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선형 (16030)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	요소 요소	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	전압- 오프셋 입력 (최대)	현재- 바이어스 입력 (최대)	현재- 유형 (출력)	현재 -Quiescent (최대)	CMRR, PSRR (TYP)	전파 전파 (지연)	히스테리시스	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
LPC661IM	-	RFQ	6344	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LPC661	58µA	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	95										0.11v/µs		40 MA	범용	350 kHz	0.002 PA	1 MV	4.75 v	15.5 v
TLV9152SIRUGR	1.6900	RFQ	31	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	10-xfqfn			TLV9152	560µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		10-x2qfn (2x1.5)	-	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	296-TLV9152SIRUGRTR	귀 99	8542.33.0001	3,000										20V/µs		75 MA	범용	4.5MHz	10 PA	125 µV	2.7 v	16 v
5962-0051205QHA	-	RFQ	9457	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-5962-0051205QHA			1
LMP7707MAX/NOPB	1.7655	RFQ	4681	텍사스 텍사스	LMP®, Powerwise®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LMP7707	790µA	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										5.9V/µs		86 MA	범용	15MHz	0.2 PA	37 µV	2.7 v	12 v
LM111H/883	-	RFQ	1437	텍사스 텍사스	LM111	쟁반	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	TO-99-8 9 캔	범용				오픈-수집가			To-99-8	다운로드	Rohs3 준수	공급 공급 정의되지 업체는		296-LM111H/883	귀 99	8542.39.0001	1	1	5V ~ 30V, ± 2.5V ~ 15V	3MV @ ± 15V	0.1µa @ ± 15V	-	5MA, 6MA	80dB CMRR	200ns (타이핑)	-
lm339m	1.6000	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	범용		LM339		CMOS, DTL, ECL, MOS, Open-Collector, TTL			14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	55	4	2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V	5MV @ 30V	0.25µA @ 5V	16MA @ 5V	2.5MA	-	-	-
opa4863pwr	3.4800	RFQ	2	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)				700µa (x4 채널)	푸시 푸시, 풀 투 레일	4		14-tssop	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000										105V/µs	110MHz	45 MA	기준	50MHz	300 NA	400 µV	2.7 v	12.6 v
TLV9002SIYCKR	0.9100	RFQ	21	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	9-BGA, DSBGA				60µa (x2 ()	철도 철도 레일	2		9-DSBGA (1x1)	-	적용 적용 수 할	1 (무제한)			귀 99	8542.33.0001	3,000										2V/µs		40 MA	CMOS	1MHz	5 PA	400 µV	1.8 v	5.5 v
INA191A1IYFDR	1.5600	RFQ	5216	텍사스 텍사스	제로 제로	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	6-XFBGA, DSBGA			INA191	43MA	철도 철도 레일	1		6-DSBGA (1.17x0.77)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000										0.3V/µs			현재의 현재의	45 kHz	100 PA	2.5 µV	1.7 v	5.5 v
LMV641MAE/NOPB	2.6000	RFQ	386	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LMV641	158µA	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250										2.6V/µs		112 MA	범용	10MHz	70 NA	30 µV	2.7 v	12 v
5962-9564003QPA	25.8000	RFQ	230	텍사스 텍사스	AEC-Q100, LINCMOS ™	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	구멍을 구멍을	8-CDIP (0.300 ", 7.62mm)				80µa (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-CDIP	다운로드					귀 99	8542.33.0001	1										0.12V/µs		50 MA	범용	210 kHz	1 PA	200 µV	4.4 v	16 v
TLV6700DSER	1.9900	RFQ	3	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-WFDFN	창문		TLV6700		오픈 오픈			6-wson (1.5x1.5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	2	1.8V ~ 18V	-	0.025µA	-	13µA	-	18µs	12MV
opa4387pwr	5.6700	RFQ	7291	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)				570µa (x4 채널)	철도 철도 레일	4		14-tssop	다운로드	적용 적용 수 할	2 (1 년)		296-OPA4387PWRTR	귀 99	8542.33.0001	3,000										2.8V/µs		55 MA	제로 제로	5.7 MHz	30 PA	250 µV	1.7 v	5.5 v
LM2904LVQDGKRQ1	0.4200	RFQ	3	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)				90µa (x2 채널)	-	2		8-VSSOP	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)		296-LM2904LVQDGKRQ1TR	귀 99	8542.33.0001	2,500										1.5V/µs		40 MA	범용	1MHz	15 PA	1 MV	2.7 v	5.5 v
