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선형 (16030)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	요소 요소	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	전압- 오프셋 입력 (최대)	현재- 바이어스 입력 (최대)	현재- 유형 (출력)	현재 -Quiescent (최대)	CMRR, PSRR (TYP)	전파 전파 (지연)	히스테리시스	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
TLC372CP	1.3600	RFQ	2	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)	미분		TLC372		CMOS, MOS,, 드레인, TTL			8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	2	3V ~ 16V, ± 1.5V ~ 8V	5MV @ 5V	5PA @ 5V	20MA	400µA	-	-	-
LM239J	16.5500	RFQ	643	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	14-CDIP (0.300 ", 7.62mm)	범용		LM239		CMOS, DTL, ECL, MOS, Open-Collector, TTL			14-CDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	25	4	2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V	5MV @ 30V	0.25µA @ 5V	16MA @ 5V	2.5MA	-	-	-
TLC352CD	1.7500	RFQ	30	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	미분		TLC352		CMOS, MOS,, 드레인, TTL			8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	75	2	1.4V ~ 16V, ± 0.7V ~ 8V	5MV @ 5V	5PA @ 5V	20MA	400µA	-	-	-
TLC339MDG4	-	RFQ	3782	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	범용		TLC339		CMOS, 오픈,			14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	4	4V ~ 16V	5MV @ 10V	5PA @ 5V	20MA	175µA	84dB CMRR	4.5µs	-
tlv7211aidckt	1.5600	RFQ	132	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	범용		TLV7211		푸시 푸시			SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	1	2.7V ~ 15V	5MV @ 5V	0.04pa @ 5V	30ma	18µA	75dB CMRR, 80dB PSRR	10µs	-
TLC2252MUB	26.6300	RFQ	77	텍사스 텍사스	AEC-Q100, LINCMOS ™	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	10-CDFF				80µa (x2 ()	철도 철도 레일	2		10-cfp	다운로드					귀 99	8542.33.0001	1										0.12V/µs		50 MA	범용	210 kHz	1 PA	200 µV	4.4 v	16 v
TLC25L2CPW	-	RFQ	7250	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			TLC25L2	29µA (x2 채널)	열린 열린	2		8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	300										2.9V/µs			CMOS	110 kHz	0.7 PA	1.1 MV	1.4 v	16 v
ina3333aidgkr	5.5000	RFQ	5088	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			INA333	50µA	철도 철도 레일	1		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										0.16V/µs	150 kHz	40 MA	수단		70 PA	10 µV	1.8 v	5.5 v
TLV2452IDG4	-	RFQ	5672	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLV245	23µA (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75										0.11v/µs		10 MA	범용	220 kHz	500 PA	300 µV	2.7 v	6 v
TLV271CDG4	0.3300	RFQ	975	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLV271	625µA	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75										2.6V/µs		8 MA	CMOS	3MHz	1 PA	500 µV	2.7 v	16 v
TPS3700DSER	2.1000	RFQ	6	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	6-WFDFN	창문		TPS3700		열린 열린			6-wson (1.5x1.5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	1	1.8V ~ 18V	-	-	-	13µA	-	29µs	5.5MV
INA190A4IDDFT	3.5100	RFQ	1	텍사스 텍사스	제로 제로	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	SOT-23-8			INA190	48µA	철도 철도 레일	1		TSOT-23-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250										0.3V/µs			현재의 현재의	33 kHz	500 PA	3 µV	1.7 v	5.5 v
TL1591CP	8.1700	RFQ	1896	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	-25 ° C ~ 80 ° C (TA)		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)				15MA (x2 2)	-	2		8-PDIP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	1										-		600 µA	샘플과 샘플과				4.75 v	5.5 v
TLE2027AMDG4	-	RFQ	4344	텍사스 텍사스	Excalibur ™	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLE2027	3.8ma	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	75										2.8V/µs		50 MA	범용	13MHz	15 na	10 µV	8 v	38 v
