전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 특징 | 기본 기본 번호 | 전류 - 공급 | 출력 출력 | 회로 회로 | 전압 - 공급 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 요소 요소 | 전압- 단일, 공급/듀얼 (±) | 전압- 오프셋 입력 (최대) | 현재- 바이어스 입력 (최대) | 현재- 유형 (출력) | 현재 -Quiescent (최대) | CMRR, PSRR (TYP) | 전파 전파 (지연) | 히스테리시스 | 슬림 슬림 | -3dB 대역폭 | 현재 - 채널 / 출력 | 증폭기 증폭기 | 대역폭 대역폭 얻습니다 | 전류 - 바이어스 입력 | 전압 - 오프셋 입력 | 전압- 범위 공급 (최소) | 전압- 범위 공급 (최대) | load |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | OPA337UAG4 | - | ![]() | 9138 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | MicroAmplifier ™ | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | OPA337 | 525µA | 철도 철도 레일 | 1 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 75 | 1.2V/µs | 9 MA | 범용 | 3MHz | 0.2 PA | 500 µV | 2.7 v | 5.5 v | ||||||||||||||||
![]() | TLC081ID | 2.0400 | ![]() | 8898 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | TLC081 | 1.9ma | - | 1 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 75 | 19V/µs | 57 MA | 범용 | 10MHz | 2 PA | 390 µV | 4.5 v | 16 v | ||||||||||||||||
![]() | INA333SKGD1 | 102.3750 | ![]() | 5149 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 210 ° C | - | 주사위 | INA333 | 50µA | 철도 철도 레일 | 1 | 0-Xcept | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 240 | 0.16V/µs | 150 kHz | 40 MA | 수단 | 70 PA | 10 µV | 1.8 v | 5.5 v | ||||||||||||||||
![]() | THS4041IDRQ1 | 3.9930 | ![]() | 8571 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | THS4041 | 8ma | - | 1 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 2,500 | 400V/µs | 165 MHz | 100 MA | 전압 전압 | 2.5 µA | 2.5 MV | 9 v | 32 v | ||||||||||||||||
![]() | INA217AIP | - | ![]() | 7129 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 구멍을 구멍을 | 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) | INA217 | 10MA | - | 1 | 8-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 50 | 15V/µs | 3.4 MHz | 60 MA | 수단 | 2 µA | 50 µV | 9 v | 36 v | ||||||||||||||||
tlv274idr | 1.5700 | ![]() | 17 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | TLV274 | 550µA (x4 채널) | 철도 철도 레일 | 4 | 14 -Soic | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 2,500 | 2.6V/µs | 8 MA | 범용 | 3MHz | 1 PA | 500 µV | 2.7 v | 16 v | |||||||||||||||||
![]() | TLV2322ID | 1.9419 | ![]() | 1991 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Lincmos ™ | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | TLV2322 | 20µa (x2 () | - | 2 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 75 | 0.03V/µs | 30 MA | CMOS | 85 kHz | 0.6 PA | 1.1 MV | 2 v | 8 v | ||||||||||||||||
![]() | THS4226DGQR | - | ![]() | 6382 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 10-powertfsop, 10-msop (0.118 ", 3.00mm 너비) | THS422 | 14MA (x2 2) | 철도 철도 레일 | 2 | 10-HVSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 2,500 | 990V/µs | 230MHz | 100 MA | 전압 전압 | 120MHz | 900 NA | 3 MV | 2.7 v | 15 v | |||||||||||||||
![]() | LMH6517SQE/NOPB | 15.4900 | ![]() | 151 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 이동 이동 | 표면 표면 | 32-wfqfn 노출 패드 | ADC 드라이버 | LMH6517 | 32-WQFN (5x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 250 | ||||||||||||||||||||||||||
OPA4234U | - | ![]() | 1529 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | OPA4234 | 275µA (x4 채널) | - | 4 | 14 -Soic | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 50 | 0.2V/µs | 22 MA | 범용 | 350 kHz | 12 NA | 70 µV | 2.7 v | 36 v | |||||||||||||||||
![]() | THS4221DGN | 2.2100 | ![]() | 5520 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드 | THS4221 | 14ma | 철도 철도 레일 | 1 | 8-HVSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 80 | 990V/µs | 230MHz | 100 MA | 전압 전압 | 120MHz | 900 NA | 3 MV | 2.7 v | 15 v | |||||||||||||||
![]() | TLC252ACD | 4.5267 | ![]() | 6135 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Lincmos ™ | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | TLC252 | 1.9ma (x2 () | - | 2 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 75 | 2.9V/µs | CMOS | 2.2 MHz | 1 PA | 900 µV | 1.4 v | 16 v | |||||||||||||||||
![]() | TLE2064CNG4 | - | ![]() | 5568 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 구멍을 구멍을 | 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) | TLE2064 | 1.25MA (x4 채널) | - | 4 | 14-PDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 25 | 3.4V/µs | 80 MA | J-FET | 2 MHz | 4 PA | 900 µV | 7 v | 36 v | ||||||||||||||||
![]() | BUF08821BIPWPR | 2.5080 | ![]() | 4646 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | tft-lcd d : gamma 버퍼, vcom 드라이버 | 표면 표면 | 20-powertssop (0.173 ", 4.40mm 너비) | BUF08821 | 4.6 MA | 철도 철도 레일 | 8 | 20-HTSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 9V ~ 20V | - | 30 MA | |||||||||||||||||||||
