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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
ONET2501PARGTRG4	-	RFQ	3187	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	16-vfqfn 노출 패드			ONET250	32MA	미분	1		16-VQFN (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		-	45 kHz	25 MA	제한				3 v	3.6 v
THS4051CD	2.6375	RFQ	7229	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			THS4051	8.5MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		240V/µs	70MHz	100 MA	전압 전압		2.5 µA	2.5 MV	9 v	32 v
INA2180A2QDGKRQ1	0.3225	RFQ	6805	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			INA2180	355µA	철도 철도 레일	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		2V/µs	210 kHz		현재의 현재의	210 kHz	80 µA	100 µV	2.7 v	5.5 v
OPA2244PA	2.9500	RFQ	233	텍사스 텍사스	MicroAmplifier ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			OPA2244	40µa (x2 ()	-	2		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		0.1V/µs		25 MA	범용	430kHz	10 na	700 µV	2.2 v	36 v
opa501am	-	RFQ	3743	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	To-3-8			OPA501	2.6MA	-	1		To-3-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	18		1.35V/µs		10 a	힘	1MHz	15 na	5 MV	20 v	72 v
TLC2264AQD	1.9440	RFQ	2244	텍사스 텍사스	AEC-Q100, LINCMOS ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC2264	850µa (x4 채널)	철도 철도 레일	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		0.55V/µs		50 MA	범용	730kHz	1 PA	300 µV	4.4 v	16 v
TLE2021MD	1.4755	RFQ	4625	텍사스 텍사스	Excalibur ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLE2021	200µA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		0.65V/µs		20 MA	범용	2 MHz	25 NA	120 µV	4 v	40 v
TL071BCDE4	-	RFQ	9656	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TL071	1.4ma	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		13V/µs			J-FET	3MHz	65 PA	2 MV	10 v	30 v
THS7373IPW	1.4200	RFQ	668	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인		필터	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			THS7373	16.9 MA	철도 철도 레일	4		14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	90	2.6V ~ 5.5V	450V/µs	9.5MHz	90 MA
3650hg	-	RFQ	5646	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	32-CDIP (0.900 ", 22.86mm)			3650	2.3ma	-	1		32-CDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	10		1.2V/µs	15 kHz	5 MA	격리		10 na	5 MV	16 v	36 v
TL081CDR	0.4100	RFQ	4	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TL081	1.4ma	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		13V/µs			J-FET	3MHz	30 PA	3 MV	7 v	36 v
LMC6484IMX	1.9605	RFQ	6398	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TJ)		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LMC6484	2.6MA (x4 ()	철도 철도 레일	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	lmc6484imxtr	귀 99	8542.33.0001	2,500		1.3V/µs		30 MA	CMOS	1.5MHz	0.02 PA	110 µV	3 v	15.5 v
INA333SHKJ	-	RFQ	5666	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 210 ° C		표면 표면	8-cflatpack			INA333	50µA	철도 철도 레일	1		8-cfp	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1		0.16V/µs	150 kHz	55 MA	수단		70 PA	10 µV	1.8 v	5.5 v
LMV981IDBVR	-	RFQ	3965	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SOT-23-6			LMV981	116µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		0.42V/µs		100 MA	범용	1.5MHz	15 na	1 MV	1.8 v	5 v
INA181A1IDBVR	0.5100	RFQ	3	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SOT-23-6			INA181	260µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		2V/µs	350 kHz		현재의 현재의		75 µA	100 µV	2.7 v	5.5 v
THS4505DGKG4	-	RFQ	9514	텍사스 텍사스	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			THS4505	16MA	미분	1		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	80		1800V/µs	260MHz		미분	210MHz	4 µA	4 MV	4.5 v	15 v
THS4031IDGNR	6.9500	RFQ	4	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드			THS4031	8.5MA	-	1		8-HVSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		100V/µs	100MHz		전압 전압		3 µA	500 µV	9 v	32 v
INA213Airswt	1.0500	RFQ	3	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	10-ufqfn			INA213	65µA	-	1		10-uqfn (1.8x1.4)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250		0.4V/µs			현재의 현재의	80 kHz	28 µA	5 µV	2.7 v	26 v
TLE2022AQDRG4Q1	1.9305	RFQ	1618	텍사스 텍사스	AEC-Q100, Excalibur ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLE2022	170µA (x2 채널)	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		0.5V/µs		30 MA	범용	1.7 MHz	33 NA	100 µV	4 v	40 v
TPA1517DWPR	4.0800	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	20-Soic (0.295 ", 7.50mm 너비) 노출 패드	AB	음소거, 열, 대기 보호	TPA1517		2 채널 (스테레오)		9.5V ~ 18V	20-HSOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000											6W x 2 @ 4ohm
THS3201DGK	-	RFQ	8935	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			THS3201	14ma	-	1		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	80		9800V/µs	1.8GHz	115 MA	현재 현재		14 µA	700 µV	6.6 v	15 v
TPA2005D1DGNG4	-	RFQ	7713	텍사스 텍사스	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드	d. d	차동 차동, 입력 및 열 열 보호, 종료	TPA2005		1 채널 (모노)		2.5V ~ 5.5V	8-HVSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	80											1.45W x 1 @ 8ohm
TLC070IDR	1.1115	RFQ	2911	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC070	2.1ma	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		19V/µs		57 MA	범용	10MHz	1.5 PA	390 µV	4.5 v	16 v
tlc082aidrg4	-	RFQ	5617	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC082	1.9ma (x2 ()	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		19V/µs		57 MA	범용	10MHz	3 PA	390 µV	4.5 v	16 v
opa197idgkt	2.1800	RFQ	3499	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			OPA197	1MA	철도 철도 레일	1		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250		20V/µs			범용	10MHz	5 PA	25 µV	4.5 v	36 v
tle2062aidr	3.0975	RFQ	5791	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLE2062	625µa (x2 채널)	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		3.4V/µs		80 MA	J-FET	2 MHz	4 PA	800 µV	7 v	36 v
TAS5631PHDR	16.9035	RFQ	2026	텍사스 텍사스	PurePath ™ HD	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	64-tqfp q 패드	d. d	Depop, 입력 디지털, 단락 및 열 보호 보호, 종료	TAS5631		1 또는 (모노) 또는 2 채널 (스테레오)		25V ~ 52.5V	64-HTQFP (14x14)	다운로드	Rohs3 준수	5A (24 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000											600W x 1 @ 2ohm; 300W x 2 @ 4ohm
OPA4277UA/2K5	11.5400	RFQ	3308	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA4277	-	-	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		0.8V/µs		35 MA	범용	1MHz	4 NA	20 µV	4 v	36 v
LMV324MTX	0.8850	RFQ	9052	텍사스 텍사스	LMV®	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			LMV324	410µa (x4 채널)	철도 철도 레일	4		14-tssop	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		1V/µs		160 MA	범용	1MHz	15 na	1.7 MV	2.7 v	5.5 v
TLC271BCD	1.4700	RFQ	706	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	마지막으로 마지막으로	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC271	950µA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		5.3V/µs		30 MA	범용	2.2 MHz	0.7 PA	390 µV	3 v	16 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
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표준 제품 단위
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전 세계 제조업체
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선형 (16030)

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2800+

15,000m2

15,000m²