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선형 (16030)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	표준	제어 제어	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
tlv2362ipwr	0.8600	RFQ	480	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			TLV2362	1.75ma (x2 채널)	-	2		8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,000					3V/µs		20 MA	범용	7 MHz	20 NA	1 MV	2 v	5 v
OPA2703EA/2K5	6.5300	RFQ	2	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			OPA2703	160µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500					0.6V/µs		10 MA	CMOS	1MHz	1 PA	160 µV	4 v	12 v
Sn10502d	4.7100	RFQ	9005	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인		전압 전압	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			SN10502	14 MA	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	75				2.7V ~ 16V, ± 1.35V ~ 8V	900V/µs	170 MHz	100 MA
LM358bpx	-	RFQ	9062	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8-VFBGA			LM358	300µA (x2 채널)	-	2		8- USMD	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	3,000					0.5V/µs		40 MA	범용	1.2 MHz	10 na	1 MV	3 v	30 v
tlc272cpwr	1.4600	RFQ	1247	텍사스 텍사스	Lincmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			TLC272	1.9ma (x2 ()	-	2		8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,000					5.3V/µs		30 MA	CMOS	2.2 MHz	0.7 PA	1.1 MV	3 v	16 v
TLC2262CP	2.4300	RFQ	253	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TLC2262	425µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	50					0.55V/µs		50 MA	CMOS	730kHz	1 PA	300 µV	4.4 v	16 v
OPA134UA/2K5	2.9900	RFQ	1794	텍사스 텍사스	SoundPlus ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA134	4MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500					20V/µs		35 MA	오디오	8 MHz	5 PA	500 µV	5 v	36 v
LMV1015XR-15/NOPB	-	RFQ	3280	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	4-XFBGA, DSBGA	AB	마이크로폰	LMV1015		1 채널 (모노)		2V ~ 5V	4-DSBGA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	250														-
TLE2074MFKB	53.0900	RFQ	19	텍사스 텍사스	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	20-Clcc				3.1ma (x4 ()	-	4		20-LCCC (8.89x8.89)	다운로드				귀 99	8542.33.0001	1					40V/µs		48 MA	J-FET	10MHz	20 PA	490 µV	4.5 v	38 v
opa334aidbvt	3.6500	RFQ	112	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SOT-23-6			OPA334	285µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-6	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	250					1.6V/µs		50 MA	제로 제로	2 MHz	70 PA	1 µV	2.7 v	5.5 v
opa2111km	-	RFQ	6378	텍사스 텍사스	difet®	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		구멍을 구멍을	TO-99-8 9 캔			OPA211	5MA (X2 2)	-	2		To-99-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	20					2V/µs		10 MA	범용	2 MHz	3 PA	300 µV	10 v	36 v
opa2354aidda	4.1300	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8-Powersoic (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA2354	4.9ma (x2 ()	철도 철도 레일	2		8- 파워 패드	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	75					150V/µs	250MHz	100 MA	CMOS, 전압,	100MHz	3 PA	2 MV	2.5 v	5.5 v
INA121U/2K5	9.0200	RFQ	7452	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			INA121	450µA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500					0.7V/µs	5 kHz	14 MA	수단		4 PA	200 µV	4.5 v	36 v
THS7001IPWPR	-	RFQ	6637	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	20-powertssop (0.173 ", 4.40mm 너비)			THS700	7ma	-	1		20-HTSSOP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,000					85V/µs	100MHz		프로그래밍 프로그래밍 이익	70MHz	2.5 µA	1 MV	9 v	32 v
opa310idbvr	0.7600	RFQ	2605	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	SC-74A, SOT-753				165µA	푸시 푸시, 풀 투 레일	1		SOT-23-5	-		1 (무제한)				3,000					3V/µs		20 MA	범용	3MHz	30 PA	250 µV	1.5 v	5.5 v
TLC2272MD	2.0296	RFQ	8114	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC2272	2.4ma (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	75					3.6V/µs		50 MA	CMOS	2.25 MHz	1 PA	300 µV	4.4 v	16 v
TL074ACD	1.3200	RFQ	3813	텍사스 텍사스	-	튜브	마지막으로 마지막으로	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TL074	1.4ma (x4 ()	-	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	50					13V/µs			J-FET	3MHz	65 PA	3 MV	10 v	30 v
OPA2227UA/2K5	5.6300	RFQ	4735	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA2227	3.7ma (x2 ()	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500					2.3V/µs		45 MA	범용	8 MHz	2.5 NA	10 µV	5 v	36 v
TAS5186DDV	-	RFQ	3446	텍사스 텍사스	PurePath Digital ™	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 125 ° C (TJ)		표면 표면	44-powertssop (0.244 ", 6.20mm 너비)	d. d	디지털 디지털, 입력 및 열 열 보호, 종료	TAS518		6 채널		10.8V ~ 13.2v	44-HTSSOP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	35														60W x 1 @ 3ohm; 30W x 5 @ 6ohm
tle2062aid	6.1300	RFQ	6647	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLE2062	625µa (x2 채널)	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	75					3.4V/µs		80 MA	J-FET	2 MHz	4 PA	800 µV	7 v	36 v
opa1013dn8	-	RFQ	8593	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			OPA1013	350µa (x2 채널)	-	2		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	50					0.35V/µs			범용	600 kHz	7 NA	200 µV	5 v	36 v
opa4820id	9.5900	RFQ	203	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA4820	22.6MA	미분	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	50					240V/µs	650MHz	85 MA	전압 전압	250MHz	9 µA	250 µV	4 v	12.6 v
LM318D	1.6500	RFQ	356	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LM318	5MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	75					70V/µs	15MHz		범용	15MHz	150 NA	4 MV	10 v	40 v
OPA4322SAIPW	4.4000	RFQ	85	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			OPA4322	1.6MA (x4 ()	철도 철도 레일	4		16-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	90					10V/µs		65 MA	CMOS	20MHz	0.2 PA	500 µV	1.8 v	5.5 v
LMV358QPWE4	-	RFQ	6625	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			LMV358	210µA (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	1,050					1V/µs		40 MA	범용	1MHz	15 na	1.7 MV	2.7 v	5.5 v
OPA237NA/3K	1.8600	RFQ	4	텍사스 텍사스	MicroAmplifier ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			OPA237	200µA	-	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	3,000					0.5V/µs		8 MA	범용	1.5MHz	8.5 NA	350 µV	2.7 v	36 v
LM4923LQ/NOPB	1.7000	RFQ	8768	텍사스 텍사스	부머 ®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8-wqfn n 패드	AB	Depop, 입력 차동, 셧다운, 열 보호	LM4923		1 채널 (모노)		2.4V ~ 5.5V	8-WQFN (2x2)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	1,000														1.1W x 1 @ 8ohm
LMH1226RTWT	37.4000	RFQ	32	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		전문 전문	표면 표면	24-wfqfn q 패드			LMH1226				2.375V ~ 2.625V	24-WQFN (4x5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.39.0001	250	Reclocker	AES10, DVB-ASI, Smpte	SPI
opa452faktwt	7.9200	RFQ	405	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA			OPA452	5.5MA	-	1		DDPAK/TO-263-7	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	250					10V/µs		50 MA	범용	1.8 MHz	7 PA	1 MV	20 v	80 v
TLC25M2ACD	4.5495	RFQ	3393	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC25M2	285µA (x2 채널)	열린 열린	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	75					2.9V/µs			CMOS	1.7 MHz	0.7 PA	900 µV	1.4 v	16 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

선형 (16030)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²