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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
TLV2370IDBVTG4	-	RFQ	4387	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SOT-23-6			TLV2370	750µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	250	2.1V/µs		16 MA	범용	3MHz	1 PA	2 MV	2.7 v	16 v
TLV2625ID	1.4700	RFQ	16	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				800µa (x4 채널)	철도 철도 레일	4		16-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	1	7V/µs		28 MA	CMOS	11 MHz	2 PA	250 µV	2.7 v	5.5 v
TL084ACDRE4	-	RFQ	1790	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TL084	1.4ma (x4 ()	-	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500	13V/µs		10 MA	J-FET	3MHz	30 PA	3 MV	10 v	30 v
TLC2652M-8D	-	RFQ	3246	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC265	1.5MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	75	3.1V/µs		50 MA	제로 제로	1.9 MHz	4 PA	0.6 µV	3.8 v	16 v
TLC085 0	-	RFQ	5932	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TLC085	1.9ma (x4 ()	-	4		16-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	50	19V/µs		57 MA	범용	10MHz	3 PA	390 µV	4.5 v	16 v
TLC27M2BCP	0.9516	RFQ	4431	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TLC27M2	285µA (x2 채널)	-	2		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	50	0.62V/µs		30 MA	CMOS	635 kHz	0.7 PA	224 µV	3 v	16 v
TAS5760LDCAR	3.0915	RFQ	3221	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비) 노출 패드	d. d	Depop	TAS5760		1 또는 (모노) 또는 2 채널 (스테레오)		3V ~ 3.6V	48-HTSSOP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,000										-
OPA2244UA/2K5	2.8500	RFQ	410	텍사스 텍사스	MicroAmplifier ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA2244	40µa (x2 ()	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500	0.1V/µs		25 MA	범용	430kHz	10 na	700 µV	2.2 v	36 v
TLC070IP	2.6200	RFQ	693	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TLC070	2.1ma	-	1		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	50	19V/µs		57 MA	범용	10MHz	1.5 PA	390 µV	4.5 v	16 v
LMV1090TL	1.5000	RFQ	298	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	16-WFBGA, DSBGA	AB	-			2 채널 (스테레오)		2.7V ~ 5.5V	16-DSBGA (2.5x2.12)	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는	귀 99	8542.33.0001	250										-
OPA2340EA/2K5	4.2600	RFQ	14	텍사스 텍사스	마이크로 마이크로 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			OPA2340	750µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500	6V/µs		50 MA	CMOS	5.5MHz	0.2 PA	150 µV	2.5 v	5.5 v
LMP8270MA/NOPB	-	RFQ	2950	텍사스 텍사스	LMP®	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LMP8270	1MA	철도 철도 레일	1		8-SOIC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	95	0.7V/µs			미분	80 kHz	20 PA	250 µV	4.75 v	5.5 v
THS4502CDGN	13.3900	RFQ	66	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드			THS4502	23MA	미분	1		8-HVSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	80	2800V/µs	370MHz		미분	300MHz	4 µA	1 MV	4.5 v	15 v
tlc252cpwr	3.1545	RFQ	1025	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			TLC252	1.9ma (x2 ()	-	2		8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,000	2.9V/µs			CMOS	2.2 MHz	0.6 PA	1.1 MV	1.4 v	16 v
TLC272CD	1.7600	RFQ	1	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	마지막으로 마지막으로	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC272	1.9ma (x2 ()	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	75	5.3V/µs		30 MA	CMOS	2.2 MHz	0.7 PA	1.1 MV	3 v	16 v
ISO122Jug4	-	RFQ	9770	텍사스 텍사스	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	-25 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비), 8 개의 리드			ISO122	5MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	20	2V/µs	50 kHz	15 MA	격리			20 MV	9 v	36 v
opa333aid	3.1000	RFQ	3	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA333	17µA	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	75	0.16V/µs		5 MA	제로 제로	350 kHz	70 PA	2 µV	1.8 v	5.5 v
TAS5710PHP	9.8700	RFQ	58	텍사스 텍사스	-	쟁반	활동적인	0 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	48-powertqfp	d. d	Depop, Digital Inputs, i²c, i², 단락 및 열 보호, 셧다운, 볼륨 제어 제어	TAS5710		2 채널 (스테레오)		10V ~ 26V	48-HTQFP (7x7)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	250										20.2wx 2 @ 8ohm
opa330aiyfft	2.6900	RFQ	2143	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	5-UFBGA, DSBGA			OPA330	21µA	철도 철도 레일	1		5-DSBGA (1.12x0.82)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	250	0.16V/µs		5 MA	제로 제로	350 kHz	200 PA	8 µV	1.8 v	5.5 v
LM6172IM	8.9600	RFQ	666	텍사스 텍사스	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LM6172	4.6MA (x2 ()	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	귀 99	8542.33.0001	95	3000V/µs	160MHz	90 MA	전압 전압	100MHz	1.2 µA	400 µV	5.5 v	36 v
TSM102AID	-	RFQ	3226	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는		전력 전력	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	증폭기, 참조, 비교기		TSM102					16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	40
LM4832MT/NOPB	-	RFQ	8612	텍사스 텍사스	부머 ®	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	28-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	AB	3d, Depop, i²c, 마이크, 음소거, 셧다운, 톤 및 볼륨 제어 제어	LM4832		2 채널 (스테레오)		4.5V ~ 5.5V	28-tssop	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	48										250mw x 2 @ 8ohm
TLV342ID	1.4000	RFQ	12	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLV342	75µA (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	75	1V/µs		115 MA	CMOS	2.3 MHz	1 PA	300 µV	1.5 v	5.5 v
opa2333aidgkr	4.0800	RFQ	5440	텍사스 텍사스	제로 제로	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			OPA2333	17µA (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500	0.16V/µs		5 MA	CMOS, 제로,	350 kHz	70 PA	2 µV	1.8 v	5.5 v
lmv358aidgkr	0.4300	RFQ	2	텍사스 텍사스	LMV®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			LMV358	70µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500	1.7V/µs		40 MA	범용	1MHz	10 PA	1 MV	2.5 v	5.5 v
tlv27l1idr	0.4545	RFQ	3205	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLV27L1	7µA	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500	0.06V/µs		400 µA	범용	160 kHz	1 PA	500 µV	2.7 v	16 v
tlv2404ipwr	2.0325	RFQ	2838	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			TLV2404	900NA (x4 ()	철도 철도 레일	4		14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,000	0.0025V/µs		200 µA	범용	5.5 kHz	100 PA	390 µV	2.5 v	16 v
opa2363idgst	4.3700	RFQ	441	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			OPA2363	1.1ma (x2 ()	철도 철도 레일	2		10-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	250	5V/µs		85 MA	CMOS	7 MHz	1 PA	900 µV	1.8 v	5.5 v
OPA322AQDBVRQ1	1.7100	RFQ	4106	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			OPA322	1.6MA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	3,000	10V/µs		65 MA	범용	20MHz	0.2 PA	500 µV	1.8 v	5.5 v
TLV2702ID	2.4721	RFQ	8085	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인		보안 보안	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	증폭기, 비교기		TLV2702					8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	75

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

선형 (16030)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²