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선형 (16030)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
LMC8101BP	-	RFQ	7217	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-VFBGA			LMC8101	1.1ma	철도 철도 레일	1		8-DSBGA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250		1.2V/µs			범용	1.3 MHz	1 PA	700 µV	2.7 v	10 v
LPV358IDR	-	RFQ	3625	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LPV358	15µa (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		0.1V/µs		72 MA	범용	237 kHz	2 NA	1.5 MV	2.7 v	5 v
LMC6064AIM/NOPB	6.4400	RFQ	230	텍사스 텍사스	LMC®	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TJ)		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LMC6064	80µa (x4 ()	철도 철도 레일	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	55		0.035V/µs		26 MA	CMOS	100 kHz	0.01 PA	100 µV	4.5 v	15.5 v
TLC27L4BCD	1.0147	RFQ	2678	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC27L4	57µA (x4 채널)	-	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		0.05V/µs		30 MA	CMOS	110 kHz	0.7 PA	1.1 MV	3 v	16 v
TLV2221CDBVR	1.6500	RFQ	8633	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			TLV2221	110µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		0.18V/µs		50 MA	범용	510 kHz	1 PA	610 µV	2.7 v	10 v
tlc27l4bid	1.7700	RFQ	8968	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC27L4	57µA (x4 채널)	-	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		0.05V/µs		30 MA	CMOS	110 kHz	0.7 PA	1.1 MV	4 v	16 v
TLC25L2CDR	3.1740	RFQ	7786	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC25L2	29µA (x2 채널)	열린 열린	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		2.9V/µs			CMOS	110 kHz	0.7 PA	1.1 MV	1.4 v	16 v
OPA340MDBVTEP	6.6600	RFQ	970	텍사스 텍사스	MicroAmplifier ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			OPA340	750µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250		6V/µs		50 MA	범용	5.5MHz	0.2 PA	150 µV	2.5 v	5.5 v
OPA2743UA	5.6800	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA2743	1.1ma (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		10V/µs		20 MA	CMOS	7 MHz	1 PA	1.5 MV	3.5 v	12 v
LMC6035IBPX	-	RFQ	4102	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-VFBGA			LMC6035	650µA (x2 채널)	차동, 대 철도 레일	2		8-DSBGA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		1.5V/µs		8 MA	CMOS	1.4 MHz	0.02 PA	500 µV	2 v	15.5 v
LM4883SQ/NOPB	-	RFQ	7226	텍사스 텍사스	부머 ®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	24-wfqfn q 패드	AB	Depop, 멀티플렉서 입력, 셧다운, 열 보호	LM4883		스테레오 스테레오 2 헤드폰이있는 (스테레오)		2.4V ~ 5.5V	24-WQFN (4x5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000											3W x 2 @ 3ohm; 400mw x 2 @ 8ohm
PGA204AU/1K	17.1700	RFQ	7892	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			PGA204	5.2MA	-	1		16-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000		0.7V/µs	1MHz	23 MA	수단		500 PA	25 µV	9 v	36 v
TLV2221IDBVRG4	-	RFQ	2538	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			TLV2221	110µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		0.18V/µs		50 MA	범용	510 kHz	1 PA	610 µV	2.7 v	10 v
AMC1301QDWVQ1	11.8600	RFQ	7071	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			AMC1301	5.9ma	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	296-46919	귀 99	8542.33.0001	64		-		13 MA	격리	1MHz	60 µA	50 µV	3 v	5.5 v
TLC2272QD	-	RFQ	9613	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC227	2.4ma (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		3.6V/µs		50 MA	CMOS	2.25 MHz	1 PA	300 µV	4.4 v	16 v
opa2333aidr	4.0800	RFQ	6405	텍사스 텍사스	제로 제로	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA2333	17µA (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		0.16V/µs		5 MA	CMOS, 제로,	350 kHz	70 PA	2 µV	1.8 v	5.5 v
INA4290A1IRGVT	9.8100	RFQ	55	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	16-vqfn q 패드				1.25MA (x4 채널)	-	4		16-VQFN (4x4)	다운로드	적용 적용 수 할	2 (1 년)		296-INA4290A1IRGVTTR	귀 99	8542.33.0001	250		2V/µs			현재의 현재의	1.1 MHz	20 µA	6 µV	2.7 v	20 v
TAS5760LDCA	5.1034	RFQ	1900	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비) 노출 패드	d. d	Depop	TAS5760		1 또는 (모노) 또는 2 채널 (스테레오)		3V ~ 3.6V	48-HTSSOP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	40											-
LF398MX	-	RFQ	5921	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LF398	4.5MA	-	1		14 -Soic	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		-			샘플과 샘플과		10 na	2 MV	10 v	36 v
TL061ACPSRG4	-	RFQ	8177	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			TL061	200µA	-	1		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000		3.5V/µs			J-FET	1MHz	30 PA	3 MV	7 v	36 v
TLE2071AIP	2.0081	RFQ	2003	텍사스 텍사스	Excalibur ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TLE2071	1.7ma	-	1		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50		45V/µs		48 MA	J-FET	10MHz	20 PA	470 µV	4.5 v	38 v
TL074MDREP	1.5900	RFQ	9310	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TL074	1.4ma (x4 ()	-	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		13V/µs		10 MA	J-FET	3MHz	65 PA	3 MV	7 v	36 v
TLC2652C-8D	8.0100	RFQ	11	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC2652	1.5MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75		3.1V/µs		50 MA	제로 제로	1.9 MHz	4 PA	0.6 µV	3.8 v	16 v
TLV9001UIDBVR	0.5300	RFQ	9	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			TLV9001	60µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000		2V/µs		40 MA	CMOS	1MHz	5 PA	400 µV	1.8 v	5.5 v
TLV2461QPWRG4Q1	-	RFQ	8679	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			TLV2461	550µA	철도 철도 레일	1		8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000		1.6V/µs		80 MA	범용	6.4 MHz	1.3 NA	500 µV	2.7 v	6 v
opa129ub/2k5	-	RFQ	4865	텍사스 텍사스	difet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA129	1.2MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500		2.5V/µs		10 MA	범용	1MHz	0.03 PA	500 µV	10 v	36 v
TL051ID	0.9300	RFQ	932	텍사스 텍사스	Lincmos ™	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				2.7ma	-	1		8-SOIC	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.33.0001	1		20V/µs		80 MA	J-FET	3.1 MHz	30 PA	590 µV	10 v	30 v
THS7327PHPR	9.0000	RFQ	3	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		완충기	표면 표면	48-powertqfp			THS7327	118 MA	철도 철도 레일	3		48-HTQFP (7x7)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000	2.7V ~ 5.5V	1150V/µs	500MHz	115 MA
TL4581PG4	-	RFQ	5653	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TL458	8ma (x2 2)	-	2		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	800		9V/µs		38 MA	오디오	10MHz	200 NA	500 µV	10 v	30 v
AMC1350QDWVRQ1	13.7900	RFQ	8294	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인		DC/DC c	표면 표면	8- SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)	격리							8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

선형 (16030)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²