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선형 (16030)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	요소 요소	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	전압- 오프셋 입력 (최대)	현재- 바이어스 입력 (최대)	현재- 유형 (출력)	현재 -Quiescent (최대)	CMRR, PSRR (TYP)	전파 전파 (지연)	히스테리시스	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
LME49713MAX/NOPB	-	RFQ	8422	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LME49713	8ma	-	1		8-SOIC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										1900V/µs		100 MA	오디오	132 MHz	1.8 µA	50 µV	10 v	36 v
TLV2434CD	2.7905	RFQ	1129	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLV2434	100µa (x4 ()	철도 철도 레일	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50										0.25V/µs		50 MA	CMOS	550 kHz	1 PA	300 µV	2.7 v	10 v
TAS5770BC0YFFT	-	RFQ	1322	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	30-UFBGA, DSBGA	d. d	-			1 채널 (모노)			30-DSBGA	-	Rohs3 준수			296-TAS5770BC0YFFT			1																			15.4W x 1 @ 4ohm
LMV796MF/NOPB	1.8600	RFQ	17	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753			LMV796	1.15MA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000										11.5V/µs		60 MA	범용	17 MHz	0.1 PA	100 µV	1.8 v	5.5 v
TLC082CDGNG4	-	RFQ	2005	텍사스 텍사스	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드			TLC082	1.9ma (x2 ()	-	2		8-HVSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	80										19V/µs		57 MA	범용	10MHz	3 PA	390 µV	4.5 v	16 v
opa182idt	3.1000	RFQ	72	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				850µA	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	적용 적용 수 할	2 (1 년)		296-OPA182IDTTR	귀 99	8542.33.0001	250										10V/µs	3.6 MHz	65 MA	제로 제로	5 MHz	50 PA	0.45 µV	4.5 v	36 v
TPA6010A4PWP	6.4566	RFQ	8120	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	28-powertssop (0.173 ", 4.40mm 너비)	AB	"	TPA6010		스테레오 스테레오 2 헤드폰이있는 (스테레오)		4.5V ~ 5.5V	28-HTSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50																			2.7W x 2 @ 3ohm
TPA0233DGQR	1.7475	RFQ	7210	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	10-powertfsop, 10-msop (0.118 ", 3.00mm 너비)	AB	Depop, 셧다운	TPA0233		스테레오 스테레오 1 헤드폰이있는 (모노)		2.5V ~ 5.5V	10-HVSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500																			2W x 1 @ 4ohm; 92mw x 2 @ 32ohm
lm358biddfr	0.4000	RFQ	3	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	SOT-23-8				300µA (x2 채널)	-	2		TSOT-23-8	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)		296-lm358biddfrtr	귀 99	8542.33.0001	3,000										0.5V/µs		30 MA	범용	1.2 MHz	10 na	300 µV	3 v	36 v
tlc27m2aidrg4	-	RFQ	4243	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC27M2	285µA (x2 채널)	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										0.62V/µs		30 MA	CMOS	635 kHz	0.7 PA	900 µV	4 v	16 v
LM393DGKRG4	0.4600	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)	미분		LM393		CMOS, MOS,, 드레인, TTL			8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	2	2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V	5MV @ 30V	0.25µA @ 5V	20MA	2.5MA	-	-	-
OPA2310SIRUGR	1.5900	RFQ	3	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	10-xfqfn				165µA (x2 채널)	푸시 푸시, 풀 투 레일	2		10-x2qfn (2x1.5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000										3V/µs		150 MA	범용	3MHz	1 PA	250 µV	1.5 v	5.5 v
OPA2340PAG4	-	RFQ	6253	텍사스 텍사스	마이크로 마이크로 ™	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			OPA2340	750µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50										6V/µs		50 MA	CMOS	5.5MHz	0.2 PA	150 µV	2.5 v	5.5 v
TLC254BCNE4	3.4700	RFQ	148	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TLC254	2.7ma (x4 ()	열린 열린	4		14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	25										4.5V/µs			CMOS	2.2 MHz	0.2 PA	340 µV	1.4 v	16 v
