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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
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OPA2604AU	-	RFQ	1579	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA260	10.5ma (x2 ()	미분	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75	25V/µs		35 MA	범용	20MHz	100 PA	1 MV	9 v	48 v
opa277aidrmtg4	-	RFQ	4723	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8-vdfn d 패드			OPA277	790µA	-	1		8-vson (4x4)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250	0.8V/µs		35 MA	범용	1MHz	500 PA	35 µV	4 v	36 v
LPV358DRG4	-	RFQ	8980	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LPV358	15µa (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	0.1V/µs		72 MA	범용	237 kHz	2 NA	1.5 MV	2.7 v	5 v
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TPA3101D2RGZR	4.8660	RFQ	4670	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-vfqfn 노출 패드	d. d	차동 차동, 입력, 단락 및 열 보호 보호, 종료	TPA3101		2 채널 (스테레오)		10V ~ 26V	48-VQFN (7x7)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										10W x 2 @ 8ohm
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LMV821M5/NOPB	1.6300	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753			LMV821	300µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000	2V/µs		45 MA	범용	5.6 MHz	100 NA	3.5 MV	2.5 v	5.5 v
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LM4665ITL/NOPB	1.4200	RFQ	650	텍사스 텍사스	부머 ®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	9-WFBGA, DSBGA	AB	Depop, 입력 차동, 단락 보호, 종료	LM4665		1 채널 (모노)		2.7V ~ 3.8V	9-DSBGA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250										1.4W x 1 @ 8ohm
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LMV751M5X	-	RFQ	4815	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753			LMV751	600µA	-	1		SOT-23-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000	2.3V/µs		20 MA	범용	5 MHz	1.5 PA	50 µV	2.7 v	5 v
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opa1622idrct	7.3600	RFQ	297	텍사스 텍사스	SoundPlus ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	10-vfdfn 노출 패드			OPA1622	2.6MA (x2 ()	-	2		10-vson (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250	10V/µs		145 MA	오디오	32 MHz	1.2 µA	100 µV	4 v	36 v
TLV2442AQPWG4	-	RFQ	5796	텍사스 텍사스	AEC-Q100, LINCMOS ™	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			TLV244	750µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	150	1.4V/µs		50 MA	CMOS	1.81 MHz	1 PA	300 µV	2.7 v	10 v
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OPA564AQDWPRQ1	7.9200	RFQ	6658	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	20-Soic (0.295 ", 7.50mm 너비) 노출 패드			OPA564	39ma	-	1		20-HSOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000	40V/µs		1.5 a	범용	17 MHz	10 PA	2 MV	7 v	24 v
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LMH6646MA/NOPB	3.7100	RFQ	47	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LMH6646	725µa (x2 채널)	푸시 푸시, 풀 투 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	95	22V/µs	55MHz	20 MA	전압 전압		650 NA	1 MV	2.5 v	12 v
TLE2082AID	4.9700	RFQ	9491	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLE2082	3.1ma (x2 ()	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75	40V/µs		48 MA	J-FET	10MHz	20 PA	700 µV	4.5 v	38 v
TLC27M2IDR	1.1900	RFQ	5	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC27M2	285µA (x2 채널)	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	0.62V/µs		30 MA	CMOS	635 kHz	0.7 PA	1.1 MV	4 v	16 v
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TL084ACDRE4	-	RFQ	1790	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TL084	1.4ma (x4 ()	-	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	13V/µs		10 MA	J-FET	3MHz	30 PA	3 MV	10 v	30 v
TLC2274ID	3.0100	RFQ	34	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC2274	4.8ma (x4 ()	철도 철도 레일	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50	3.6V/µs		50 MA	범용	2.25 MHz	1 PA	300 µV	4.4 v	16 v
OPA2244UA/2K5	2.8500	RFQ	410	텍사스 텍사스	MicroAmplifier ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA2244	40µa (x2 ()	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	0.1V/µs		25 MA	범용	430kHz	10 na	700 µV	2.2 v	36 v
OPA890IDBVTG4	-	RFQ	5662	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	SOT-23-6			OPA890	1.1ma	-	1		SOT-23-6	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250	500V/µs	260MHz		전압 전압	130MHz	100 NA	1 MV	3 v	12 v
opa637bm	59.9400	RFQ	127	텍사스 텍사스	difet®	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-25 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	TO-99-8 9 캔			OPA637	7ma	-	1		To-99-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	20	135V/µs		45 MA	범용	80MHz	1 PA	40 µV	9 v	36 v
5962-1721401VXC	-	RFQ	3397	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-5962-1721401VXC			1
TLC252CP	4.8678	RFQ	8198	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TLC252	1.9ma (x2 ()	-	2		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50	2.9V/µs			CMOS	2.2 MHz	0.6 PA	1.1 MV	1.4 v	16 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

선형 (16030)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²