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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
LM48310SDX/NOPB	-	RFQ	6893	텍사스 텍사스	BOOMER®, PowerWise®	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	10-wfdfn d 패드	d. d	Depop, 입력 차동, e², 단락 보호, 종료	LM48310		1 채널 (모노)		2.4V ~ 5.5V	10) (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	4,500										2.6W x 1 @ 4ohm
LF444ACN/NOPB	3.3300	RFQ	5411	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)			LF444	600µA (x4 채널)	-	4		14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	25	1V/µs		14 MA	J-FET	1MHz	10 PA	2 MV	44 v	44 v
LMV715IDCKRE4	-	RFQ	7112	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			LMV715	1.17ma	철도 철도 레일	1		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000	5V/µs			범용	5 MHz	4 PA	400 µV	2.7 v	5.5 v
ina211bidckt	1.6100	RFQ	5	텍사스 텍사스	제로 제로	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			INA211	65µA	-	1		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250	0.4V/µs			현재의 현재의	14 kHz	28 µA	0.55 µV	2.7 v	26 v
LM4925SD/NOPB	-	RFQ	3147	텍사스 텍사스	부머 ®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	10-wfdfn d 패드	AB	Depop, 셧다운, 음소거, 열 보호	LM4925		스테레오 스테레오 1 헤드폰이있는 (모노)		1.5V ~ 3.6V	10) (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000										410mw x 1 @ 8ohm; 40MW X 2 @ 16ohm
OPA653IDBVR	4.4775	RFQ	9856	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753			OPA653	32MA	-	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000	2675V/µs	500MHz	70 MA	J-FET	1.1 MHz	10 PA	1 MV	7 v	13 v
OPA342UAG4	-	RFQ	4015	텍사스 텍사스	MicroAmplifier ™	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA342	150µA	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75	1V/µs		15 MA	범용	1MHz	0.2 PA	1 MV	2.7 v	5.5 v
OPA124U	-	RFQ	3173	텍사스 텍사스	difet®	튜브	쓸모없는	-25 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA124	2.5MA	-	1		8-SOIC	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75	1.6V/µs		10 MA	범용	1.5MHz	1 PA	200 µV	10 v	36 v
THS4504DGKR	-	RFQ	6463	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			THS450	16MA	미분	1		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	1800V/µs	260MHz		미분	210MHz	4 µA	4 MV	4.5 v	15 v
THS4031IDG4	-	RFQ	1321	텍사스 텍사스	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			THS4031	8.5MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75	100V/µs	100MHz	90 MA	전압 전압		3 µA	500 µV	9 v	32 v
OPA137NA/250	2.5300	RFQ	180	텍사스 텍사스	MicroAmplifier ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753			OPA137	220µA	-	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250	3.5V/µs		60 MA	범용	1MHz	5 PA	2.5 MV	4.5 v	36 v
TLE2027CD	4.1000	RFQ	165	텍사스 텍사스	Excalibur ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLE2027	3.8ma	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75	2.8V/µs		50 MA	범용	13MHz	15 na	20 µV	8 v	38 v
TLV2262AQDG4	-	RFQ	1117	텍사스 텍사스	AEC-Q100, LINCMOS ™	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLV226	400µA (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75	0.55V/µs		50 MA	CMOS	710 kHz	1 PA	300 µV	2.7 v	8 v
LMP7702mmx	-	RFQ	3710	텍사스 텍사스	LMP®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			LMP7702	1.5MA (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-VSSOP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,500	1.1V/µs		86 MA	범용	2.5MHz	0.2 PA	37 µV	2.7 v	12 v
LM118H	27.0400	RFQ	309	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	TO-99-8 9 캔			LM118	5MA	-	1		To-99-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	500	70V/µs			범용	15MHz	120 NA	2 MV	10 v	40 v
THS4601IDDAR	-	RFQ	8850	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8-Powersoic (0.154 ", 3.90mm 너비)			THS460	10MA	-	1		8- 파워 패드	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	100V/µs	440MHz		범용	180MHz	30 PA	1 MV	10 v	30 v
INA157UA	3.8900	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			INA157	2.4ma	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75	14V/µs	4 MHz	60 MA	미분			100 µV	8 v	36 v
INA129pg4	-	RFQ	1581	텍사스 텍사스	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			INA129	700µA	-	1		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50	4V/µs	1.3 MHz	15 MA	수단		20 NA	10 µV	4.5 v	36 v
opa2313idrgr	0.6285	RFQ	8418	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-Wfdfn d 패드 패드			OPA2313	50µa (x2 ()	철도 철도 레일	2		8) (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000	0.5V/µs		15 MA	범용	1MHz	0.2 PA	500 µV	1.8 v	5.5 v
THS4032IDGNR	10.0500	RFQ	2	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드			THS4032	8.5MA (x2 ()	-	2		8-HVSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	100V/µs	100MHz	90 MA	전압 전압	120MHz	3 µA	500 µV	9 v	32 v
LM4832N/NOPB	-	RFQ	3393	텍사스 텍사스	부머 ®	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	구멍을 구멍을	28-DIP (0.600 ", 15.24mm)	AB	3d, Depop, i²c, 마이크, 음소거, 셧다운, 톤 및 볼륨 제어 제어	LM4832		2 채널 (스테레오)		4.5V ~ 5.5V	28-DIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	13										250mw x 2 @ 8ohm
opa820id	3.6700	RFQ	94	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA820	5.6MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75	240V/µs	800MHz	110 MA	전압 전압	280MHz	9 µA	200 µV	5 v	12 v
ONET4291PARGVR	1.6230	RFQ	4888	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-vqfn q 패드			ONET4291	50ma	미분	1		16-VQFN (4x4)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		5A991B1	8542.33.0001	2,500	-	4.5GHz		제한				2.9 v	3.6 v
PGA204AU/1K	17.1700	RFQ	7892	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			PGA204	5.2MA	-	1		16-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000	0.7V/µs	1MHz	23 MA	수단		500 PA	25 µV	9 v	36 v
LMP2231BMFX/NOPB	1.0230	RFQ	5647	텍사스 텍사스	LMP®, Powerwise®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753			LMP2231	10µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000	0.058V/µs		30 MA	범용	130 kHz	0.02 PA	10 µV	1.6 v	5.5 v
opa228p	5.3698	RFQ	2398	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			OPA228	3.7ma	-	1		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50	11V/µs		45 MA	범용	33MHz	2.5 NA	5 µV	5 v	36 v
ina338aidgsr	-	RFQ	9062	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			INA338	2.4ma	-	1		10-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	-	1 kHz	25 MA	수단		200 PA	20 µV	2.7 v	5.5 v
OPA4703EA/250	11.7400	RFQ	81	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			OPA4703	160µa (x4 채널)	철도 철도 레일	4		14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250	0.6V/µs		10 MA	CMOS	1MHz	1 PA	160 µV	4 v	12 v
OPA131U/2K5	-	RFQ	2441	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA131	1.5MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	OPA131U/2K5-NDR	귀 99	8542.33.0001	2,500	10V/µs		25 MA	범용	4 MHz	5 PA	200 µV	9 v	36 v
OPA211SKGD1	82.5000	RFQ	1491	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 210 ° C	표면 표면	7-ultracsp ™ (Xcept)			OPA211	3.6ma	철도 철도 레일	1		0-Xcept	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	400	27V/µs		30 MA	범용	80MHz	60 NA	30 µV	4.5 v	36 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

선형 (16030)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²