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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
TLV2474IN	4.1500	RFQ	139	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TLV2474	600µA (x4 채널)	철도 철도 레일	4		14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	25	1.5V/µs		35 MA	CMOS	2.8 MHz	2.5 PA	250 µV	2.7 v	6 v
RC4558PSRG4	-	RFQ	3869	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			RC4558	2.5MA (x2 ()	미분	2		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,000	1.7V/µs		10 MA	범용	3MHz	150 NA	500 µV	10 v	30 v
THS3125CDG4	-	RFQ	9136	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			THS312	8.4ma (x2 ()	-	2		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	150	1550V/µs	160MHz	440 MA	현재 현재	138 MHz	6 µA	4.4 MV	10 v	30 v
PGA203KPG4	-	RFQ	2256	텍사스 텍사스	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	-25 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)			PGA203	6.5MA	-	1		14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	25	20V/µs	1MHz	10 MA	수단		10 PA	500 µV	12 v	36 v
INA125UA/2K5	6.8300	RFQ	9660	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			INA125	460µA	-	1		16-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500	0.2V/µs	150 kHz	12 MA	수단		10 na	50 µV	2.7 v	36 v
LMH6609MF/NOPB	3.6200	RFQ	6	텍사스 텍사스	VIP10 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			LMH6609	7ma	-	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	1,000	1400V/µs	900MHz	90 MA	전압 전압		2 µA	800 µV	6 v	12 v
AMC1311QDWVRQ1	7.5600	RFQ	1420	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인		-	표면 표면	8- SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	격리		AMC1311					8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	1,000
TLV2371IPG4	-	RFQ	5262	텍사스 텍사스	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TLV2371	750µA	철도 철도 레일	1		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	50	2.1V/µs		16 MA	범용	3MHz	1 PA	2 MV	2.7 v	16 v
TLE2022ACP	4.0017	RFQ	2359	텍사스 텍사스	Excalibur ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TLE2022	550µa (x2 채널)	-	2		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	50	0.65V/µs		30 MA	범용	2.8 MHz	33 NA	120 µV	4 v	40 v
TLV2772IDGKR	2.9900	RFQ	9	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			TLV2772	1MA (x2 2)	철도 철도 레일	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500	10.5V/µs		50 MA	CMOS	5.1 MHz	2 PA	500 µV	2.5 v	5.5 v
LMH6612MAX/NOPB	2.5900	RFQ	1474	텍사스 텍사스	LMH®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LMH6612	3.3ma (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500	460V/µs	365 MHz	120 MA	범용	130MHz	6.5 µA	95 µV	2.7 v	11 v
LMV1032UP-06/NOPB	2.4800	RFQ	6834	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	4-XFBGA, DSBGA	AB	마이크로폰	LMV1032		1 채널 (모노)		1.7V ~ 5V	4-DSBGA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	250										-
LM4861M/NOPB	1.6600	RFQ	6	텍사스 텍사스	부머 ®	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AB	종료, 보호 열	LM4861		1 채널 (모노)		2V ~ 5.5V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	95										1.5W x 1 @ 8ohm
THS4275DRBT	4.6636	RFQ	5253	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-vdfn d 패드			THS4275	22MA	-	1		8) (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	250	1000V/µs	1.4GHz	160 MA	전압 전압	400MHz	6 µA	5 MV	5 v	15 v
OPA743NA/3KG4	-	RFQ	9203	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			OPA743	1.1ma	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	3,000	10V/µs		20 MA	범용	7 MHz	1 PA	1.5 MV	3.5 v	12 v
OPA847IDBVTG4	-	RFQ	9190	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SOT-23-6			OPA847	18.1MA	-	1		SOT-23-6	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	250	950V/µs		100 MA	전압 전압	3.9 GHz	19 µA	100 µV	5 v	12 v
THS3121IDRG4	-	RFQ	9953	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			THS312	7ma	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500	1700V/µs	130MHz	490 MA	현재 현재		3 µA	2 MV	10 v	30 v
OPA4743EA/250G4	-	RFQ	4617	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			OPA4743	1.1ma (x4 ()	철도 철도 레일	4		14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	250	10V/µs		20 MA	CMOS	7 MHz	1 PA	1.5 MV	3.5 v	12 v
opa373aidbvtg4	-	RFQ	8192	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SOT-23-6			OPA373	585µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-6	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	250	5V/µs			범용	6.5 MHz	0.5 PA	1 MV	2.3 v	5.5 v
THS3111CD	4.1712	RFQ	8589	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			THS3111	4.8ma	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	75	1300V/µs	100MHz	260 MA	현재 현재		1.5 µA	3 MV	10 v	30 v
TPA0233DGQ	4.3900	RFQ	22	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	10-powertfsop, 10-msop (0.118 ", 3.00mm 너비)	AB	Depop, 셧다운	TPA0233		스테레오 스테레오 1 헤드폰이있는 (모노)		2.5V ~ 5.5V	10-HVSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	80										2W x 1 @ 4ohm; 92mw x 2 @ 32ohm
TLV2404IN	3.2204	RFQ	6130	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TLV2404	900NA (x4 ()	철도 철도 레일	4		14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	25	0.0025V/µs		200 µA	범용	5.5 kHz	100 PA	390 µV	2.5 v	16 v
LM48410SQ/NOPB	2.6600	RFQ	8787	텍사스 텍사스	부머 ®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	24-wfqfn q 패드	d. d	3d, Depop, dep 입력, pwm, 단락 보호, 종료	LM48410		2 채널 (스테레오)		2.4V ~ 5.5V	24-WQFN (4x4)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	1,000										2.3W x 2 @ 4ohm
LM49200TL/NOPB	4.1100	RFQ	8741	텍사스 텍사스	부머 ®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	20-UFBGA, DSBGA	AB	Depop, 입력 차동, i²c, 셧다운, 열 보호, 볼륨 제어	LM49200		스테레오 스테레오 2 헤드폰이있는 (스테레오)		2.7V ~ 5.5V	20-DSBGA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	250										1.25W x 2 @ 8ohm; 38MW x 2 @ 32ohm
LMC6572BIM/NOPB	-	RFQ	8822	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TJ)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LMC6572	160µa (x2 채널)	푸시 푸시, 풀 투 레일	2		8-SOIC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	95	0.09V/µs		6 MA	범용	220 kHz	10 PA	500 µV	2.7 v	11 v
tlc085ain	3.5759	RFQ	5521	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TLC085	1.9ma (x4 ()	-	4		16-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	25	19V/µs		57 MA	범용	10MHz	3 PA	390 µV	4.5 v	16 v
THS4131CDGNR	5.3550	RFQ	6794	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드			THS4131	12.3MA	미분	1		8-HVSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500	52V/µs	150MHz	85 MA	미분	225 MHz	2 µA	200 µV	4 v	33 v
TLV9001SIDBVR	0.5900	RFQ	11	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SOT-23-6			TLV9001	60µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	3,000	2V/µs		40 MA	CMOS	1MHz	5 PA	400 µV	1.8 v	5.5 v
opa4171aidr	2.7300	RFQ	7441	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA4171	475µA (x4 채널)	철도 철도 레일	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500	1.5V/µs		35 MA	범용	3MHz	8 PA	250 µV	2.7 v	36 v
THS4011CD	6.7900	RFQ	53	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			THS4011	7.8ma	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	75	310V/µs	290MHz	110 MA	전압 전압	290MHz	2 µA	1 MV	9 v	32 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

선형 (16030)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²