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선형 (16030)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	요소 요소	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	전압- 오프셋 입력 (최대)	현재- 바이어스 입력 (최대)	현재- 유형 (출력)	현재 -Quiescent (최대)	CMRR, PSRR (TYP)	전파 전파 (지연)	히스테리시스	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
opa397dbvr	2.0300	RFQ	9728	텍사스 텍사스	e-trim ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	SC-74A, SOT-753				1.22MA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)		296-OPA397DBVRTR	귀 99	8542.33.0001	3,000										4.5V/µs		65 MA	범용	13MHz	0.01 PA	10 MV	1.7 v	5.5 v
TLE2142IDRSV	-	RFQ	9522	텍사스 텍사스	Excalibur ™	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				6.9ma	푸시 푸시, 풀 투 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수			296-TLE2142IDRSV			1										45V/µs		50 MA	범용	5.9 MHz	700 NA	290 µV	4 v	44 v
DRV612RGTR	0.4350	RFQ	2407	텍사스 텍사스	DirectPath ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	16-vfqfn 노출 패드	AB	데포, 단락, 음소거 및 열 보호	DRV612		2 채널 (스테레오)		3V ~ 3.6V	16-VQFN (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000																			-
TL054AIDRE4	-	RFQ	4515	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TL054	8.4ma (x4 ()	-	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										17.8V/µs		80 MA	J-FET	2.7 MHz	30 PA	500 µV	10 v	30 v
OPA2333SKGD2	-	RFQ	1361	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100, 제로 드리프트	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				17µA (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-SOIC	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-OPA2333SKGD2			1										160MV/µs		5 MA	CMOS, 제로,	350 kHz	70 PA	2 µV	1.8 v	5.5 v
op27afkb	-	RFQ	2428	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	20-Clcc				-	-	1		20-LCCC (8.89x8.89)	다운로드					귀 99	8542.33.0001	1										2.8V/µs		30 MA	범용	8 MHz	10 na	10 µV	8 v	44 v
TLV3402CDGK	3.0900	RFQ	6991	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)	범용		TLV3402		CMOS, 오픈,			8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	80	2	2.5V ~ 16V, ± 1.25V ~ 8V	3.6MV @ 15V	250pa @ 15V	10MA	950NA	88dB CMRR, 105dB PSRR	300µs	-
opa2380aidgktg4	-	RFQ	3307	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			OPA2380	7.5MA (x2 ()	-	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250										80V/µs		150 MA	트랜스 임피던스	90MHz	3 PA	4 µV	2.7 v	5.5 v
TAS5758LRSMT	-	RFQ	4076	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인												-	Rohs3 준수			296-TAS5758LRSMT			1
LF398AN	-	RFQ	9936	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			LF398	4.5MA	-	1		8-PDIP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	40										-			샘플과 샘플과		10 na	1 MV	10 v	36 v
LMV844QMAX-B/NOPB	-	RFQ	1551	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100, LMV®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				1.03MA (x4 채널)	철도 철도 레일	4		14 -Soic	-	Rohs3 준수			296-LMV844QMAX-B/NOPB			1										2.5V/µs		37 MA	범용	4.5MHz	0.3 PA	50 µV	2.7 v	12 v
TLV9064IRTER	1.5700	RFQ	30	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	16-wfqfn q 패드			TLV9064	538µa (x4 채널)	철도 철도 레일	4		16-WQFN (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000										6.5V/µs		50 MA	CMOS	10MHz	0.5 PA	300 µV	1.8 v	5.5 v
TLV9002QDRQ1	0.5800	RFQ	2	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLV9002	60µa (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-SOIC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										2V/µs		40 MA	범용	1MHz	5 PA	400 µV	1.8 v	5.5 v
LF356N/NOPB	1.1500	RFQ	25	텍사스 텍사스	BI-FET ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			LF356	5MA	-	1		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	40										12V/µs			J-FET	5 MHz	30 PA	3 MV	30 v	30 v
LM148FKB	-	RFQ	5352	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인												-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-LM148FKB			1
