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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	요소 요소	기능	표준	제어 제어	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	전압- 오프셋 입력 (최대)	현재- 바이어스 입력 (최대)	현재- 유형 (출력)	현재 -Quiescent (최대)	CMRR, PSRR (TYP)	전파 전파 (지연)	히스테리시스	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)
lm358baidgkr	0.4100	RFQ	7	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			300µA (x2 채널)	푸시 푸시	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500													0.5V/µs		30 MA	범용	1.2 MHz	10 na	2 MV	3 v	36 v
TLV9152IDDFR	1.1900	RFQ	2	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	SOT-23-8		TLV9152	560µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		TSOT-23-8	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000													20V/µs		75 MA	범용	4.5MHz	10 PA	125 µV	2.7 v	16 v
LF198H/883	-	RFQ	6489	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C		구멍을 구멍을	TO-99-8 9 캔			-	아니요	1		To-99-8	다운로드	Rohs3 준수	공급 공급 정의되지 업체는		296-LF198H/883	귀 99	8542.39.0001	1													-		25 MA	샘플과 샘플과		75 NA		10 v	36 v
INA117BM-3	15.2000	RFQ	12	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인		데이터 데이터	구멍을 구멍을	TO-99-8 9 캔	미분						To-99-8	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.33.0001	1
TLC2272AIPE4	-	RFQ	6271	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			2.4ma (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-PDIP	다운로드					귀 99	8542.33.0001	1													3.6V/µs		50 MA	CMOS	2.25 MHz	1 PA	300 µV	4.4 v	16 v
LM2903ITLX/NOPB	0.9500	RFQ	1629	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-WFBGA, DSBGA	범용	LM2903		CMOS, DTL, ECL, MOS, Open-Collector, TTL			8-DSBGA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	2				2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V	7MV @ 30V	0.25µA @ 5V	16MA @ 5V	2.5MA	-	700ns	-
opa810idr	3.1400	RFQ	3	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		OPA810	3.7ma	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500													192v/µs	140MHz	100 MA	J-FET	70MHz	2 PA	100 µV	4.75 v	27 v
ina821idgkt	6.8800	RFQ	8063	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)		INA821	600µA	-	1		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250													2V/µs	4.7 MHz	20 MA	수단		150 PA	40 µV	4.5 v	36 v
OPA4234-W	-	RFQ	9092	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		-	-		OPA4234	275µA (x4 채널)	-	4		-	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1													0.2V/µs		22 MA	범용	350 kHz	12 NA	70 µV	2.7 v	36 v
THS4121IDGNG4	-	RFQ	3096	텍사스 텍사스	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드		THS4121	11ma	미분	1		8-HVSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	80													55V/µs	100MHz	100 MA	미분		1.2 PA	3 MV	3 v	3.5 v
LMH6626MAX/NOPB	4.0260	RFQ	7694	텍사스 텍사스	LMH®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		LMH6626	12MA (x2 2)	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500													400V/µs	95MHz	80 MA	전압 전압	1.5GHz	13 µA	100 µV	5 v	12 v
INA129SJD	-	RFQ	4786	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 210 ° C		구멍을 구멍을	8-CDIP (0.300 ", 7.62mm)		INA129	700µA	-	1		8-CDIP	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받습니다		귀 99	8542.33.0001	1													4V/µs	1.3 MHz	15 MA	수단		2 NA	25 µV	4.5 v	36 v
LM2901VQPWRQ1	0.6100	RFQ	739	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	미분	LM2901		CMOS, MOS,, 수집가, TTL			14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	4				2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V	7MV @ 5V	0.25µA @ 5V	20MA	2.5MA	-	-	-
LME49990MA/NOPB	-	RFQ	7993	텍사스 텍사스	서술 ™	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		LME49990	9MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	95													22V/µs		26 MA	오디오	110MHz	30 na	130 µV	10 v	36 v
TLV2770IDG4	-	RFQ	3784	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		TLV277	1MA	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	375													10.5V/µs		50 MA	범용	5.1 MHz	2 PA	500 µV	2.5 v	5.5 v
