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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
opa1678idgkt	1.0400	RFQ	2176	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			OPA1678	2MA (x2 2)	철도 철도 레일	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250		9V/µs		50 MA	오디오	16MHz	10 PA	500 µV	4.5 v	36 v
TLC1079ID	9.0812	RFQ	4458	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC1079	29µA (x4 채널)	-	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		0.032V/µs		30 MA	CMOS	110 kHz	1 PA	180 µV	3 v	16 v
TLV9352IDR	1.0300	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLV9352	650µA (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		20V/µs		60 MA	범용	3.5MHz	10 PA	350 µV	4.5 v	40 v
OPA644U	4.1400	RFQ	7917	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				18MA	-	1		8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.33.0001	1		2500V/µs		75 MA	현재 현재		20 µA	2.5 MV	9 v	11 v
TLC2201CD	6.7800	RFQ	1	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC2201	1.1ma	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		2.7V/µs		50 MA	범용	1.9 MHz	1 PA	100 µV	4.6 v	16 v
LM6171AIMX/NOPB	6.3700	RFQ	7766	텍사스 텍사스	VIP ™ III	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LM6171	2.5MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		3600V/µs	160MHz	116 MA	전압 전압	100MHz	1 µA	1.5 MV	5.5 v	34 v
ISO124U/1K	21.8800	RFQ	6266	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비), 8 개의 리드			ISO124	5MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000		2V/µs	50 kHz	15 MA	격리			20 MV	9 v	36 v
TLC2202CDR	4.3230	RFQ	5216	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC2202	5.6MA (x2 ()	철도 철도 레일	2		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		2.7V/µs		50 MA	CMOS	1.9 MHz	4 µA	2 MV	4.6 v	16 v
INA213CIDCKR	1.4700	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			INA213	65µA	-	1		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		0.4V/µs			현재의 현재의	80 kHz	28 µA	5 µV	2.7 v	26 v
opa363idr	-	RFQ	8822	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA363	1.1ma	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		5V/µs		85 MA	범용	7 MHz	1 PA	500 µV	1.8 v	5.5 v
buf634p	-	RFQ	7115	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			BUF634	15MA	-	1		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		2000V/µs	180MHz	250 MA	완충기		5 µA	30MV	4.5 v	36 v
INA213AirSWR	1.2200	RFQ	2	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	10-ufqfn			INA213	65µA	-	1		10-uqfn (1.8x1.4)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		0.4V/µs			현재의 현재의	80 kHz	28 µA	5 µV	2.7 v	26 v
opa4141aidr	2.8845	RFQ	5455	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA4141	1.8ma (x4 ()	철도 철도 레일	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		20V/µs		36 MA	J-FET	10MHz	2 PA	1 MV	4.5 v	36 v
LM124JB	-	RFQ	3917	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14-CDIP (0.300 ", 7.62mm)				1.4ma	푸시 푸시, 풀	4		14-CDIP	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-LM124JB	귀 99	8542.33.0001	1		0.5V/µs		30 MA	범용	1.2 MHz	20 NA	3 MV	3 v	32 v
OPA2277UAE4	-	RFQ	3808	텍사스 텍사스	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA2277	790µa (x2 채널)	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		0.8V/µs		35 MA	범용	1MHz	4 NA	20 µV	4 v	36 v
LM2900NE4	0.2400	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)				6.2MA (x4 ()	-	4		14-PDIP	다운로드					귀 99	8542.33.0001	1		20V/µs		18 MA	범용	2.5MHz	30 na		4.4 v	32 v
TL441AMJB	-	RFQ	7258	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인		-	구멍을 구멍을	16-CDIP (0.300 ", 7.62mm)	로그 로그							16-CDIP	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-TL441AMJB	귀 99	8542.33.0001	1
opa3695idbqr	-	RFQ	5108	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	16-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA3695	12.9ma (x3 채널)	-	3		16-SSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		2400V/µs	1GHz	120 MA	현재 현재	1 kHz	20 µA	300 µV	3.5 v	12 v
TLV2731CDBVT	1.5800	RFQ	199	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			TLV2731	850µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250		1.6V/µs		50 MA	범용	2 MHz	1 PA	700 µV	2.7 v	10 v
TLC2274AMJB	36.0800	RFQ	67	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14-CDIP (0.300 ", 7.62mm)				4.8ma (x4 ()	철도 철도 레일	4		14-CDIP	다운로드					귀 99	8542.33.0001	1		3.6V/µs		50 MA	범용	2.25 MHz	1 PA	300 µV	4.4 v	16 v
INA128UAG4	-	RFQ	2377	텍사스 텍사스	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			INA128	700µA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		4V/µs	1.3 MHz	15 MA	수단		2 NA	25 µV	4.5 v	36 v
TPA005D12DCA	-	RFQ	8282	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비) 노출 패드	d. d	음소거, 및 단락 열 보호 보호, 셧다운	TPA005		스테레오 스테레오 2 헤드폰이있는 (스테레오)		4.5V ~ 5.5V	48-HTSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	40											2W x 2 @ 4ohm
TLV2442QDGKRQ1	1.0500	RFQ	5539	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			TLV2442	750µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		1.4V/µs		50 MA	CMOS	1.81 MHz	1 PA	300 µV	2.7 v	10 v
5962-9851503QCA	-	RFQ	2402	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인													다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-5962-9851503QCA			1
LM7171AIMX	-	RFQ	3237	텍사스 텍사스	VIP ™ III	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LM7171	6.5MA	-	1		8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		4100V/µs	220MHz	118 MA	전압 전압	200MHz	2.7 µA	200 µV	5.5 v	36 v
TLC2652AI-8D	8.6000	RFQ	159	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC2652	1.5MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		3.1V/µs		50 MA	제로 제로	1.9 MHz	4 PA	0.5 µV	3.8 v	16 v
INA4290A5IRGVR	8.1700	RFQ	7	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	16-vqfn q 패드				1.25MA (x4 채널)	-	4		16-VQFN (4x4)	다운로드	적용 적용 수 할	2 (1 년)			귀 99	8542.33.0001	2,500		2V/µs			현재의 현재의	1.1 MHz	20 µA	6 µV	2.7 v	20 v
TPA0202PWP	5.9200	RFQ	157	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	24-powertssop (0.173 ", 4.40mm 너비)	AB	Depop, 멀티플렉서 입력, 음소거, 셧다운, 열 보호	TPA0202		스테레오 스테레오 2 헤드폰이있는 (스테레오)		3V ~ 5.5V	24-HTSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	60											2.2wx 2 @ 3ohm
TL064BCDG4	-	RFQ	4965	텍사스 텍사스	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TL064	200µa (x4 ()	-	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		3.5V/µs			J-FET	1MHz	30 PA	2 MV	10 v	30 v
TL592B-8DR	1.6400	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		미분	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TL592	18 MA	미분	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	± 3V ~ 8V	-	50MHz	4 MA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

선형 (16030)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²