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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 전류 - 공급 출력 출력 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 요소 요소 전압- 단일, 공급/듀얼 (±) 전압- 오프셋 입력 (최대) 현재- 바이어스 입력 (최대) 현재- 유형 (출력) 현재 -Quiescent (최대) CMRR, PSRR (TYP) 전파 전파 (지연) 히스테리시스 슬림 슬림 -3dB 대역폭 현재 - 채널 / 출력 증폭기 증폭기 대역폭 대역폭 얻습니다 전류 - 바이어스 입력 전압 - 오프셋 입력 전압- 범위 공급 (최소) 전압- 범위 공급 (최대) load
OPA337UAG4 Texas Instruments OPA337UAG4 -
RFQ
ECAD 9138 0.00000000 텍사스 텍사스 MicroAmplifier ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) OPA337 525µA 철도 철도 레일 1 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 75 1.2V/µs 9 MA 범용 3MHz 0.2 PA 500 µV 2.7 v 5.5 v
TLC081ID Texas Instruments TLC081ID 2.0400
RFQ
ECAD 8898 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TLC081 1.9ma - 1 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 75 19V/µs 57 MA 범용 10MHz 2 PA 390 µV 4.5 v 16 v
INA333SKGD1 Texas Instruments INA333SKGD1 102.3750
RFQ
ECAD 5149 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 210 ° C - 주사위 INA333 50µA 철도 철도 레일 1 0-Xcept 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 240 0.16V/µs 150 kHz 40 MA 수단 70 PA 10 µV 1.8 v 5.5 v
THS4041IDRQ1 Texas Instruments THS4041IDRQ1 3.9930
RFQ
ECAD 8571 0.00000000 텍사스 텍사스 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) THS4041 8ma - 1 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,500 400V/µs 165 MHz 100 MA 전압 전압 2.5 µA 2.5 MV 9 v 32 v
INA217AIP Texas Instruments INA217AIP -
RFQ
ECAD 7129 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) INA217 10MA - 1 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 50 15V/µs 3.4 MHz 60 MA 수단 2 µA 50 µV 9 v 36 v
TLV274IDR Texas Instruments tlv274idr 1.5700
RFQ
ECAD 17 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TLV274 550µA (x4 채널) 철도 철도 레일 4 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,500 2.6V/µs 8 MA 범용 3MHz 1 PA 500 µV 2.7 v 16 v
TLV2322ID Texas Instruments TLV2322ID 1.9419
RFQ
ECAD 1991 0.00000000 텍사스 텍사스 Lincmos ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TLV2322 20µa (x2 () - 2 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 75 0.03V/µs 30 MA CMOS 85 kHz 0.6 PA 1.1 MV 2 v 8 v
THS4226DGQR Texas Instruments THS4226DGQR -
RFQ
ECAD 6382 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 10-powertfsop, 10-msop (0.118 ", 3.00mm 너비) THS422 14MA (x2 2) 철도 철도 레일 2 10-HVSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,500 990V/µs 230MHz 100 MA 전압 전압 120MHz 900 NA 3 MV 2.7 v 15 v
LMH6517SQE/NOPB Texas Instruments LMH6517SQE/NOPB 15.4900
RFQ
ECAD 151 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 이동 이동 표면 표면 32-wfqfn 노출 패드 ADC 드라이버 LMH6517 32-WQFN (5x5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 250
OPA4234U Texas Instruments OPA4234U -
RFQ
ECAD 1529 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) OPA4234 275µA (x4 채널) - 4 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 50 0.2V/µs 22 MA 범용 350 kHz 12 NA 70 µV 2.7 v 36 v
THS4221DGN Texas Instruments THS4221DGN 2.2100
RFQ
ECAD 5520 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드 THS4221 14ma 철도 철도 레일 1 8-HVSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 80 990V/µs 230MHz 100 MA 전압 전압 120MHz 900 NA 3 MV 2.7 v 15 v
TLC252ACD Texas Instruments TLC252ACD 4.5267
RFQ
ECAD 6135 0.00000000 텍사스 텍사스 Lincmos ™ 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TLC252 1.9ma (x2 () - 2 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 75 2.9V/µs CMOS 2.2 MHz 1 PA 900 µV 1.4 v 16 v
TLE2064CNG4 Texas Instruments TLE2064CNG4 -
RFQ
ECAD 5568 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLE2064 1.25MA (x4 채널) - 4 14-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 25 3.4V/µs 80 MA J-FET 2 MHz 4 PA 900 µV 7 v 36 v
BUF08821BIPWPR Texas Instruments BUF08821BIPWPR 2.5080
RFQ
ECAD 4646 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 tft-lcd d : gamma 버퍼, vcom 드라이버 표면 표면 20-powertssop (0.173 ", 4.40mm 너비) BUF08821 4.6 MA 철도 철도 레일 8 20-HTSSOP 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 9V ~ 20V - 30 MA
OPA453FAKTWT Texas Instruments opa453faktwt 8.0500
RFQ
ECAD 137 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA OPA453 5.5MA - 1 DDPAK/TO-263-7 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 250 38V/µs 50 MA 범용 7.5 MHz 7 PA 1 MV 20 v 80 v