![]() | opa453faktwt | 8.0500 | ![]() | 137 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA | OPA453 | 5.5MA | - | 1 | DDPAK/TO-263-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 250 | 38V/µs | 50 MA | 범용 | 7.5 MHz | 7 PA | 1 MV | 20 v | 80 v | ||||||||||||||||
![]() | opa830idr | 1.7085 | ![]() | 7963 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | OPA830 | 4.25MA | - | 1 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 2,500 | 600V/µs | 310 MHz | 85 MA | 전압 전압 | 110MHz | 5 µA | 1.5 MV | 2.8 v | 11 v | |||||||||||||||
LM2903QPWRG4Q1 | 0.6000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | 미분 | LM2903 | CMOS, MOS,, 수집가, TTL | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 2 | 2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V | 7MV @ 5V | 0.25µA @ 5V | 20MA | 2.5MA | - | - | - | |||||||||||||||||
![]() | lm4890mm/nopb | 1.8000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | 부머 ® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) | AB | Depop, 열, 셧다운 보호 | LM4890 | 1 채널 (모노) | 2.2V ~ 5.5V | 8-VSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 1,000 | 1W x 1 @ 8ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | TLC271ACD | 1.3200 | ![]() | 383 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Lincmos ™ | 튜브 | 마지막으로 마지막으로 | 0 ° C ~ 70 ° C | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | TLC271 | 950µA | - | 1 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 75 | 5.3V/µs | 30 MA | 범용 | 2.2 MHz | 0.7 PA | 900 µV | 3 v | 16 v | ||||||||||||||||
![]() | LMH6622 MDC | - | ![]() | 3809 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | LMH® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 주사위 | LMH6622 | 4.3ma (x2 () | 미분 | 2 | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 374 | 85V/µs | 160MHz | 90 MA | 전압 전압 | 4.7 µA | 200 µV | 5 v | 12 v | ||||||||||||||||
INA163UAE4 | - | ![]() | 5112 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | INA163 | 10MA | - | 1 | 14 -Soic | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 50 | 15V/µs | 800 kHz | 60 MA | 수단 | 2 µA | 50 µV | 9 v | 36 v | |||||||||||||||||
![]() | OPA353UA/2K5 | 1.6875 | ![]() | 7820 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | MicroAmplifier ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | OPA353 | 5.2MA | 철도 철도 레일 | 1 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 2,500 | 22V/µs | 40 MA | 범용 | 44 MHz | 0.5 PA | 3 MV | 2.5 v | 5.5 v | ||||||||||||||||
OPA4703UA | 8.2887 | ![]() | 8743 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | OPA4703 | 160µa (x4 채널) | 철도 철도 레일 | 4 | 14 -Soic | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 50 | 0.6V/µs | 10 MA | CMOS | 1MHz | 1 PA | 160 µV | 4 v | 12 v | |||||||||||||||||
![]() | LM4895IBP/NOPB | - | ![]() | 4842 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | 부머 ® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 9-VFBGA | AB | Depop, 입력 차동, 셧다운, 열 보호 | LM4895 | 1 채널 (모노) | 2.2V ~ 5.5V | 9-DSBGA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 250 | 1.4W x 1 @ 4ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | TPA6130A2RTJR | 1.5500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | DirectPath ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 20-wfqfn q 패드 | AB | Depop, 입력 차동, i²c, 음소거, 단락 및 열 보호, 셧다운, 볼륨 제어 제어 | TPA6130 | 헤드폰, 2 채널 (스테레오) | 2.5V ~ 5.5V | 20-QFN (4x4) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 3,000 | 290mw x 1 @ 16ohm; 138mw x 2 @ 16ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | LM339ANSR | 0.5500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C | 표면 표면 | 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | 미분 | LM339 | CMOS, MOS,, 수집가, TTL | 14- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 4 | 2V ~ 30V, ± 1V ~ 15V | 3MV @ 30V | 0.25µA @ 5V | 20MA | 2.5MA | - | - | - | ||||||||||||||||
![]() | TLC2654Q-8DG4 | - | ![]() | 6461 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Lincmos ™ | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | TLC265 | 1.5MA | - | 1 | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 1,000 | 3.7V/µs | 50 MA | 범용 | 1.9 MHz | 50 PA | 5 µV | 4.6 v | 16 v | ||||||||||||||||
opa2211aidrgr | 7.5510 | ![]() | 4988 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 8-Wfdfn d 패드 패드 | OPA2211 | 3.6ma (x2 () | 철도 철도 레일 | 2 | 8) (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 3,000 | 27V/µs | 45 MA | 범용 | 80MHz | 60 NA | 30 µV | 4.5 v | 36 v | |||||||||||||||||
![]() | RM4559LB | 4.8800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLC075CPWP | 3.2183 | ![]() | 8605 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 20-powertssop (0.173 ", 4.40mm 너비) | TLC075 | 2.1ma (x4 () | - | 4 | 20-HTSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 70 | 19V/µs | 57 MA | CMOS | 10MHz | 1.5 PA | 390 µV | 4.5 v | 16 v |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고