SE5534FKB	-	RFQ	2531	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-Clcc				4MA	-	1		20-LCCC (8.89x8.89)	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.33.0001	1										13V/µs		38 MA	범용	10MHz	400 NA	500 µV	10 v	30 v
INA350CDSIDSGR	0.7000	RFQ	3	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8-Wfdfn d 패드 패드				100µA	철도 철도 레일	1		8-wson (2x2)	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)		296-INA350CDSIDSGRTR	귀 99	8542.33.0001	3,000										0.24V/µs	100 kHz	20 MA	수단		0.65 PA	200 µV	1.7 v	5.5 v
TPA6133A2RTJT	1.6700	RFQ	250	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	20-wfqfn q 패드	AB	Depop, 입력 차동	TPA6133		2 채널 (스테레오)		2.5V ~ 5.5V	20-QFN (4x4)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250																			142mw x 2 @ 16ohm
VCA8500IRGCT	48.7875	RFQ	4070	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	64-vfqfn 노출 패드			VCA8500	10µA	미분	8		64-VQFN (9x9)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250										-	55MHz	20 MA	가변 가변	15MHz		1 MV	3.15 v	5.25 v
INA290A3IDCKR	2.9500	RFQ	2	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353			INA290	370µA	-	1		SC-70-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	296-INA290A3IDCKRTR	귀 99	8542.33.0001	3,000										2V/µs	900 kHz		현재의 현재의		20 µA	3 µV	2.7 v	20 v
LM6172-MDE	-	RFQ	8285	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	주사위				-	아니요	2		주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		296-LM6172-MDE	귀 99	8542.33.0001	1										3000V/µs		60 MA	전압 전압	80MHz	4 µA		5.5 v	36 v
TLE2141MD	2.8200	RFQ	346	텍사스 텍사스	Excalibur ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLE2141	3.5MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75										45V/µs		50 MA	범용	5.9 MHz	700 NA	200 µV	4 v	44 v
LM6211MF/NOPB	3.8400	RFQ	3	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753			LM6211	1.05MA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000										5.6V/µs		38 MA	범용	20MHz	2 PA	250 µV	5 v	24 v
5962-9088108QPA	-	RFQ	6739	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-5962-908108QPA			1
INA4290A5IRGVR	8.1700	RFQ	7	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	16-vqfn q 패드				1.25MA (x4 채널)	-	4		16-VQFN (4x4)	다운로드	적용 적용 수 할	2 (1 년)			귀 99	8542.33.0001	2,500										2V/µs			현재의 현재의	1.1 MHz	20 µA	6 µV	2.7 v	20 v
LM224NE4	0.2010	RFQ	5477	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)				1.4ma	푸시 푸시, 풀	4		14-PDIP	-	Rohs3 준수			296-LM224NE4	귀 99	8542.33.0001	25										0.5V/µs		30 MA	범용	1.2 MHz	20 NA	3 MV	3 v	32 v
opa659idrbr	4.4775	RFQ	8229	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8-vdfn d 패드			OPA659	32MA	-	1		8) (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000										2550V/µs	650MHz	70 MA	J-FET	350MHz	10 PA	1 MV	7 v	13 v
LM48556TLX/NOPB	1.5015	RFQ	6318	텍사스 텍사스	부머 ®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	12-WFBGA, DSBGA	AB	Depop, 입력 차동, 종료	LM48556		1 채널 (모노)		2.7V ~ 4.5V	12-DSBGA (2x2.5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000																			-
LMC7211BIMX/NOPB	1.3300	RFQ	3	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	범용		LMC7211		푸시 푸시			8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	1	2.7V ~ 15V, ± 1.35V ~ 7.5V	15MV @ 5V	0.04pa @ 5V	30ma	14µA	75dB CMRR, 80dB PSRR	10µs	-
INA281B5IDBVR	2.4800	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	SC-74A, SOT-753			INA281	1.5MA	-	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	296-INA281B5IDBVRCT	귀 99	8542.33.0001	3,000										2.5V/µs			현재의 현재의	900 kHz	20 µA	15 µV	2.7 v	20 v
TLE2142MDG4	-	RFQ	4312	텍사스 텍사스	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLE2142	6.9ma (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75										45V/µs		50 MA	범용	5.9 MHz	700 NA	290 µV	4 v	44 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

선형 (16030)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²