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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
TLV2462QPWRG4	-	RFQ	5141	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			TLV2462	550µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000		1.6V/µs		80 MA	범용	6.4 MHz	1.3 NA	500 µV	2.7 v	6 v
LM124D	1.3800	RFQ	6	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LM124	1.4ma (x4 ()	미분	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		0.5V/µs		30 MA	범용	1.2 MHz	20 NA	3 MV	3 v	30 v
ISO120G-BI	-	RFQ	6411	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	24-CDIP (0.300, 7.62mm), 16 개의 리드			ISO120	4MA	-	1		16-CDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	640		2V/µs	60 kHz	15 MA	격리			10 MV	9 v	36 v
opa695idr	4.8300	RFQ	2	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA695	12.9ma	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		4300V/µs	1.7GHz	120 MA	현재 현재		20 µA	300 µV	5 v	12 v
NE5534PSR	-	RFQ	2451	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			NE5534	4MA	-	1		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000		13V/µs		38 MA	범용	10MHz	500 NA	500 µV	10 v	30 v
TAS5103DAPR	3.5640	RFQ	7856	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	32-powertssop (0.240 ", 6.10mm 너비)	d. d	디지털 pwm m, 단락 및 열 보호	TAS5103		2 채널 (스테레오)		8V ~ 23V	32-HTSSOP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000											15W x 2 @ 8ohm
TAS5414CTPHDRQ1	13.3575	RFQ	4374	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		표면 표면	64-tqfp q 패드	d. d	Depop, i²c, 음소거, 단락 및 열 보호, 종료	TAS5414		4 채널 (쿼드)		6V ~ 24V	64-HTQFP (14x14)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000											23W x 4 @ 4ohm, 150w x 2 @ 2ohm
THS4150CDGN	12.1170	RFQ	6002	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드			THS4150	17.5MA	미분	1		8-HVSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	80		650V/µs	150MHz	85 MA	미분	340MHz	4.3 µA	1.1 MV	4 v	33 v
INA351CDSIDSGR	0.9500	RFQ	2	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-Wfdfn d 패드 패드				110µA	아니요	1		8-wson (2x2)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		0.2V/µs	100 kHz	20 MA	수단		0.65 PA	200 µV	1.8 v	5.5 v
OPA4703UAG4	-	RFQ	2047	텍사스 텍사스	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA4703	160µa (x4 채널)	철도 철도 레일	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		0.6V/µs		10 MA	CMOS	1MHz	1 PA	160 µV	4 v	12 v
THS4304DRG4	-	RFQ	8950	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			THS430	18MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		830V/µs	3GHz		전압 전압	870MHz	7 µA	500 µV	2.7 v	5 v
LMV1031UR-20/NOPB	1.7600	RFQ	5928	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	4-XFBGA, DSBGA	AB	마이크로폰	LMV1031		1 채널 (모노)		2V ~ 5V	4-DSBGA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250											-
OPA2188AQDGKRQ1	3.8500	RFQ	1203	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100, 제로 드리프트	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			OPA2188	450µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		0.8V/µs		18 MA	제로 제로	2 MHz	160 PA	6 µV	4 v	36 v
tlv2454cpwr	1.7220	RFQ	4550	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			TLV2454	23µA (x4 ()	철도 철도 레일	4		14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000		0.11v/µs		10 MA	범용	220 kHz	500 PA	300 µV	2.7 v	6 v
INA215CIRSWR	0.4770	RFQ	8882	텍사스 텍사스	제로 제로	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	10-ufqfn			INA215	65µA	-	1		10-uqfn (1.8x1.4)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		0.4V/µs			현재의 현재의	40 kHz	28 µA	1 µV	2.7 v	26 v
opa4313ipwr	1.7300	RFQ	5863	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			OPA4313	50µA (x4 ()	철도 철도 레일	4		14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000		0.5V/µs		15 MA	CMOS	1MHz	0.2 PA	500 µV	1.8 v	5.5 v
LME49810TB/NOPB	-	RFQ	2415	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		구멍을 구멍을	to-247ae-15 형성 리드 리드	AB	음소거, 보호 열	LME49810		1 채널 (모노)		± 20V ~ 100V	TO-247-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	24											300W x 1 @ 8ohm
TL5580IDE4	-	RFQ	3668	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TL558	6MA	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		5V/µs		50 MA	범용	12MHz	100 NA	300 µV	4 v	32 v
THS4500IDGNRG4	-	RFQ	2513	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드			THS4500	23MA	미분	1		8-HVSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		2800V/µs	370MHz		미분	300MHz	4 µA	4 MV	4.5 v	15 v
DRV602PW	2.7800	RFQ	19	텍사스 텍사스	DirectPath ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	AB	Depop, 입력 차동, 단락 보호, 종료	DRV602		2 채널 (스테레오)		3V ~ 5.5V	14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	90											-
ISO224ADWV	16.7800	RFQ	5649	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인		자동차	표면 표면	8- SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	외딴		ISO224					8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	296-52317	귀 99	8542.33.0001	64
OPA2277UG4	-	RFQ	8270	텍사스 텍사스	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA2277	790µa (x2 채널)	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		0.8V/µs		35 MA	범용	1MHz	500 PA	10 µV	4 v	36 v
THS4012CDG4	-	RFQ	5646	텍사스 텍사스	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			THS4012	7.8ma	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		310V/µs	290MHz	110 MA	전압 전압	290MHz	2 µA	1 MV	9 v	32 v
TL074BCNSR	-	RFQ	4490	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			TL074	1.4ma (x4 ()	-	4		14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000		13V/µs			J-FET	3MHz	65 PA	2 MV	10 v	30 v
TLV2460AQDRG4	-	RFQ	4681	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLV246	550µA	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		1.6V/µs		80 MA	범용	6.4 MHz	1.3 NA	500 µV	2.7 v	6 v
THS4271DRBR	-	RFQ	8219	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-vdfn d 패드			THS427	22MA	-	1		8) (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		1000V/µs	1.4GHz	160 MA	전압 전압	400MHz	6 µA	5 MV	5 v	15 v
TLV316IDBVR	0.9300	RFQ	5	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			TLV316	400µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		6V/µs			범용	10MHz	10 PA	750 µV	1.8 v	5.5 v
lm321lvidckr	0.2600	RFQ	2978	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353			LM321	90µA	-	1		SC-70-5	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		1.5V/µs		40 MA	범용	1MHz	15 PA		2.7 v	5.5 v
THS7316DRG4	-	RFQ	7839	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다		완충기	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			THS7316	19.3 MA	철도 철도 레일	3		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	2.85V ~ 5.5V	-	36 MHz	90 MA
OPA4354AIPWRG4	-	RFQ	5319	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			OPA4354	4.9ma (x4 ()	철도 철도 레일	4		14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		150V/µs	250MHz	100 MA	CMOS	100MHz	3 PA	2 MV	2.5 v	5.5 v

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일일 평균 RFQ 볼륨
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표준 제품 단위
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전 세계 제조업체
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재고 창고

선형 (16030)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²