ina597idrcr	1.3170	RFQ	3288	텍사스 텍사스	e-trim ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	10-vfdfn 노출 패드				1.1ma	철도 철도 레일	1		10-vson (3x3)	다운로드	적용 적용 수 할	2 (1 년)		296-INA597IDRCRTR	귀 99	8542.33.0001	3,000										18V/µs	800 kHz	65 MA	미분			28 µV	4.5 v	36 v
TLV6002QDGKRQ1	0.8500	RFQ	4842	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			TLV6002	75µA (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										0.5V/µs		15 MA	범용	1MHz	1 PA	750 µV	1.8 v	5.5 v
OPA365AQDBVRQ1	2.7900	RFQ	7292	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			OPA365	4.6MA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000										25V/µs		65 MA	범용	50MHz	0.2 PA	100 µV	2.2 v	5.5 v
INA115AU-1/1K	2.8000	RFQ	2	텍사스 텍사스	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)				2.2MA	-	1		16-	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-INA115AU-1/1K-296	귀 99	8542.33.0001	1										0.6V/µs	1MHz	20 MA	수단		500 PA	25 µV	4.5 v	36 v
TLV9062QDGKRQ1	1.1500	RFQ	6	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)				538µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-VSSOP	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)			귀 99	8542.33.0001	2,500										6.5V/µs		50 MA	CMOS	10MHz	5 PA	300 µV	1.8 v	5.5 v
LMV393IPW	0.9100	RFQ	8043	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	범용		LMV393		오픈 오픈			8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	150	2	2.7V ~ 5.5V	7MV @ 5V	0.25µA @ 5V	84ma @ 5v	250µA	-	600ns	-
TPA032D04DCAR	5.0800	RFQ	2	텍사스 텍사스	자동차	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비) 노출 패드	d. d	-			스테레오 스테레오 2 헤드폰이있는 (스테레오)		8V ~ 14V	48-HTSSOP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다		귀 99	8542.33.0001	2,000																			10W x 2 @ 4ohm
TL034CNS	0.9500	RFQ	3	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)				870µa (x4 채널)	-	4		14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1										5.1V/µs		40 MA	J-FET	1.1 MHz	2 PA	790 µV	10 v	30 v
5962-0620601VZA	-	RFQ	2441	텍사스 텍사스	*	쟁반	활동적인													-	Rohs3 준수			296-5962-0620601VZA			1
LM2903AVQDR	0.6700	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	미분		LM2903		CMOS, MOS,, 드레인, TTL			8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	2	2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V	2MV @ 32V	0.25µA @ 5V	20MA	2.5MA	-	-	-
INA253A2IPWR	2.3475	RFQ	6088	텍사스 텍사스	제로 제로	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			INA253	1.8ma	-	1		20-tssop	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	296-INA253A2IPWRTR	귀 99	8542.33.0001	2,000										2.4V/µs	350 kHz		현재의 현재의		90 µA		2.7 v	5.5 v
8102305PA	-	RFQ	3286	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인													다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		296-8102305PA			1
AMC1400QDWLRQ1	11.8200	RFQ	4512	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인		DC/DC c	표면 표면	8- SOIC (0.551 ", 14.00mm 너비)	격리							8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	500
TLV2461CPE4	-	RFQ	7796	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)				550µA	철도 철도 레일	1		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1										1.6V/µs		80 MA	범용	6.4 MHz	1.3 NA	500 µV	2.7 v	6 v
buf802irgtr	5.0600	RFQ	2	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	16-vfqfn 노출 패드				34ma	푸시 푸시	1		16-VQFN (3x3)	다운로드	적용 적용 수 할	2 (1 년)		296-buf802irgtr	귀 99	8542.39.0001	3,000										6900V/µs	3.2GHz		J-FET		7 PA	600 MV	9 v	13 v
SR1711ABA4DBT	0.9700	RFQ	1829	텍사스 텍사스	*	대부분	활동적인													-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는	2156-SR1711ABA4DBT	귀 99	8542.39.0001	1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

선형 (16030)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²