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선형 (16030)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	요소 요소	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	전압- 오프셋 입력 (최대)	현재- 바이어스 입력 (최대)	현재- 유형 (출력)	현재 -Quiescent (최대)	CMRR, PSRR (TYP)	전파 전파 (지연)	히스테리시스	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
OPA2652U-1/2K5	-	RFQ	3042	텍사스 텍사스	SpeedPlus ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA265	11ma (x2 2)	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										335V/µs	700MHz	140 MA	전압 전압	200MHz	4 µA	1.5 MV	6 v	12 v
TPA3004D2PHPRG4	-	RFQ	3410	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	48-powertqfp	d. d	차동 차동, 입력 및 열 보호 보호, 셧다운, 볼륨 제어	TPA3004		2 채널 (스테레오)		8.5V ~ 18V	48-HTQFP (7x7)	다운로드	Rohs3 준수	4 (72 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000																			12W x 2 @ 8ohm
TAS2563YBGT	6.4000	RFQ	249	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	42-XFBGA, DSBGA	d. d	-	TAS2563		1 채널 (모노)		1.62V ~ 1.95V, 2.5V ~ 5.5V	42-DSBGA (2.96x2.5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	250																			6.1W x 1 @ 4ohm
TLV3702QDRQ1	1.5465	RFQ	7231	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	범용		TLV3702		CMOS, 푸시,, 레일 투 레일			8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	2,500	2	2.7V ~ 16V, ± 1.35V ~ 8V	5MV @ 5V	250pa @ 5V	10MA	1.2µA	88dB CMRR, 105dB PSRR	240µs	-
TAS5614PHDR	8.7915	RFQ	6916	텍사스 텍사스	PurePath ™ HD	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	64-tqfp q 패드	d. d	Depop, 입력 디지털, 단락 및 열 보호 보호, 종료	TAS5614		1 또는 (모노) 또는 2 채널 (스테레오)		18V ~ 38V	64-HTQFP (14x14)	다운로드	Rohs3 준수	5A (24 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1,000																			300W x 1 @ 2ohm; 200w x 2 @ 3ohm
TLV2472QDRQ1	2.0955	RFQ	8133	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLV2472	600µA (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										1.5V/µs		35 MA	CMOS	2.8 MHz	2.5 PA	250 µV	2.7 v	6 v
5962R9950402VZA	-	RFQ	7011	텍사스 텍사스	*	쟁반	활동적인												다운로드	Rohs3 준수			296-5962R9950402VZA			1
opa4202ipwr	0.9000	RFQ	7791	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)				580µa (x4 채널)	-	4		14-tssop	다운로드	적용 적용 수 할	2 (1 년)		296-OPA4202IPWRTR	귀 99	8542.33.0001	2,000										0.35V/µs		35 MA	범용	1MHz	250 NA	20 µV	4.5 v	36 v
MCP6291IDBVR	1.1200	RFQ	8	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SC-74A, SOT-753			MCP6291	600µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000										6.5V/µs		50 MA	범용	10MHz	1 PA	300 µV	2.4 v	5.5 v
LM2904M/SL161106	-	RFQ	2441	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				500µA (x2 채널)	푸시 푸시, 풀	2		8-SOIC	-	Rohs3 준수			296-LM2904M/SL161106			1										0.3V/µs		40 MA	범용	700 kHz	20 NA	3 MV	3 v	26 v
v62/04682-04ye	3.8785	RFQ	9508	텍사스 텍사스	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												-	Rohs3 준수			296-v62/04682-04yetr			2,500
5962F9553602VHA	-	RFQ	7045	텍사스 텍사스	*	튜브	활동적인												다운로드	Rohs3 준수			296-5962F9553602VHA			1
TLE2142AMUB	33.5000	RFQ	114	텍사스 텍사스	AEC-Q100, Excalibur ™	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	10-CDFF				6.9ma (x4 ()	철도 철도 레일	4		10-cfp	다운로드					귀 99	8542.33.0001	1										45V/µs		50 MA	범용	5.9 MHz	700 NA	275 µV	4 v	44 v
TLC25L2ACP	0.8400	RFQ	4	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)				29µA (x2 채널)	열린 열린	2		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8542.33.0001	1										2.9V/µs			CMOS	1.7 MHz	1 PA	900 µV	1.4 v	16 v
lm358baidr	0.3900	RFQ	3	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LM358	300µA (x2 채널)	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										0.5V/µs		40 MA	범용	1.2 MHz	10 na	2 MV	3 v	36 v