OPA830IDR Texas Instruments opa830idr 1.7085
RFQ
ECAD 7963 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) OPA830 4.25MA - 1 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,500 600V/µs 310 MHz 85 MA 전압 전압 110MHz 5 µA 1.5 MV 2.8 v 11 v
LM2903QPWRG4Q1 Texas Instruments LM2903QPWRG4Q1 0.6000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 텍사스 텍사스 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 미분 LM2903 CMOS, MOS,, 수집가, TTL 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 2 2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V 7MV @ 5V 0.25µA @ 5V 20MA 2.5MA - - -
LM4890MM/NOPB Texas Instruments lm4890mm/nopb 1.8000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 텍사스 텍사스 부머 ® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) AB Depop, 열, 셧다운 보호 LM4890 1 채널 (모노) 2.2V ~ 5.5V 8-VSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 1,000 1W x 1 @ 8ohm
TLC271ACD Texas Instruments TLC271ACD 1.3200
RFQ
ECAD 383 0.00000000 텍사스 텍사스 Lincmos ™ 튜브 마지막으로 마지막으로 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TLC271 950µA - 1 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 75 5.3V/µs 30 MA 범용 2.2 MHz 0.7 PA 900 µV 3 v 16 v
LMH6622 MDC Texas Instruments LMH6622 MDC -
RFQ
ECAD 3809 0.00000000 텍사스 텍사스 LMH® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 주사위 LMH6622 4.3ma (x2 () 미분 2 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 374 85V/µs 160MHz 90 MA 전압 전압 4.7 µA 200 µV 5 v 12 v
INA163UAE4 Texas Instruments INA163UAE4 -
RFQ
ECAD 5112 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) INA163 10MA - 1 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 50 15V/µs 800 kHz 60 MA 수단 2 µA 50 µV 9 v 36 v
OPA353UA/2K5 Texas Instruments OPA353UA/2K5 1.6875
RFQ
ECAD 7820 0.00000000 텍사스 텍사스 MicroAmplifier ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) OPA353 5.2MA 철도 철도 레일 1 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 2,500 22V/µs 40 MA 범용 44 MHz 0.5 PA 3 MV 2.5 v 5.5 v
OPA4703UA Texas Instruments OPA4703UA 8.2887
RFQ
ECAD 8743 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) OPA4703 160µa (x4 채널) 철도 철도 레일 4 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 50 0.6V/µs 10 MA CMOS 1MHz 1 PA 160 µV 4 v 12 v
LM4895IBP/NOPB Texas Instruments LM4895IBP/NOPB -
RFQ
ECAD 4842 0.00000000 텍사스 텍사스 부머 ® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 9-VFBGA AB Depop, 입력 차동, 셧다운, 열 보호 LM4895 1 채널 (모노) 2.2V ~ 5.5V 9-DSBGA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 250 1.4W x 1 @ 4ohm
TPA6130A2RTJR Texas Instruments TPA6130A2RTJR 1.5500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 텍사스 텍사스 DirectPath ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 20-wfqfn q 패드 AB Depop, 입력 차동, i²c, 음소거, 단락 및 열 보호, 셧다운, 볼륨 제어 제어 TPA6130 헤드폰, 2 채널 (스테레오) 2.5V ~ 5.5V 20-QFN (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 3,000 290mw x 1 @ 16ohm; 138mw x 2 @ 16ohm
LM339ANSR Texas Instruments LM339ANSR 0.5500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) 미분 LM339 CMOS, MOS,, 수집가, TTL 14- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 4 2V ~ 30V, ± 1V ~ 15V 3MV @ 30V 0.25µA @ 5V 20MA 2.5MA - - -
TLC2654Q-8DG4 Texas Instruments TLC2654Q-8DG4 -
RFQ
ECAD 6461 0.00000000 텍사스 텍사스 Lincmos ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TLC265 1.5MA - 1 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 1,000 3.7V/µs 50 MA 범용 1.9 MHz 50 PA 5 µV 4.6 v 16 v
OPA2211AIDRGR Texas Instruments opa2211aidrgr 7.5510
RFQ
ECAD 4988 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-Wfdfn d 패드 패드 OPA2211 3.6ma (x2 () 철도 철도 레일 2 8) (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 3,000 27V/µs 45 MA 범용 80MHz 60 NA 30 µV 4.5 v 36 v
RM4559LB Texas Instruments RM4559LB 4.8800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.33.0001 1
TLC075CPWP Texas Instruments TLC075CPWP 3.2183
RFQ
ECAD 8605 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 20-powertssop (0.173 ", 4.40mm 너비) TLC075 2.1ma (x4 () - 4 20-HTSSOP 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 70 19V/µs 57 MA CMOS 10MHz 1.5 PA 390 µV 4.5 v 16 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고