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선형 (16030)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	요소 요소	기능	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	전압- 오프셋 입력 (최대)	현재- 바이어스 입력 (최대)	현재- 유형 (출력)	현재 -Quiescent (최대)	CMRR, PSRR (TYP)	전파 전파 (지연)	히스테리시스	비트/수 단계	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
TLV9032QPWRQ1	1.7000	RFQ	774	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	범용				푸시 푸시, 풀 투 레일			8-tssop	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	2,000	2		1.65V ~ 5.5V	1.5MV @ 5V	5PA @ 5V	100ma @ 5v	30µA	70dB CMRR, 95dB	100ns	-
lp311ps	0.5200	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	미분				-			도 8-	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-LP311PS	귀 99	8542.39.0001	1	1		3.5V ~ 30V, ± 1.75V ~ 15V	7.5MV @ ± 15V	0.15µA @ ± 15V	-	180µA, 300µA	-	1.2µs (()	-
TLV3801QDSGRQ1	9.4900	RFQ	2	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면, 마운트 측면	8-Wfdfn d 패드 패드	범용				보완, LVD			8-wson (2x2)	다운로드	적용 적용 수 할	2 (1 년)			귀 99	8542.39.0001	3,000	1		2.7V ~ 5.25V	5MV @ 3.3v	10µa @ 3.3v	-	26.6MA	80dB CMRR, 80dB PSRR	225ps (유형)	2MV
opa2310idgkr	0.9300	RFQ	9272	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)				165µA (x2 채널)	푸시 푸시, 풀 투 레일	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500												3V/µs		150 MA	범용	3MHz	1 PA	250 µV	1.5 v	5.5 v
INA186A5QDDFRQ1	1.6400	RFQ	3	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	SOT-23-8				48µA	철도 철도 레일	1		TSOT-23-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000												0.3V/µs	27 kHz		현재의 현재의		500 PA	3 µV	1.7 v	5.5 v
opa2202idgkt	2.0800	RFQ	762	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			OPA2202	580µa (x2 채널)	푸시 푸시	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250												0.35V/µs		35 MA	범용	1MHz	250 PA	20 µV	4.5 v	36 v
TLV6742IDR	1.1500	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLV6742	990µA	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500												4.5V/µs		68 MA	CMOS	10MHz	10 PA	150 µV	1.7 v	5.5 v
TLV1701AQDCKRQ1	1.4500	RFQ	1	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	범용		TLV1701		오픈-철도, 수집가 대 레일			SC-70-5	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	1		2.2V, ± 1.1V ~ 36V, ± 18V	2.5MV @ 36V	0.015µA @ 36V	20ma @ 36v	75µA	-	560ns (n)	-
THS4501CDGNG4	6.3800	RFQ	50	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드			THS450	23MA	미분	1		8-msop-powerpad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	80												2800V/µs	370MHz		미분	300MHz	4 µA	4 MV	4.5 v	15 v
TLC372CPWG4	-	RFQ	7012	텍사스 텍사스	Lincmos ™	쟁반	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	미분		TLC372		CMOS, MOS,, 드레인, TTL			8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	150	2		3V ~ 16V, ± 1.5V ~ 8V	5MV @ 5V	5PA @ 5V	20MA	400µA	-	-	-
opa2650p	2.3000	RFQ	489	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			OPA265	11ma (x2 2)	-	2		8-PDIP	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50												240V/µs		110 MA	전압 전압	360 MHz	5 µA	1 MV	9 v	11 v
TLV6703DSER	1.7000	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-WFDFN	범용		TLV6703		오픈 오픈			6-wson (1.5x1.5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	1		1.8V ~ 18V	-	0.025µA	-	13µA	-	13µs	12MV
TLC2272ACPWG4	-	RFQ	3967	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			TLC227	2.4ma (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	150												3.6V/µs		50 MA	CMOS	2.25 MHz	1 PA	300 µV	4.4 v	16 v
opa2662au	4.5400	RFQ	3	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			OPA266	3MA (x2 2)	-	2		16-	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	48												-	370MHz	75 MA	초전도		1 µA	12 MV	9 v	11 v