ISO122UE4	34.7450	RFQ	7588	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비), 8 개의 리드				5.5MA	아니요	1		8-SOIC	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)		296-ISO122UE4	귀 99	8542.33.0001	20										2V/µs	50 kHz	15 MA	격리			20 MV	9 v	36 v
OPA2237UAE4	2.1330	RFQ	4627	텍사스 텍사스	MicroAmplifier ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				170µA (x2 채널)	아니요	2		8-SOIC	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)		296-OPA2237UAE4	귀 99	8542.33.0001	75										0.5V/µs		8 MA	범용	1.5MHz	10 na	250 µV	2.7 v	36 v
opa210idt	3.8900	RFQ	7782	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				2.2MA	푸시 푸시	1		8-SOIC	다운로드	적용 적용 수 할	2 (1 년)			귀 99	8542.33.0001	250										6.4V/µs		65 MA	범용	18 MHz	300 NA	5 µV	4.5 v	36 v
TLE2024QDWRG4Q1	3.1725	RFQ	3435	텍사스 텍사스	AEC-Q100, Excalibur ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			TLE2024	1.05MA (x4 채널)	-	4		16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,000										0.5V/µs		40 MA	범용	2.8 MHz	50 NA	1 MV	4 v	40 v
TLV2252QDREP	-	RFQ	4840	텍사스 텍사스	AEC-Q100, LINCMOS ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLV225	68µA (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	2,500										0.12V/µs		50 MA	범용	200 kHz	1 PA	200 µV	2.7 v	16 v
opa2336pag4	-	RFQ	1827	텍사스 텍사스	MicroAmplifier ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			OPA233	20µa (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	50										0.03V/µs		5 MA	CMOS	100 kHz	1 PA	60 µV	2.3 v	5.5 v
tlv2463aid	-	RFQ	1953	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLV246	550µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	300										1.6V/µs		80 MA	범용	6.4 MHz	1.3 NA	500 µV	2.7 v	6 v
INA190A5IDCKR	2.9200	RFQ	1	텍사스 텍사스	제로 제로	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			INA190	48µA	철도 철도 레일	1		SC-70-6	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000										0.3V/µs			현재의 현재의	27 kHz	500 PA	3 µV	1.7 v	5.5 v
LMV981TLX/NOPB	1.4000	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	6-WFBGA, DSBGA			LMV981	116µA	철도 철도 레일	1		6-DSBGA (1.5x1.3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000										0.42V/µs		100 MA	범용	1.5MHz	14 na	1 MV	1.8 v	5 v
ina240pmpwtpsep	-	RFQ	5955	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)				1.8ma	-	1		8-tssop	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)		296-INA240PMPWTPSEPTR	귀 99	8542.33.0001	1										2V/µs	400 kHz		현재의 현재의		90 µA	5 µV	2.7 v	5.5 v
LM2904VZQDRQ1	-	RFQ	4800	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				350µa (x2 채널)	푸시 푸시, 풀	2		8-SOIC	-	Rohs3 준수			296-LM2904VZQDRQ1			1										0.3V/µs		30 MA	범용	700 kHz	20 NA	3 MV	3 v	32 v
5962R9679801VXA	-	RFQ	6906	텍사스 텍사스	*	쟁반	활동적인												다운로드	Rohs3 준수			296-5962R9679801VXA			1
INA190A5IDDFR	2.9200	RFQ	1187	텍사스 텍사스	제로 제로	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	SOT-23-8			INA190	48µA	철도 철도 레일	1		TSOT-23-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	3,000										0.3V/µs			현재의 현재의	27 kHz	500 PA	3 µV	1.7 v	5.5 v
TLV2780CD	-	RFQ	5503	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)				650µA	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.33.0001	1										5V/µs		23 MA	범용	8 MHz	2.5 PA	250 µV	1.8 v	3.6 v
INA253A3IPWR	2.3475	RFQ	7033	텍사스 텍사스	제로 제로	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			INA253	1.8ma	-	1		20-tssop	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	296-INA253A3IPWRTR	귀 99	8542.33.0001	2,000										2.4V/µs	350 kHz		현재의 현재의		90 µA		2.7 v	5.5 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

선형 (16030)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²