TLE2061AIDG4	-	RFQ	8758	텍사스 텍사스	Excalibur ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLE206	290µA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75										3.4V/µs		80 MA	J-FET	2 MHz	4 PA	500 µV	7 v	36 v
TLE2062MDG4	-	RFQ	5801	텍사스 텍사스	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLE2062	625µa (x2 채널)	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75										3.4V/µs		80 MA	J-FET	2 MHz	4 PA	900 µV	7 v	36 v
tlv2475ipwr	2.4100	RFQ	4	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)				600µA (x4 채널)	철도 철도 레일	4		16-TSSOP	다운로드	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.33.0001	2,000										1.5V/µs		35 MA	CMOS	2.8 MHz	2.5 PA	250 µV	2.7 v	6 v
TLV9361IDBVR	0.9600	RFQ	11	텍사스 텍사스	TLV936X	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	SC-74A, SOT-753				2.6MA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)			귀 99	8542.33.0001	3,000										25V/µs		60 MA	범용	10.6 MHz	10 PA	400 µV	4.5 v	40 v
opa1642aid	2.9200	RFQ	3	텍사스 텍사스	SoundPlus ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA1642	1.8ma (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75										20V/µs		36 MA	오디오	11 MHz	2 PA	1 MV	4.5 v	36 v
TL074MFKB	-	RFQ	4665	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-Clcc				1.4ma	아니요	4		20-LCCC (8.89x8.89)	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-TL074MFKB	귀 99	8542.33.0001	1										13V/µs			범용	3MHz	65 PA	3 MV	10 v	30 v
OPA635N/250	2.0200	RFQ	3	텍사스 텍사스	SpeedPlus ™	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	SOT-23-6			OPA635	12MA	-	1		SOT-23-6	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250										250V/µs	150MHz	100 MA	전압 전압	140MHz	25 µA	3 MV	2.7 v	10.5 v
LM293DR	0.4400	RFQ	14	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	미분		LM293		CMOS, MOS,, 드레인, TTL			8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	2	2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V	5MV @ 30V	0.25µA @ 5V	20MA	2.5MA	-	-	-
LMC7211BIM/NOPB	1.6900	RFQ	526	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	범용		LMC7211		푸시 푸시			8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	95	1	2.7V ~ 15V, ± 1.35V ~ 7.5V	15MV @ 5V	0.04pa @ 5V	30ma	14µA	75dB CMRR, 80dB PSRR	10µs	-
THS4082IDGNG4	-	RFQ	1998	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드			THS408	3.4ma (x2 ()	-	2		8-HVSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	80										230V/µs	175 MHz	85 MA	전압 전압		1.2 µA	1 MV	10 v	30 v
LMP2012WGLLQMLV	-	RFQ	6777	텍사스 텍사스	LMP®	쟁반	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	10-CSOIC (0.241 ", 6.12mm 너비)				930µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		10-cfp	-	Rohs3 준수	공급 공급 정의되지 업체는		296-LMP2012WGLLQMLV	귀 99	8542.33.0001	1										4V/µs		17 MA	범용	3MHz	3 PA	36 µV	2.7 v	5 v
INA2180A3IDSGT	1.3200	RFQ	750	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8-Wfdfn d 패드 패드			INA2180	355µA	철도 철도 레일	2		8-wson (2x2)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	296-INA2180A3IDSGTTR	귀 99	8542.33.0001	250										2V/µs	150 kHz		현재의 현재의		80 µA	100 µV	2.7 v	5.5 v
opa660au	4.8600	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA660	26MA	-	1		8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	100										3000V/µs	850MHz	15 MA	초전도		2.1 µA	10 MV	9 v	11 v
LMV7239M7/E7001398	-	RFQ	4495	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	범용				푸시 푸시, 풀 투 레일			SC-70-5	-	Rohs3 준수			296-LMV7239M7/E7001398			1	1	2.7V ~ 5.5V	6MV @ 5V	0.4PA @ 5V	55ma @ 5V	95µA	67dB, 85dB PSRR		-
TLV9161IDBVR	0.9700	RFQ	1	텍사스 텍사스	TLV916X	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	SC-74A, SOT-753				2.48ma	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	-	적용 적용 수 할	1 (무제한)			귀 99	8542.33.0001	3,000										33V/µs		73 MA	범용	11 MHz	10 PA	210 µV	2.7 v	16 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

선형 (16030)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²