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선형 (16030)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	요소 요소	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	전압- 오프셋 입력 (최대)	현재- 바이어스 입력 (최대)	현재- 유형 (출력)	현재 -Quiescent (최대)	CMRR, PSRR (TYP)	전파 전파 (지연)	히스테리시스	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
INA851RGTT	12.0800	RFQ	168	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	16-vfqfn 노출 패드				6MA	미분	1		16-VQFN (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250										37V/µs	800 kHz	37 MA	수단		5 na	10 µV	8 v	36 v
OPA244IDRSV	-	RFQ	6266	텍사스 텍사스	MicroAmplifier ™	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				50µA	아니요	1		8-SOIC	-	Rohs3 준수			296-OPA244IDRSV			1										160MV/µs		25 MA	범용	430kHz	10 na	700 µV	2.6 v	36 v
TL062ACPSRG4	-	RFQ	4186	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			TL062	200µa (x2 ()	-	2		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000										3.5V/µs		20 MA	J-FET	1MHz	30 PA	3 MV	10 v	30 v
LME49600TS/NOPB	6.7200	RFQ	7018	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	TO-263-6, d²pak (5 리드 + 탭), TO-263BA	AB	단락 단락 열 및	LME49600		1 채널 (모노)		± 2.25V ~ 18V	DDPAK/TO-263-5	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	45																			500mw x 1 @ 32ohm
LMP7732MME/NOPB	3.4200	RFQ	3218	텍사스 텍사스	LMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			LMP7732	5MA (X2 2)	철도 철도 레일	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250										2.4V/µs		49 MA	범용	22MHz	14 na	6 µV	1.8 v	5.5 v
TAS5727PHP	5.4420	RFQ	5947	텍사스 텍사스	-	쟁반	활동적인	0 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-powertqfp	d. d	Depop, Digital Inputs, i²c, i², 음소거, 단락 및 열 보호, 셧다운, 볼륨 제어	TAS5727		2 채널 (스테레오)		8V ~ 26V	48-HTQFP (7x7)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250																			41.5W x 2 @ 4ohm
lm8262mm-ti	-	RFQ	1471	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)				2.5MA (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-VSSOP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.33.0001	1,000										15V/µs		100 MA	범용	24 MHz	1.05 µA	700 µV	2.5 v	22 v
LMV931MGX	-	RFQ	9187	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353			LMV931	116µA	철도 철도 레일	1		SC-70-5	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000										0.42V/µs		100 MA	범용	1.5MHz	14 na	1 MV	1.8 v	5.5 v
OPA2690I-14DRG4	-	RFQ	2594	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA2690	11ma (x2 2)	-	2		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										1800V/µs	500MHz	190 MA	전압 전압	300MHz	5 µA	1 MV	5 v	12 v
tlv3012aidbvrg4	-	RFQ	5216	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	SOT-23-6	전압 전압		TLV3012		푸시 푸시			SOT-23-6	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	1	1.8V ~ 5.5V	12MV @ 5.5V	10pa @ 5.5v	-	5µA	74dB CMRR, 80dB PSRR	13.5µs	-
INA240A1DR	3.3900	RFQ	7892	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			INA240	1.8ma	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										2V/µs	400 kHz		현재의 현재의		90 µA	5 µV	2.7 v	5.5 v
LM2903BQDDFRQ1	0.6500	RFQ	27	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	SOT-23-8	미분				CMOS, MOS,, 수집가, TTL			TSOT-23-8	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	3,000	2	2V ~ 36V	2.5MV @ 5V	0.025µA @ 5V	21ma @ 5v	600µA	-	1µs (유형)	-
5962-0254501VPA	-	RFQ	1101	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인												다운로드	Rohs3 준수			296-5962-0254501VPA			1
LMH5401FFK/EM	-	RFQ	4160	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	25 ° C	표면 표면	14-Clcc				60ma	미분	1		14-CLCC (5.5x6)	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-LMH5401FFK/EM	귀 99	8542.33.0001	1										17500V/µs	4.2GHz	50 MA	미분	6.5GHz	70 µA	500 µV	3.15 v	5.25 v
LMP8640MK-T/NOPB	2.9100	RFQ	4824	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6			LMP8640	2.3ma	-	1		SOT-23-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000										1.8V/µs			현재의 현재의	950 kHz	13 µA	900 µV	2.7 v	12 v
