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선형 (16030)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
LMP7716Q MWA	2.0296	RFQ	5409	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100, LMP®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	주사위			LMP7716	1.3ma (x2 ()	철도 철도 레일	2		웨이퍼	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1		11.5V/µs		66 MA	범용	17 MHz	0.1 PA	10 µV	1.8 v	5.5 v
TLC27L1BIP	0.4200	RFQ	5	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)				14µA	-	1		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1		0.03V/µs		30 MA	CMOS	110MHz	0.7 PA	1.1 MV	4 v	16 v
LM4876MX/NOPB	1.5000	RFQ	8544	텍사스 텍사스	부머 ®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AB	종료, 보호 열	LM4876		1 채널 (모노)		2V ~ 5.5V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500											1.5W x 1 @ 8ohm
TLV9061SIDBVR	0.7900	RFQ	4	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	SOT-23-6			TLV9061	538µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		6.5V/µs		50 MA	CMOS	10MHz		300 µV	1.8 v	5.5 v
5962-9555201Q2A	-	RFQ	2323	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인													다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-5962-9555201Q2A			1
opa333aid	3.1000	RFQ	3	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA333	17µA	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		0.16V/µs		5 MA	제로 제로	350 kHz	70 PA	2 µV	1.8 v	5.5 v
opa2170aid	-	RFQ	3785	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA2170	110µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		0.4V/µs		20 MA	범용	1.2 MHz	8 PA	250 µV	2.7 v	36 v
opa1682idsgr	-	RFQ	1260	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인													-	Rohs3 준수	1 (무제한)		296-OPA1682IDSGR			1
TLE2021AIDG4	-	RFQ	2635	텍사스 텍사스	Excalibur ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLE202	240µA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		0.65V/µs		20 MA	범용	1.7 MHz	25 NA	80 µV	4 v	40 v
5962-0254701QPA	-	RFQ	9270	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인													다운로드	Rohs3 준수			296-5962-0254701QPA			1
LMH6682MA/NOPB	2.8900	RFQ	247	텍사스 텍사스	LMH®	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LMH6682	6.5MA (x2 ()	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	95		940V/µs	190 MHz	85 MA	전압 전압	120MHz	5 µA	1 MV	3 v	12 v
TLE2062CP	3.5200	RFQ	4060	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TLE2062	625µa (x2 채널)	-	2		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		3.4V/µs		80 MA	J-FET	2 MHz	4 PA	900 µV	7 v	36 v
TLV172IDBVR	1.5300	RFQ	4777	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			TLV172	1.6MA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		10V/µs		75 MA	범용	10MHz	10 PA	500 µV	4.5 v	36 v
opa859idsgt	5.9000	RFQ	155	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8-Wfdfn d 패드 패드			OPA859	21ma	미분	1		8-wson (2x2)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250		1150V/µs	1.8GHz	105 MA	범용	900MHz	0.5 PA	900 µV	3.3 v	5.25 v
tl082ipwr	0.9100	RFQ	5	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			TL082	1.4ma (x2 ()	-	2		8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000		13V/µs		10 MA	J-FET	3MHz	30 PA	3 MV	10 v	30 v
TLV2254AQDR	-	RFQ	8991	텍사스 텍사스	AEC-Q100, LINCMOS ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLV225	140µa (x4 채널)	철도 철도 레일	4		14 -Soic	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		0.12V/µs		50 MA	범용	200 kHz	1 PA	200 µV	2.7 v	8 v
TLE2022CDG4	-	RFQ	2274	텍사스 텍사스	Excalibur ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLE202	550µa (x2 채널)	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		0.65V/µs		30 MA	범용	2.8 MHz	35 NA	150 µV	4 v	40 v
LM4674ATLX/NOPB	0.6945	RFQ	6632	텍사스 텍사스	BOOMER®, PowerWise®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	16-WFBGA, DSBGA	d. d	Depop, 입력 차동, pwm, 단락 보호, 종료	LM4674		2 채널 (스테레오)		2.4V ~ 5.5V	16-DSBGA (2.5x2.12)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000											2.5W x 2 @ 4ohm
LM101 MDR	-	RFQ	3583	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	주사위				-	푸시 푸시, 풀	1		주사위	다운로드	Rohs3 준수			296-LM101MDR	귀 99	8542.33.0001	1		300V/µs			범용	250 kHz	30 na		10 v	44 v
lmh5401irmst	18.2300	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-Ufqfn			LMH5401	55MA	-	1		14-UQFN (2.5x2.5)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250		17500V/µs	6.2GHz		미분	8GHz			3.15 v	5.25 v
THS4061CDR	2.2920	RFQ	1700	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			THS4061	7.8ma	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		400V/µs	180MHz	115 MA	전압 전압		3 µA	2.5 MV	9 v	33 v
TL054CDBRE4	-	RFQ	1763	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	14-SSOP (0.209 ", 5.30mm 너비)			TL054	8.4ma (x4 ()	-	4		14-ssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000		17.8V/µs		80 MA	J-FET	2.7 MHz	30 PA	560 µV	10 v	30 v
LPV321M7/NOPB	1.2500	RFQ	9	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353			LPV321	9µA	철도 철도 레일	1		SC-70-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000		0.1V/µs			범용	152 kHz	2 NA	1.5 MV	2.7 v	5 v
LMH6720MF	-	RFQ	4232	텍사스 텍사스	VIP10 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		현재 현재	표면 표면	SOT-23-6			LMH6720	5.6 MA	-	1		SOT-23-6	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000	8V ~ 12.5V, ± 4V ~ 6.25V	1800V/µs	400MHz	70 MA
OPA3691IDBQT	11.3000	RFQ	209	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	16-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA3691	15.3MA	-	3		16-SSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250		2100V/µs	280MHz	190 MA	현재 현재	280MHz	5 µA	800 µV	5 v	12 v
opa363idrg4	-	RFQ	5537	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA363	1.1ma	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		5V/µs		85 MA	범용	7 MHz	1 PA	500 µV	1.8 v	5.5 v
THS4140ID	10.4600	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			THS4140	13.2MA	미분	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		450V/µs	160MHz	85 MA	미분	205 MHz	5.1 µA	1 MV	4 v	33 v
opa657ub	14.4700	RFQ	7196	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA657	14ma	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		700V/µs	350MHz	70 MA	전압 전압	1.6GHz	1 PA	100 µV	8 v	12 v
TLC084CPWP	2.2003	RFQ	4128	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	20-powertssop (0.173 ", 4.40mm 너비)			TLC084	1.9ma (x4 ()	-	4		20-HTSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	70		19V/µs		57 MA	범용	10MHz	3 PA	390 µV	4.5 v	16 v
LPV324M/NOPB	1.5900	RFQ	493	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LPV324	28µA (x4 ()	철도 철도 레일	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	55		0.1V/µs		16 MA	범용	152 kHz	2 NA	1.5 MV	2.7 v	5 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

선형 (16030)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²