TLC27M2CPS	1.3600	RFQ	695	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)		TLC27M2	285µA (x2 채널)	-	2		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	80													0.62V/µs		30 MA	CMOS	635 kHz	0.7 PA	1.1 MV	3 v	16 v
TLC2272AMJGB	27.5800	RFQ	1	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		구멍을 구멍을	8-CDIP (0.300 ", 7.62mm)			2.4ma (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-CDIP	다운로드					귀 99	8542.33.0001	1													3.6V/µs		50 MA	CMOS	2.25 MHz	1 PA	300 µV	4.4 v	16 v
opa2991iddfr	1.8900	RFQ	242	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	SOT-23-8		OPA2991	560µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		TSOT-23-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	296-OPA2991IDDFRTR	귀 99	8542.33.0001	3,000													21V/µs		75 MA	범용	4.5MHz	10 PA	125 µV	2.7 v	40 v
TLV2775CN	1.7400	RFQ	17	텍사스 텍사스	-	대부분	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)		TLV2775	1ma (x4 4)	철도 철도 레일	4		16-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	25													10.5V/µs		50 MA	CMOS	5.1 MHz	2 PA	700 µV	2.5 v	5.5 v
VSP8133RSKR	-	RFQ	9137	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다		전문 전문	표면 표면	64-vfqfn 노출 패드		VSP8133				1.5V ~ 3.6V	64-VQFN (8x8)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000		발전기	-	i²c
TLV2460AQPWRG4	-	RFQ	7548	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)		TLV246	550µA	철도 철도 레일	1		8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000													1.6V/µs		80 MA	범용	6.4 MHz	1.3 NA	500 µV	2.7 v	6 v
TLV2772AMDREP	4.4280	RFQ	9066	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		TLV2772	1MA (x2 2)	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500													10.5V/µs		50 MA	CMOS	5.1 MHz	2 PA	360 µV	2.5 v	6 v
INA183A3IDBVT	2.8400	RFQ	193	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	SC-74A, SOT-753			83µA	-	1		SOT-23-5	다운로드	적용 적용 수 할	2 (1 년)		296-INA183A3IDBVTTR	귀 99	8542.33.0001	250													0.4V/µs			현재의 현재의	14 kHz	30 µA	25 µV	2.7 v	26 v
OPA124U/2K5-TI	-	RFQ	5169	텍사스 텍사스	difet®	대부분	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			2.5MA	-	1		8-SOIC	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500													1.6V/µs		10 MA	범용	1.5MHz	1 PA	200 µV	10 v	36 v
LM2903VQPWR	0.5900	RFQ	9985	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	미분	LM2903		CMOS, MOS,, 드레인, TTL			8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,000	2				2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V	7MV @ 5V	0.25µA @ 5V	20MA	2.5MA	-	-	-
INA280A5QDCKRQ1	2.9100	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353		INA280	370µA	-	1		SC-70-5	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)		296-INA280A5QDCKRQ1TR	귀 99	8542.33.0001	3,000													2V/µs			현재의 현재의	1.1 MHz	20 µA	15 µV	2.7 v	20 v
LM2902LVQPWRQ1	0.5000	RFQ	6	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			90µa (x4 채널)	푸시 푸시	4		14-tssop	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)		296-LM2902LVQPWRQ1TR	귀 99	8542.33.0001	3,000													1.5V/µs		40 MA	범용	1MHz	15 PA	1 MV
OPA2680N	2.8100	RFQ	16	텍사스 텍사스	SpeedPlus ™	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		OPA268	12.8ma (x2 채널)	-	2		14 -Soic	다운로드	rohs 비준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	58													1800V/µs	400MHz	190 MA	전압 전압	300MHz	8 µA	1 MV	5 v	12 v
8102301PA	4.1500	RFQ	155	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인												다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.33.0001	1
LMP2232BMMX/NOPB	-	RFQ	9422	텍사스 텍사스	LMP®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)		LMP2232	19µa (x2 ()	차동, 대 철도 레일	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,500													0.058V/µs		30 MA	범용	130 kHz	0.02 PA	10 µV	1.6 v	5.5 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

선형 (16030)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²