tl032aidr	2.9300	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TL032	434µA (x2 채널)	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										5.1V/µs		40 MA	J-FET	1.1 MHz	2 PA	570 µV	10 v	30 v
TLV2473CDGQ	-	RFQ	9479	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	10-powertfsop, 10-msop (0.118 ", 3.00mm 너비)			TLV247	600µA (x2 채널)	철도 철도 레일	2		10-HVSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	320										1.5V/µs		35 MA	CMOS	2.8 MHz	2.5 PA	250 µV	2.7 v	6 v
opa2211aidrgt	9.9254	RFQ	6100	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-Wfdfn d 패드 패드			OPA2211	3.6ma (x2 ()	철도 철도 레일	2		8) (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250										27V/µs		45 MA	범용	80MHz	60 NA	30 µV	4.5 v	36 v
opa734aidbvr	2.0325	RFQ	7870	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	SOT-23-6			OPA734	600µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-6	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000										1.5V/µs		20 MA	제로 제로	1.6 MHz	100 PA	1 µV	2.7 v	12 v
LMP8640MKX-H/NOPB	1.2945	RFQ	9717	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6			LMP8640	2.3ma	-	1		SOT-23-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000										1.8V/µs			현재의 현재의	230kHz	13 µA	900 µV	2.7 v	12 v
OPA121KUG4	-	RFQ	4939	텍사스 텍사스	difet®	튜브	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA121	2.5MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75										2V/µs		10 MA	범용	2 MHz	1 PA	500 µV	10 v	36 v
opa454aiddar	6.7200	RFQ	2540	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8-Powersoic (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA454	3.2MA	-	1		8- 파워 패드	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										13V/µs			범용	2.5MHz	1.4 PA	200 µV	10 v	100 v
TLC2202AMD	2.5800	RFQ	5047	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC220	1.8ma (x2 ()	철도 철도 레일	2		14 -Soic	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50										2.7V/µs		50 MA	CMOS	1.9 MHz	1 PA	80 µV	4.6 v	16 v
TLV9102IDGKR	1.1200	RFQ	7	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)				115µA (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-VSSOP	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)			귀 99	8542.33.0001	2,500										4.5V/µs		80 MA	범용	1.1 MHz	10 PA	300 µV	2.7 v	16 v
TLE2022MLB	9.3700	RFQ	1	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	TO-99-8 9 캔				550µa (x2 채널)	-	2		To-99-8	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.33.0001	1										0.65V/µs		30 MA	범용	2.8 MHz	35 NA	150 µV	4 v	40 v
TAS5122DFD	-	RFQ	9786	텍사스 텍사스	PurePath Digital ™	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	56-powertssop (0.240 ", 6.10mm 너비)	d. d	Depop, 입력 디지털, 음소거, 단락 및 열 보호, 종료 종료	TAS512		2 채널 (스테레오)		16V ~ 25.5V	56-HTSSOP	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	105																			37W x 2 @ 6ohm
OPA855IDSGT	7.6900	RFQ	3	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8-Wfdfn d 패드 패드			OPA855	17.8ma	-	1		8-wson (2x2)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250										2750V/µs	2.5GHz	105 MA	범용	8GHz	12 µA	200 µV	3.3 v	5.25 v
OPA4340UAG4	-	RFQ	7788	텍사스 텍사스	마이크로 마이크로 ™	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA4340	750µa (x4 채널)	철도 철도 레일	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50										6V/µs		50 MA	CMOS	5.5MHz	0.2 PA	150 µV	2.5 v	5.5 v
OPA2234MDR	-	RFQ	9447	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA223	250µA (x2 채널)	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										0.2V/µs		11 MA	범용	350 kHz	15 na	40 µV	2.7 v	36 v
THS4532IPW	6.3100	RFQ	430	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			THS4532	250µA (x2 채널)	차동, 대 철도 레일	2		16-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	90										390V/µs	36 MHz	25 MA	미분	27 MHz	200 NA	80 µV	2.5 v	5.5 v

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일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
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2800+

15,000m2

15,000m²