THS4011CDG4	-	RFQ	4368	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			THS401	7.8ma	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75												310V/µs	290MHz	110 MA	전압 전압	290MHz	2 µA	1 MV	9 v	32 v
TLE2061IDG4	-	RFQ	2815	텍사스 텍사스	Excalibur ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLE206	290µA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75												3.4V/µs		80 MA	J-FET	2 MHz	4 PA	600 µV	7 v	36 v
TPA6203A1DRBG4	-	RFQ	7079	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8-vdfn d 패드	AB	Depop, 입력 차동, 셧다운, 열 보호	TPA620		1 채널 (모노)		2.5V ~ 5.5V	8) (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	121																					1.25W x 1 @ 8ohm
TLC374IDG4	-	RFQ	5620	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	미분		TLC374		CMOS, MOS,, 드레인, TTL			14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	4		3V ~ 16V, ± 1.5V ~ 8V	5MV @ 5V	5PA @ 5V	20MA	800µA	-	-	-
INA190A5IDDFT	3.5100	RFQ	56	텍사스 텍사스	제로 제로	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	SOT-23-8			INA190	48µA	철도 철도 레일	1		TSOT-23-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250												0.3V/µs			현재의 현재의	27 kHz	500 PA	3 µV	1.7 v	5.5 v
THS4222DRG4	1.3700	RFQ	2	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			THS422	14MA (x2 2)	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500												990V/µs	230MHz	100 MA	전압 전압	120MHz	900 NA	3 MV	2.7 v	15 v
THS4081CDG4	1.5800	RFQ	9415	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			THS408	3.4ma	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75												230V/µs	175 MHz		전압 전압		1.2 µA	1 MV	10 v	30 v
TLV3702CDG4	-	RFQ	6438	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	범용		TLV370		CMOS, 푸시,, 레일 투 레일			8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	75	2		2.5V ~ 16V, ± 1.25V ~ 8V	5MV @ 15V	250pa @ 15V	10MA	1µA	88dB CMRR, 105dB PSRR	-	-
TLE2071ACDG4	-	RFQ	4039	텍사스 텍사스	Excalibur ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLE207	1.7ma	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75												45V/µs		48 MA	J-FET	10MHz	20 PA	470 µV	4.5 v	38 v
TLV2781IDG4	0.8900	RFQ	7145	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLV278	650µA	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75												5V/µs		23 MA	범용	8 MHz	2.5 PA	250 µV	1.8 v	3.6 v
TLC3704CPWG4	-	RFQ	1256	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	범용		TLC370		CMOS, 푸시,, TTL			14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	90	4		3V ~ 16V	5MV @ 10V	5PA @ 5V	20MA	100µA	84dB CMRR	4.5µs	-
TPA2000D2PWG4	1.9800	RFQ	344	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	d. d	Depop, 입력 차동, 단락 및 열 보호 보호, 종료	TPA200		2 채널 (스테레오)		4.5V ~ 5.5V	24-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	60																					2W x 2 @ 3ohm
TPA2001D1PWG4	1.0200	RFQ	2734	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	d. d	Depop, 입력 차동, 단락 보호, 종료	TPA200		1 채널 (모노)		2.7V ~ 5.5V	16-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	90																					1W x 1 @ 8ohm
MPY534KH	36.7800	RFQ	144	텍사스 텍사스	MPY	튜브	쓸모없는			100-10 캔 금속			MPY534					100-10	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	20		아날로그 아날로그									4 분기
MPY534SH	46.4500	RFQ	349	텍사스 텍사스	MPY	튜브	쓸모없는			100-10 캔 금속			MPY534					100-10	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		3A001A2C	8542.39.0001	20		아날로그 아날로그									4 분기
tlv2774aidg4	2.3100	RFQ	382	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLV277	1ma (x4 4)	철도 철도 레일	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50												10.5V/µs		50 MA	CMOS	5.1 MHz	2 PA	700 µV	2.5 v	5.5 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

선형 (16030)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²