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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
opa3692idg4	-	RFQ	3244	텍사스 텍사스	-	튜브	sic에서 중단되었습니다		완충기	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA3692	15.3 MA	-	3		16-	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	40	5V ~ 12V, ± 2.5V ~ 6V	2000V/µs	280MHz	190 MA
TLC2652Q-8DG4	-	RFQ	1014	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC2652	1.5MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		3.1V/µs		50 MA	제로 제로	1.9 MHz	4 PA	0.6 µV	3.8 v	16 v
log101aide4	14.7091	RFQ	8396	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				1MA	아니요	1		8-SOIC	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)		296-LOG101AIDE4	귀 99	8542.33.0001	75		-		18 MA	로그 로그 로그 및		5 PA	300 µV	9 v	36 v
TPA711DG4	-	RFQ	4401	텍사스 텍사스	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AB	Depop, 및 단락 열 보호 보호, 종료	TPA711		1 채널 (모노)		2.5V ~ 5.5V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75											700mw x 1 @ 8ohm
TL33074DW	1.6400	RFQ	557	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			TL330	3.5MA (X3 ()	-	3		16-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000		13V/µs	200 kHz	30 MA	범용	4.5MHz	1 PA	300 µV	4 v	44 v
TPA3255DDV	12.4900	RFQ	496	텍사스 텍사스	PurePath ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	44-powertssop (0.244 ", 6.20mm 너비)	d. d	Depop, 보호 단락	TPA3255		2 채널 (스테레오)		18V ~ 53.5V	44-HTSSOP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	296-45124-5	귀 99	8542.33.0001	35											315w x 2 @ 4ohm, 600w x 1 @ 2ohm
TPA6132A2RTER	1.5900	RFQ	8	텍사스 텍사스	DirectPath ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	16-wfqfn q 패드	AB	Depop, 입력 차동, 단락 및 열 보호 보호, 종료	TPA6132		헤드폰, 2 채널 (스테레오)		2.3V ~ 5.5V	16-WQFN (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000											25MW x 2 @ 16ohm
opa2202idr	1.7300	RFQ	306	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA2202	580µA	푸시 푸시	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		0.35V/µs		35 MA	범용	1MHz	250 µA	20 µV	4.5 v	36 v
OPA4277UA/2K5	11.5400	RFQ	3308	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA4277	-	-	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		0.8V/µs		35 MA	범용	1MHz	4 NA	20 µV	4 v	36 v
ina114au	11.8500	RFQ	9847	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			INA114	2.2MA	-	1		16-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	40		0.6V/µs	1MHz	20 MA	수단		500 PA	25 µV	4.5 v	36 v
TAS5760LDDCA	5.5038	RFQ	4389	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비) 노출 패드	d. d	Depop	TAS5760		1 또는 (모노) 또는 2 채널 (스테레오)		3V ~ 3.6V	48-HTSSOP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	40											-
OPA2677H	-	RFQ	7249	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드			OPA267	18MA (X2 2)	-	2		8 시간	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	100		2000V/µs	250MHz	500 MA	현재 현재	2GHz	10 µA	800 µV	5 v	12 v
INA131AP-1G4	-	RFQ	8713	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			INA131	2.2MA	-	1		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	100		0.7V/µs	70 kHz	20 MA	수단		500 PA	25 µV	4.5 v	36 v
tlv2264aipwr	1.9470	RFQ	3526	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			TLV2264	800µa (x4 채널)	철도 철도 레일	4		14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000		0.55V/µs		50 MA	CMOS	710 kHz	1 PA	300 µV	2.7 v	8 v
TL054ACD	9.5300	RFQ	804	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	마지막으로 마지막으로	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TL054	8.4ma (x4 ()	-	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		17.8V/µs		80 MA	J-FET	2.7 MHz	30 PA	500 µV	10 v	30 v
OPA2343UA/2K5G4	-	RFQ	6251	텍사스 텍사스	MicroAmplifier ™	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA2343	850µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		6V/µs		50 MA	CMOS	5.5MHz	0.2 PA	2 MV	2.5 v	5.5 v
TPA3100D2PHPG4	-	RFQ	9832	텍사스 텍사스	-	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	48-powertqfp	d. d	차동 차동, 입력, 단락 및 열 보호 보호, 종료	TPA3100		2 채널 (스테레오)		10V ~ 26V	48-HTQFP (7x7)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250											21.8W x 2 @ 8ohm
THS3121CDGNRG4	-	RFQ	3098	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드			THS312	7ma	-	1		8-HVSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		1700V/µs	130MHz	490 MA	현재 현재		3 µA	2 MV	10 v	30 v
VCA824IDG4	-	RFQ	4082	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			VCA824	36.5MA	-	1		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		2500V/µs	710 MHz	90 MA	가변 가변		19 µA	4 MV	8 v	12 v
LM747 MWC	5.4171	RFQ	5421	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	주사위			LM747	1.7ma (x2 ()	-	2		웨이퍼	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1		0.5V/µs		25 MA	범용	1.5MHz	80 NA	1 MV	10 v	44 v
TLC27M4IPW	1.7200	RFQ	413	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			TLC27M4	570µa (x4 채널)	-	4		14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	90		0.62V/µs		30 MA	범용	525 kHz	0.7 PA	1.1 MV	4 v	16 v
OPA837IDBVR	2.7800	RFQ	9350	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SOT-23-6			OPA837	592µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-6	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		105V/µs			전압 전압	50MHz	340 NA	30 µV	2.7 v	5.4 v
tlv2462aidr	1.9125	RFQ	3617	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLV2462	550µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		1.6V/µs		80 MA	범용	6.4 MHz	1.3 NA	500 µV	2.7 v	6 v
LM6144BIMX/NOPB	8.1100	RFQ	6	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LM6144	750µa (x4 채널)	철도 철도 레일	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		25V/µs		22 MA	범용	18 MHz	174 Na	1.3 MV	1.8 v	24 v
LM101AH	21.9900	RFQ	738	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C		구멍을 구멍을	TO-99-8 9 캔			LM101	1.8ma	-	1		To-99-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	500		0.5V/µs			범용	1MHz	30 na	700 µV	10 v	44 v
TLV2381IDBVT	2.4400	RFQ	9192	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			TLV2381	7µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250		0.06V/µs		400 µA	범용	160 kHz	1 PA	500 µV	2.7 v	16 v
INA125UA/2K5	6.8300	RFQ	9660	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			INA125	460µA	-	1		16-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		0.2V/µs	150 kHz	12 MA	수단		10 na	50 µV	2.7 v	36 v
lm301an	-	RFQ	9662	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			LM301	1.8ma	-	1		8-PDIP	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	lm301anns	귀 99	8542.33.0001	40		0.5V/µs		30 MA	범용	1MHz	70 NA	2 MV	10 v	44 v
LPV511MGX	-	RFQ	7764	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353			LPV511	1.2µA	철도 철도 레일	1		SC-70-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		0.0077V/µs		1.3 MA	범용	25 kHz	320 PA	200 µV	2.7 v	12 v
TLE2144IDW	6.6700	RFQ	9090	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C		표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			TLE2144	6.9ma (x4 ()	철도 철도 레일	4		16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	40		45V/µs		50 MA	범용	5.9 MHz	700 NA	290 µV	4 v	44 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

선형 (16030)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²