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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
opa333aidckr	2.8800	RFQ	2	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353			OPA333	17µA	철도 철도 레일	1		SC-70-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	3,000	0.16V/µs		5 MA	제로 제로	350 kHz	70 PA	2 µV	1.8 v	5.5 v
PGA204AU	20.6100	RFQ	3106	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			PGA204	5.2MA	-	1		16-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	40	0.7V/µs	1MHz	23 MA	수단		500 PA	25 µV	9 v	36 v
THS4500CDGKG4	-	RFQ	9722	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			THS450	23MA	미분	1		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	80	2800V/µs	370MHz		미분	300MHz	4 µA	4 MV	4.5 v	15 v
INA2126EA/250	6.1300	RFQ	2536	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	16-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비)			INA2126	175µA (x2 채널)	-	2		16-SSOP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	250	0.4V/µs	200 kHz	10 MA	수단		10 na	50 µV	2.7 v	36 v
TLC27M9IDR	2.1360	RFQ	2628	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC27M9	570µa (x4 채널)	-	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500	0.62V/µs		30 MA	CMOS	525 kHz	0.7 PA	220 µV	4 v	16 v
LMV771MGX/NOPB	1.5300	RFQ	3594	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353			LMV771	600µA	철도 철도 레일	1		SC-70-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	3,000	1.4V/µs		75 MA	범용	3.5MHz	0.23 PA	250 µV	2.7 v	5.5 v
TLV2264AQDR	-	RFQ	6224	텍사스 텍사스	AEC-Q100, LINCMOS ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLV226	800µa (x4 채널)	철도 철도 레일	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500	0.55V/µs		50 MA	CMOS	710 kHz	1 PA	300 µV	2.7 v	8 v
OPA2314ASDRBTEP	5.3900	RFQ	8307	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C		표면 표면	8-vdfn d 패드			OPA2314	150µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8) (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	250	1.5V/µs		20 MA	CMOS	3MHz	0.2 PA	500 µV	1.8 v	5.5 v
TPA6101A2ZQYRG1	-	RFQ	5219	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	15-VFBGA	AB	Depop, 및 단락 열 보호 보호, 종료	TPA610		헤드폰, 2 채널 (스테레오)		1.6V ~ 3.6V	15-BGA Microstar Junior (2.5x2.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500										50MW x 2 @ 16ohm
LM224AN	0.5400	RFQ	10	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)		구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)			LM224	1.4ma (x4 ()	-	4		14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	25	0.5V/µs		30 MA	범용	1.3 MHz	15 na	2 MV	3 v	30 v
THS3125IPWPR	8.0880	RFQ	3935	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-powertssop (0.173 ", 4.40mm 너비)			THS3125	8.4ma (x2 ()	-	2		14-HTSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,000	1550V/µs	160MHz	440 MA	현재 현재	138 MHz	6 µA	4.4 MV	10 v	30 v
THS4151IDGNR	13.5100	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드			THS4151	17.5MA	미분	1		8-HVSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500	650V/µs	150MHz	85 MA	미분	340MHz	4.3 µA	1.1 MV	4 v	33 v
OPA37GPG4	-	RFQ	8680	텍사스 텍사스	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			OPA37	3.3ma	-	1		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	50	11.9V/µs		25 MA	범용	63MHz	15 na	25 µV	8 v	44 v
TSM104WID	-	RFQ	8184	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 105 ° C		표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TSM104	1.4ma (x4 ()	-	4		16-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	40	0.3V/µs		40 MA	범용	900 kHz	30 na	1 MV	3 v	30 v
LMC8101MMX/NOPB	-	RFQ	7492	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			LMC8101	1.1ma	철도 철도 레일	1		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	3,500	1.2V/µs			범용	1.3 MHz	1 PA	700 µV	2.7 v	10 v
TL3474AIPWR	0.6135	RFQ	1129	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C		표면 표면	14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			TL3474	3.5MA (x4 ()	-	4		14-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,000	13V/µs		34 MA	범용	4 MHz	100 NA	1 MV	4 v	36 v
TPA3100D2RGZR	4.8210	RFQ	6881	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	48-vfqfn 노출 패드	d. d	차동 차동, 입력, 단락 및 열 보호 보호, 종료	TPA3100		2 채널 (스테레오)		10V ~ 26V	48-VQFN (7x7)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500										21.8W x 2 @ 8ohm
opa334aidbvrg4	-	RFQ	4573	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SOT-23-6			OPA334	285µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-6	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	3,000	1.6V/µs		50 MA	제로 제로	2 MHz	70 PA	1 µV	2.7 v	5.5 v
TAS5806MDCPR	2.7500	RFQ	3	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-25 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	38-powertfsop (0.173 ", 4.40mm 너비)	d. d	-	TAS5806		1 또는 (모노) 또는 2 채널 (스테레오)		1.62V ~ 3.63V, 4.5V ~ 26.4V	38-HTSSOP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,000										45W x 1 @ 4ohm, 23W x 2 @ 8ohm
TLE2061ACDR	-	RFQ	3317	텍사스 텍사스	Excalibur ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLE206	290µA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500	3.4V/µs		80 MA	J-FET	2 MHz	4 PA	500 µV	7 v	36 v
OPA237NA/3K	1.8600	RFQ	4	텍사스 텍사스	MicroAmplifier ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			OPA237	200µA	-	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	3,000	0.5V/µs		8 MA	범용	1.5MHz	8.5 NA	350 µV	2.7 v	36 v
TL031ID	0.6700	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TL031	217µA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	75	5.1V/µs			J-FET	1.1 MHz	2 PA	500 µV	10 v	30 v
buf634pg4	-	RFQ	1838	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			BUF634	15MA	-	1		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	50	2000V/µs	180MHz	250 MA	완충기		5 µA	30MV	4.5 v	36 v
INA129U	10.9100	RFQ	7462	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			INA129	700µA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	75	4V/µs	1.3 MHz	15 MA	수단		20 NA	10 µV	4.5 v	36 v
LMV931MF/NOPB	1.7300	RFQ	17	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			LMV931	116µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	1,000	0.42V/µs		100 MA	범용	1.5MHz	14 na	1 MV	1.8 v	5.5 v
LF412ACN/NOPB	5.1700	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			LF412	3.6ma (x2 ()	-	2		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	40	15V/µs			J-FET	4 MHz	50 PA	500 µV	10 v	44 v
LMV1032UP-15/NOPB	2.1800	RFQ	2358	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	4-XFBGA, DSBGA	AB	마이크로폰	LMV1032		1 채널 (모노)		1.7V ~ 5V	4-DSBGA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	250										-
ONET1151PRGTR	2.8200	RFQ	4553	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		광학 광학	표면 표면	16-vfqfn 노출 패드	증폭기 증폭기		ONET1151					16-VQFN (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	5A991B1	8542.39.0001	3,000
opa365aidr	2.2600	RFQ	4	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA365	4.6MA	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500	25V/µs		65 MA	범용	50MHz	0.2 PA	100 µV	2.2 v	5.5 v
TLC070CDGN	-	RFQ	3695	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드			TLC070	2.1ma	-	1		8-HVSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	560	19V/µs		57 MA	범용	10MHz	1.5 PA	390 µV	4.5 v	16 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

선형 (16030)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²