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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
OPA4343UA/2K5	2.6955	RFQ	1462	텍사스 텍사스	MicroAmplifier ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA4343	850µa (x4 채널)	철도 철도 레일	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		6V/µs		50 MA	CMOS	5.5MHz	0.2 PA	2 MV	2.5 v	5.5 v
OPA847IDBVTG4	-	RFQ	9190	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SOT-23-6			OPA847	18.1MA	-	1		SOT-23-6	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250		950V/µs		100 MA	전압 전압	3.9 GHz	19 µA	100 µV	5 v	12 v
opa2333aidgkr	4.0800	RFQ	5440	텍사스 텍사스	제로 제로	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			OPA2333	17µA (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		0.16V/µs		5 MA	CMOS, 제로,	350 kHz	70 PA	2 µV	1.8 v	5.5 v
TL054CNSR	1.4220	RFQ	9801	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			TL054	8.4ma (x4 ()	-	4		14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000		17.8V/µs		80 MA	J-FET	2.7 MHz	30 PA	560 µV	10 v	30 v
TAS2521IRGER	0.9900	RFQ	3519	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	24-vfqfn 노출 패드	d. d	i²c, 셧다운, 열 보호, 볼륨 제어	TAS2521		모노 모노 1 헤드폰이있는 (모노)		1.5V ~ 1.95V	24-VQFN (4x4)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000											2W x 1 @ 4ohm
LMV344MA/NOPB	1.9900	RFQ	375	텍사스 텍사스	LMV®	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LMV344	107µa (x4 채널)	철도 철도 레일	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	55		1V/µs		113 MA	CMOS	1MHz	0.02 PA	700 µV	2.7 v	5.5 v
THS3001ID	15.1100	RFQ	525	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			THS3001	6.6MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		6500V/µs	420 MHz		현재 현재	1.75GHz	2 µA	1 MV	9 v	33 v
lm358biddfr	0.4000	RFQ	3	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	SOT-23-8				300µA (x2 채널)	-	2		TSOT-23-8	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)		296-lm358biddfrtr	귀 99	8542.33.0001	3,000		0.5V/µs		30 MA	범용	1.2 MHz	10 na	300 µV	3 v	36 v
THS4221DGK	2.5023	RFQ	9270	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			THS4221	14ma	철도 철도 레일	1		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	80		990V/µs	230MHz	100 MA	전압 전압	120MHz	900 NA	3 MV	2.7 v	15 v
TAS5414BTPHDQ1	15.3861	RFQ	1771	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	64-tqfp q 패드	d. d	Depop, i²c, 음소거, 단락 및 열 보호, 종료	TAS5414		4 채널 (쿼드)		6V ~ 24V	64-HTQFP (14x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	90											150w x 2 @ 2ohm; 79W x 4 @ 4ohm
LP2902N	1.0700	RFQ	5204	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)			LP2902	150µA	-	4		14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	25		0.05V/µs		10 MA	범용	100 kHz	2 NA	2 MV	3 v	26 v
opa2334aidgstg4	-	RFQ	9347	텍사스 텍사스	제로 제로	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			OPA2334	285µA (x2 채널)	철도 철도 레일	2		10-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250		1.6V/µs		50 MA	제로 제로	2 MHz	70 PA	1 µV	2.7 v	5.5 v
BUF04701AIDGSR	3.1455	RFQ	6943	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다		tft-lcd d : 감마 버퍼	표면 표면	10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			BUF04701	1.1 MA	철도 철도 레일	4		10-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	3.5V ~ 12V, ± 1.75V ~ 6V	10V/µs	8 MHz	32 MA
LM4872ITP/NOPB	-	RFQ	8014	텍사스 텍사스	부머 ®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8-UFBGA	AB	종료, 보호 열	LM4872		1 채널 (모노)		2V ~ 5.5V	8-DSBGA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250											1W x 1 @ 8ohm
opa2300aidgsrg4	-	RFQ	3658	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			OPA2300	9.5MA (x2 채널)	-	2		10-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		80V/µs		70 MA	CMOS	150MHz	0.1 PA	1 MV	2.7 v	5.5 v
THS4141IDGK	7.8265	RFQ	4723	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			THS4141	13.2MA	미분	1		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	80		450V/µs	160MHz	85 MA	미분	205 MHz	5.1 µA	1 MV	4 v	33 v
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opa2170aid	-	RFQ	3785	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA2170	110µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		0.4V/µs		20 MA	범용	1.2 MHz	8 PA	250 µV	2.7 v	36 v
LM258DGKRG4	-	RFQ	7647	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			LM258	500µA (x2 채널)	-	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		0.3V/µs		40 MA	범용	700 kHz	20 NA	3 MV	3 v	32 v
lf411mwgrlqmlv	-	RFQ	8807	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	10-CSOIC (0.241 ", 6.12mm 너비)				-	아니요	1		10-cfp	다운로드	Rohs3 준수	공급 공급 정의되지 업체는		296-LF411MWGRLQMLV	귀 99	8542.33.0001	1		8V/µs		60 MA	J-FET	3MHz	200 PA		12 v	36 v
LM741C-MWC	0.3584	RFQ	2936	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	주사위			LM741	1.7ma	-	1		wafersale	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1		0.5V/µs		25 MA	범용	1.5MHz	80 NA	2 MV	10 v	36 v
TLE2024BMDWG4	-	RFQ	5840	텍사스 텍사스	Excalibur ™	튜브	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			TLE2024	1.05MA (x4 채널)	-	4		16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	40		0.7V/µs		40 MA	범용	2.8 MHz	35 NA	500 µV	4 v	40 v
TLV2455CPWG4	-	RFQ	5712	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			TLV245	23µA (x4 ()	철도 철도 레일	4		16-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	90		0.11v/µs		10 MA	범용	220 kHz	500 PA	300 µV	2.7 v	6 v
TLV2772AQDG4	-	RFQ	7178	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLV277	1MA (x2 2)	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		10.5V/µs		50 MA	CMOS	5.1 MHz	2 PA	360 µV	2.5 v	5.5 v
LM6132BIN	-	RFQ	1792	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			LM6132	390µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-PDIP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	40		14V/µs		3.5 MA	범용	11 MHz	125 NA	1.7 MV	1.8 v	24 v
TLV2442CDR	0.8895	RFQ	7625	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLV2442	750µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		1.4V/µs		50 MA	CMOS	1.81 MHz	1 PA	300 µV	2.7 v	10 v
LMH6725MT/NOPB	-	RFQ	1532	텍사스 텍사스	LMH®	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			LMH6725	1ma (x4 4)	-	4		14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	94		600V/µs	370MHz	110 MA	현재 현재		2 µA	1 MV	4.5 v	12 v
TLE2142ID	3.6700	RFQ	6939	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLE2142	6.9ma (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		45V/µs		50 MA	범용	5.9 MHz	700 NA	290 µV	4 v	44 v
LM4849MH/NOPB	-	RFQ	3032	텍사스 텍사스	부머 ®	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	28-powertssop (0.173 ", 4.40mm 너비)	AB	Depop, 멀티플렉서 입력, 음소거, 셧다운, 열 보호, 볼륨 제어 제어	LM4849		스테레오 스테레오 2 헤드폰이있는 (스테레오)		2.7V ~ 5.5V	28-HTSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	48											2.2wx 2 @ 3ohm; 95MW x 2 @ 32ohm
TLE2071QDRQ1	-	RFQ	5639	텍사스 텍사스	AEC-Q100, Excalibur ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLE207	1.7ma	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		45V/µs		48 MA	J-FET	10MHz	20 PA	490 µV	4.5 v	38 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

선형 (16030)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²