LMH6551mmx	-	RFQ	1692	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			LMH6551	12.5MA	미분	1		8-VSSOP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,500										2400V/µs	370MHz	65 MA	전압 전압		4 µA	500 µV	3 v	12 v
TLE2021ACPS	0.3700	RFQ	7	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)				240µA (x2 채널)	-	1		도 8-	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.33.0001	1										0.5V/µs		20 MA	범용	1.7 MHz	25 NA	150 µV	4 v	40 v
LM2904P-MAND	0.0900	RFQ	12	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)				500µA (x2 채널)	-	2		8-PDIP	-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.33.0001	1										0.3V/µs		40 MA	범용	700 kHz	20 NA	3 MV	3 v	26 v
INA2181A1QDGSRQ1	0.9000	RFQ	7	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			INA2181	356µA	철도 철도 레일	2		10-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										2V/µs	350 kHz		현재의 현재의	350 kHz	75 µA	100 µV	2.7 v	5.5 v
LF353PG4	-	RFQ	3336	텍사스 텍사스	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			LF353	3.6ma (x2 ()	-	2		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50										13V/µs		40 MA	J-FET	3MHz	50 PA	5 MV	7 v	36 v
TLE2082AID	4.9700	RFQ	9491	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLE2082	3.1ma (x2 ()	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75										40V/µs		48 MA	J-FET	10MHz	20 PA	700 µV	4.5 v	38 v
LMV824IDR	-	RFQ	3159	텍사스 텍사스	LMV®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LMV824	1MA	철도 철도 레일	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										1.9V/µs		45 MA	범용	5.5MHz	40 Na	1 MV	2.5 v	5.5 v
JL118BPA	-	RFQ	2204	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인												-	Rohs3 준수	공급 공급 정의되지 업체는		296-JL118BPA			1
TLE2074MJB	33.6800	RFQ	12	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	구멍을 구멍을	14-CDIP (0.300 ", 7.62mm)				3.1ma (x4 ()	-	4		14-CDIP	다운로드					귀 99	8542.33.0001	1										40V/µs		48 MA	J-FET	10MHz	20 PA	490 µV	4.5 v	38 v
TL072IDR	0.4400	RFQ	27	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TL072	1.4ma (x2 ()	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										13V/µs			J-FET	3MHz	65 PA	3 MV	10 v	30 v
LM4860MX/NOPB	1.9300	RFQ	2	텍사스 텍사스	부머 ®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AB	종료, 보호 열	LM4860		1 채널 (모노)		2.7V ~ 5.5V	16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500																			1.15W x 1 @ 8ohm
opa1656idr	3.0300	RFQ	9313	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA1656	3.9ma (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										24V/µs		100 MA	오디오	53MHz	10 PA	500 µV	4.5 v	36 v
TLE2061AMJGB	24.6600	RFQ	182	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	구멍을 구멍을	8-CDIP (0.300 ", 7.62mm)				290µA	-	1		8-CDIP	다운로드					귀 99	8542.33.0001	1										3.4V/µs		80 MA	J-FET	2 MHz	4 PA	500 µV	7 v	36 v
TLC271AIP	1.3400	RFQ	1865	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TLC271	950µA	-	1		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50										5.3V/µs		30 MA	범용	2.2 MHz	0.7 PA	900 µV	4 v	16 v
LMV321M5X/SL110546	-	RFQ	8005	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100, LMV®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753				130µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	-	Rohs3 준수			296-LMV321M5X/SL110546			1										1V/µs		160 MA	범용	1MHz	15 na	1.7 MV	2.7 v	5.5 v
LM2904p	0.4200	RFQ	10	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			LM2904	500µA (x2 채널)	-	2		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50										0.3V/µs		40 MA	범용	700 kHz	20 NA	3 MV	3 v	26 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

선형 (16030)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²