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선형 (16030)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
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tl064ipwr	0.6500	RFQ	5	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			TL064	200µa (x4 ()	-	4		14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000	3.5V/µs		20 MA	J-FET	1MHz	30 PA	3 MV	10 v	30 v
LM48861TM/NOPB	1.5400	RFQ	7580	텍사스 텍사스	BOOMER®, PowerWise®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	12-WFBGA, DSBGA	AB	Depop, 셧다운	LM48861		헤드폰, 2 채널 (스테레오)		1.2V ~ 2.8V	12-DSBGA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250										24MW x 2 @ 16ohm
tlv2782aidr	-	RFQ	5632	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLV278	650µA (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	5V/µs		23 MA	범용	8 MHz	2.5 PA	250 µV	1.8 v	3.6 v
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opa2356aidgkr	3.2700	RFQ	2465	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			OPA2356	8.3ma (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	360V/µs	450MHz	100 MA	CMOS	200MHz	3 PA	2 MV	2.5 v	5.5 v
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opa2727aidrbr	1.4520	RFQ	1124	텍사스 텍사스	e-trim ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-vdfn d 패드			OPA2727	4.3ma (x2 ()	철도 철도 레일	2		8) (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	30V/µs		40 MA	CMOS	20MHz	85 PA	15 µV	3.5 v	12 v
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THS4500IDRG4	-	RFQ	1152	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			THS450	23MA	미분	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	2800V/µs	370MHz		미분	300MHz	4 µA	4 MV	4.5 v	15 v
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INA293A3IDBVR	3.1000	RFQ	2099	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753			INA293	1.5MA	-	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000	2.5V/µs	1MHz		현재의 현재의		20 µA	10 µV	2.7 v	20 v
TLV2432CPW	0.4700	RFQ	2	텍사스 텍사스	AEC-Q100, LINCMOS ™	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)				100µa (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-tssop	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1	0.25V/µs		50 MA	CMOS	550 kHz	1 PA	300 µV	2.7 v	10 v
TLE2082ACDRG4	-	RFQ	8731	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLE2082	3.1ma (x2 ()	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	40V/µs		48 MA	J-FET	10MHz	20 PA	700 µV	4.5 v	38 v
opa333aidr	2.8800	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA333	17µA	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500	0.16V/µs		5 MA	제로 제로	350 kHz	70 PA	2 µV	1.8 v	5.5 v
TLV2455ID	2.8700	RFQ	14	텍사스 텍사스	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLV2455	23µA (x4 ()	철도 철도 레일	4		16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	40	0.11v/µs		10 MA	범용	220 kHz	500 PA	300 µV	2.7 v	6 v
TLV4111IP	0.5100	RFQ	9139	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)				700µA	철도 철도 레일	1		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1	1.57V/µs		320 MA	범용	2.7 MHz	0.3 PA	175 µV	2.5 v	6 v
LF156 MD8	-	RFQ	7142	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인												-	Rohs3 준수			296-LF156MD8			1
LM2902MX/NAK2	-	RFQ	4305	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TJ)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				1.5MA	푸시 푸시, 풀	4		14 -Soic	-	Rohs3 준수			296-LM2902MX/NAK2			1	0.5V/µs		40 MA	범용	1MHz	45 NA	2 MV	3 v	26 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

선형 (16030)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²