0211		모노 모노 1 헤드폰이있는 (모노)		2.5V ~ 5.5V	8-HVSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	80																						2W x 1 @ 4ohm; 92mw x 1 @ 32ohm
opa129ue4	-	RFQ	5037	텍사스 텍사스	difet®	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA129	1.2MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75													2.5V/µs		10 MA	범용	1MHz	0.03 PA	1 MV	10 v	36 v
OPA2375SIRUGR	2.1000	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	10-xfqfn				990µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		10-x2qfn (2x1.5)	다운로드	적용 적용 수 할	2 (1 년)		296-OPA2375SIRUGRTR	귀 99	8542.33.0001	3,000													4.6V/µs		68 MA	CMOS	10MHz	3 PA	150 µV	1.7 v	5.5 v
TLV9102SIDGSR	1.2300	RFQ	3	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			TLV9102	115µA (x2 채널)	철도 철도 레일	2		10-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	296-TLV9102SIDGSRTR	귀 99	8542.33.0001	2,500													4.5V/µs		80 MA	범용	1.1 MHz	10 PA	300 µV	2.7 v	16 v
THS4011MFKB	-	RFQ	4480	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	20-Clcc				7.8ma	아니요	1		20-LCCC (8.89x8.89)	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-THS4011MFKB	귀 99	8542.33.0001	1													400V/µs	270 MHz	115 MA	전압 전압	200MHz	2 µA	1 MV	9 v	32 v
opa4388ipwr	5.1700	RFQ	6060	텍사스 텍사스	제로 제로	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			OPA4388	1.9ma (x4 ()	철도 철도 레일	4		14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000													5V/µs		60 MA	제로 제로	10MHz	30 PA	2.25 µV	2.5 v	5.5 v
LMV1032UR-25/NOPB	2.2500	RFQ	1669	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	4-XFBGA, DSBGA	AB	마이크로폰	LMV1032		1 채널 (모노)		1.7V ~ 5V	4-DSBGA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250																						-
TL081IP	0.7000	RFQ	9592	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TL081	1.4ma	-	1		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50													13V/µs			J-FET	3MHz	30 PA	3 MV	7 v	36 v
5962-9321603QPA	-	RFQ	5903	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인													다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-5962-9321603QPA			1
TLV2422MJGB	11.8700	RFQ	174	텍사스 텍사스	AEC-Q100, LINCMOS ™	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C		구멍을 구멍을	8-CDIP (0.300 ", 7.62mm)				100µa (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-CDIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.33.0001	1													0.02V/µs		50 MA	범용	5.3 MHz	1 PA	300 µV	2.7 v	10 v
INA293B3IDBVT	3.7200	RFQ	2	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			INA293	1.5MA	-	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250													2.5V/µs	1MHz		현재의 현재의		20 µA	10 µV	2.7 v	20 v
opa379aidbvrg4	-	RFQ	9608	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			OPA379	2.9µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000													0.03V/µs		5 MA	범용	90 kHz	5 PA	400 µV	1.8 v	5.5 v
INA290A5IDCKR	2.9500	RFQ	2	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353			INA290	370µA	-	1		SC-70-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000													2V/µs	800 kHz		현재의 현재의		20 µA	2 µV	2.7 v	20 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

선형 (16030)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²