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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | TLV2422AQDRG4 | - | | 8044 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | AEC-Q100, LINCMOS ™ | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | TLV242 | 100µa (x2 () | 철도 철도 레일 | 2 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 2,500 | 0.02V/µs | 50 MA | 범용 | 5.3 MHz | 1 PA | 300 µV | 2.7 v | 10 v | |||||||||||||||||
 | MC1458ps | 0.2200 | | 8746 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | 3.4ma (x2 () | - | 2 | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 1 | 0.5V/µs | 25 MA | 범용 | 1MHz | 80 NA | 1 MV | 10 v | 30 v | ||||||||||||||||||
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 | TAS5614ADKD | - | | 6867 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | PurePath ™ HD | 튜브 | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 44-BSSOP (0.433 ", 11.00mm 폭) 노출 패드 | d. d | Depop, 입력 디지털, 단락 및 열 보호 보호, 종료 | TAS5614 | 1 또는 (모노) 또는 2 채널 (스테레오) | 18V ~ 38V | 44-HSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 4 (72 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 29 | 300W x 1 @ 2ohm; 200w x 2 @ 3ohm | |||||||||||||||||||||||
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 | LM4851ITL/NOPB | - | | 4402 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | 부머 ® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 18-WFBGA | AB | Depop, Shutdown, Spi, 열 보호, 볼륨 제어 | LM4851 | 스테레오 스테레오 1 헤드폰이있는 (모노) | 2.6V ~ 5V | 18-DSBGA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 250 | 1.5W x 1 @ 4ohms; 115MW x 2 @ 32ohms | |||||||||||||||||||||||
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 | TL052CPSR | 0.6200 | | 5014 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Lincmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | TL052 | 4.8ma (x2 () | - | 2 | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 2,000 | 20.7V/µs | 80 MA | J-FET | 3MHz | 30 PA | 650 µV | 10 v | 30 v | |||||||||||||||||
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| TLC2264AIDG4 | - | | 1858 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Lincmos ™ | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | TLC2264 | 850µa (x4 채널) | 철도 철도 레일 | 4 | 14 -Soic | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 50 | 0.55V/µs | 50 MA | 범용 | 730kHz | 1 PA | 300 µV | 4.4 v | 16 v | |||||||||||||||||
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| tlc27l7idr | 3.0900 | | 3 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Lincmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | TLC27L7 | 20µa (x2 () | - | 2 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 2,500 | 0.03V/µs | 30 MA | CMOS | 110 kHz | 0.6 PA | 170 µV | 4 v | 16 v | |||||||||||||||||
| TL322CDRG4 | - | | 4862 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | TL322 | 1.4ma (x2 () | - | 2 | 8-SOIC | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 2,500 | 0.6V/µs | 10 MA | 범용 | 1MHz | 200 NA | 2 MV | 5 v | 30 v | |||||||||||||||||
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| TL074QDREPA | - | | 7986 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | 1.4ma (x4 () | 아니요 | 4 | 14 -Soic | 다운로드 | Rohs3 준수 | 296-TL074QDREPA | 1 | 13V/µs | 10 MA | J-FET | 3MHz | 65 PA | 3 MV | 7 v | 36 v | |||||||||||||||||||||
 | LM1279N | - | | 1130 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 범용 | 구멍을 구멍을 | 20-DIP (0.300 ", 7.62mm) | LM1279 | 80 MA | - | 3 | 20-PDIP | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 18 | 7.5V ~ 8.5V | - | 110MHz | 28 MA | |||||||||||||||||||||
| LMC660CMX/ELLD734 | - | | 3747 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | LMC® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 0 ° C ~ 70 ° C | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | LMC660 | 1.5MA (x4 () | 푸시 푸시, 풀 투 레일 | 4 | 14 -Soic | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.33.0001 | 2,500 | 1.1V/µs | 40 MA | CMOS | 1.4 MHz | 0.002 PA | 1 MV | 4.75 v | 15.5 v | ||||||||||||||||||
 | INA2133UE4 | - | | 4733 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | INA2133 | 950µA | - | 1 | 14 -Soic | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 50 | 5V/µs | 1.5MHz | 32 MA | 미분 | 150 µV | 4.5 v | 36 v |
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