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선형 (16030)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	요소 요소	기능	표준	제어 제어	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	전압- 오프셋 입력 (최대)	현재- 바이어스 입력 (최대)	현재- 유형 (출력)	현재 -Quiescent (최대)	CMRR, PSRR (TYP)	전파 전파 (지연)	히스테리시스	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
lm393tlx	-	RFQ	8404	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8-WFBGA, DSBGA	범용		LM393		CMOS, DTL, ECL, MOS, Open-Collector, TTL			8-DSBGA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	2				2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V	5MV @ 30V	0.25µA @ 5V	16MA @ 5V	2.5MA	-	700ns	-
LMH1983SQX/NOPB	24.1785	RFQ	6937	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		전문 전문	표면 표면	40-wfqfn q 패드			LMH1983				3.3V ~ 3.6V	40-WQFN (6x6)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500		발전기	NTSC, 친구	i²c
LM293DRG3	0.5400	RFQ	14	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	미분		LM293		CMOS, MOS,, 드레인, TTL			8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	2				2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V	5MV @ 30V	0.25µA @ 5V	20MA	2.5MA	-	-	-
LM2901PWRG3	0.4400	RFQ	7	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	미분		LM2901		CMOS, MOS,, 수집가, TTL			14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	4				2V ~ 30V, ± 1V ~ 15V	7MV @ 30V	0.25µA @ 5V	20MA	2.5MA	-	-	-
lm393ps	0.9400	RFQ	2	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)	미분		LM393		CMOS, MOS,, 드레인, TTL			도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	80	2				2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V	5MV @ 30V	0.25µA @ 5V	20MA	2.5MA	-	-	-
OPA684IDG4	1.7700	RFQ	4073	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA684	1.7ma	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75													820V/µs	210MHz	160 MA	현재 현재	1.9GHz	5 µA	1.5 MV	5 v	12 v
TLE2141ACDG4	-	RFQ	9253	텍사스 텍사스	Excalibur ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLE214	3.5MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75													45V/µs		50 MA	범용	5.9 MHz	700 NA	175 µV	4 v	44 v
LMV824MTX	1.4250	RFQ	2787	텍사스 텍사스	LMV®	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			LMV824	1ma (x4 4)	철도 철도 레일	4		14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500													2V/µs		45 MA	범용	5.6 MHz	40 Na	1 MV	2.5 v	5.5 v
UA747CNE4	0.7715	RFQ	4386	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)				1.7ma (x2 ()	아니요	2		14-PDIP	-	Rohs3 준수			296-UA747CNE4	귀 99	8542.33.0001	25													0.5V/µs		25 MA	범용		80 NA	1 MV	7 v	36 v
INA4290A5IRGVT	7.0062	RFQ	5063	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	16-vqfn q 패드				1.25MA (x4 채널)	-			16-VQFN (4x4)	다운로드	적용 적용 수 할	2 (1 년)		296-INA4290A5IRGVTTR	귀 99	8542.33.0001	250													2V/µs	800 kHz		현재의 현재의		20 µA	6 µV	2.7 v	20 v
INA280A5IDCKT	1.9059	RFQ	9456	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353				370µA	-	1		SC-70-5	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)		296-INA280A5IDCKTTR	귀 99	8542.33.0001	250													2V/µs	800 kHz		현재의 현재의		20 µA	15 µV	2.7 v	20 v
LM393APWRE4	-	RFQ	9485	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	미분		LM393		CMOS, MOS,, 드레인, TTL			8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	2				2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V	2MV @ 30V	0.25µA @ 5V	20MA	2.5MA	-	-	-
TL34072AD	1.3100	RFQ	970	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				3.5MA (x4 ()	-	2		8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.33.0001	1													13V/µs	200 kHz	30 MA	범용	4.5MHz	1 PA	300 µV	4 v	44 v
LM833DGKT	1.3800	RFQ	2	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			LM833	2.05MA (x2 채널)	-	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250													7V/µs		37 MA	오디오	16MHz	300 NA	150 µV	10 v	36 v
lmc6036imx	-	RFQ	6427	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LMC6036	1.3ma (x4 ()	차동, 대 철도 레일	4		14 -Soic	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500													1.5V/µs		8 MA	CMOS	1.4 MHz	0.02 PA	500 µV	2 v	15.5 v
5962-9460201QPA	-	RFQ	8335	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인													다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-5962-9460201QPA			1
INA190A2NDDFREP	8.2000	RFQ	2	텍사스 텍사스	제로 제로	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TA)		표면 표면	SOT-23-8				48µA	-	1		TSOT-23-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000													1V/µs	37 kHz		현재의 현재의		500 PA	3 µV	1.7 v	5.5 v
SR1617ABA6DBT	1.0400	RFQ	8442	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인													-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는	2156-SR1617ABA6DBT	귀 99	8542.39.0001	1
TLE2662IDW	1.1900	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)				625µa (x2 채널)	-	2		16-	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.33.0001	1													3.4V/µs		80 MA	범용	2 MHz	4 PA	900 µV	3.5 v	15 v
AMC1311CQDWVRQ1	-	RFQ	5585	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	대부분	활동적인		자동차	표면 표면	8- SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	격리							8-SOIC	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)		296-AMC1311CQDWVRQ1			1
LM7322MAX/NOPB	3.0600	RFQ	9810	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LM7322	2.5MA (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500													18V/µs		100 MA	범용	20MHz	1.1 µA	700 µV	2.5 v	32 v
INA186A2QDCKRQ1	1.6500	RFQ	15	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			INA186	48µA	철도 철도 레일	1		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000													0.3V/µs			현재의 현재의	37 kHz	500 PA	3 µV	1.7 v	5.5 v
v62/05611-01ye	3.4416	RFQ	7467	텍사스 텍사스	*	테이프 & tr (TR)	활동적인													-	Rohs3 준수			296-v62/05611-01yetr			2,500
OPA3691IDBQTG4	-	RFQ	8937	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	16-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA3691	15.3MA	-	3		16-SSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250													2100V/µs	280MHz	190 MA	현재 현재	280MHz	5 µA	800 µV	5 v	12 v
TLV2231CDBVRG4	-	RFQ	6191	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			TLV223	850µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000													1.6V/µs		50 MA	범용	2 MHz	1 PA	710 µV	2.7 v	10 v
opa4277hfr/em	-	RFQ	4709	텍사스 텍사스	-	쟁반	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-cflatpack				790µa (x4 채널)	아니요	4		14-cfp	-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-OPA4277HFR/EM	귀 99	8542.33.0001	1													0.8V/µs		35 MA	범용	1MHz	17.5 NA	20 µV	4 v	36 v
LM393ADGKR	0.4400	RFQ	27	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)	미분		LM393		CMOS, MOS,, 드레인, TTL			8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	2				2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V	2MV @ 30V	0.25µA @ 5V	20MA	2.5MA	-	-	-
LM98620VHB/NOPB	22.5000	RFQ	107	텍사스 텍사스	-	쟁반	활동적인		소비자 소비자	표면 표면	80-TQFP			LM98620				3.0V ~ 3.6V	80-TQFP (12x12)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	119		프로세서	-	연속물
TAS2764YBHR	1.1985	RFQ	5110	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	30-XFBGA, DSBGA	d. d	-			1 채널 (모노)		1.65V ~ 1.95V	30-DSBGA (2.48x2.13)	-	적용 적용 수 할	1 (무제한)		296-TAS2764YBHRTR	귀 99	8542.33.0001	3,000																						15.4W x 1 @ 4ohm
atopa4343na/2k5	2.1200	RFQ	7	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인													-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.33.0001	2,500

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

선형 (16030)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²