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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
LMV821DCKR	-	RFQ	3754	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353			LMV821	300µA	철도 철도 레일	1		SC-70-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	3,000	1.9V/µs		45 MA	범용	5.5MHz	40 Na	1 MV	2.5 v	5.5 v
LMH6504mmx	-	RFQ	4385	텍사스 텍사스	LMH®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			LMH6504	11ma	-	1		8-VSSOP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)		귀 99	8542.33.0001	3,500	1500V/µs	150MHz	80 MA	가변 가변		1.4 µA		7 v	12 v
TLV2622IDGK	-	RFQ	8866	텍사스 텍사스	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			TLV262	800µA (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-VSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	80	7V/µs		28 MA	CMOS	11 MHz	2 PA	250 µV	2.7 v	5.5 v
TLV2764IN	4.0200	RFQ	92	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	14-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TLV2764	20µa (x4 ()	철도 철도 레일	4		14-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	25	0.23V/µs		10.2 MA	범용	500 kHz	3 PA	550 µV	1.8 v	3.6 v
THS4151IDGNR	13.5100	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드			THS4151	17.5MA	미분	1		8-HVSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500	650V/µs	150MHz	85 MA	미분	340MHz	4.3 µA	1.1 MV	4 v	33 v
tlv2472idgnr	3.0800	RFQ	5	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드			TLV2472	600µA (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-HVSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500	1.5V/µs		35 MA	CMOS	2.8 MHz	2.5 PA	250 µV	2.7 v	6 v
OPA2107AU/2K5G4	-	RFQ	6519	텍사스 텍사스	difet®	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-25 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA2107	4.5MA (x2 ()	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500	18V/µs		40 MA	범용	4.5MHz	4 PA	100 µV	9 v	36 v
THS4150IDGNR	13.5100	RFQ	1	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드			THS4150	17.5MA	미분	1		8-HVSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500	650V/µs	150MHz	85 MA	미분	340MHz	4.3 µA	1.1 MV	4 v	33 v
LM324KNSR	0.5300	RFQ	3656	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비)			LM324	1.4ma (x4 ()	-	4		14-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,000	0.5V/µs		30 MA	범용	1.2 MHz	20 NA	3 MV	3 v	30 v
TLV2475CN	3.7847	RFQ	2458	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	구멍을 구멍을	16-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TLV2475	600µA (x4 채널)	철도 철도 레일	4		16-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	25	1.5V/µs		35 MA	CMOS	2.8 MHz	2.5 PA	250 µV	2.7 v	6 v
TAS5414TDKDRQ1	-	RFQ	3015	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	표면 표면	36-BSSOP (0.433 ", 11.00mm) 노출 패드	d. d	Depop, i²c, 음소거, 단락 및 열 보호, 종료	TAS541		4 채널 (쿼드)		8V ~ 22V	36-HSSOP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	500										116w x 2 @ 2ohm, 58w x 4 @ 4ohm
TLV2773CDR	-	RFQ	9485	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLV277	1MA (x2 2)	철도 철도 레일	2		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500	10.5V/µs		50 MA	CMOS	5.1 MHz	2 PA	700 µV	2.5 v	5.5 v
NE5532P	0.7000	RFQ	15	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			NE5532	8ma (x2 2)	-	2		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	50	9V/µs		38 MA	범용	10MHz	200 NA	500 µV	10 v	30 v
OPA2338EA/250	2.2000	RFQ	4	텍사스 텍사스	MicroAmplifier ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	SOT-23-8			OPA2338	525µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		SOT-23-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	250	4.6V/µs		9 MA	CMOS	12.5MHz	0.2 PA	500 µV	2.7 v	5.5 v
TLV2451AIP	2.0013	RFQ	6865	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TLV2451	23µA	철도 철도 레일	1		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	50	0.11v/µs		10 MA	범용	220 kHz	500 PA	300 µV	2.7 v	6 v
LM324ADR	0.4200	RFQ	79	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LM324	1.4ma (x4 ()	-	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500	0.5V/µs		30 MA	범용	1.2 MHz	15 na	2 MV	3 v	30 v
INA121p	10.4800	RFQ	180	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			INA121	450µA	-	1		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	50	0.7V/µs	600 kHz	14 MA	수단		4 PA	200 µV	4.5 v	36 v
OPA2353UA	6.2000	RFQ	1	텍사스 텍사스	MicroAmplifier ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA2353	5.2MA (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	75	22V/µs		40 MA	CMOS	44 MHz	0.5 PA	3 MV	2.5 v	5.5 v
INA129U	10.9100	RFQ	7462	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			INA129	700µA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	75	4V/µs	1.3 MHz	15 MA	수단		20 NA	10 µV	4.5 v	36 v
TLV2252IP	4.0141	RFQ	3960	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TLV2252	70µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	50	0.12V/µs		50 MA	범용	200 kHz	1 PA	200 µV	2.7 v	8 v
LM13700MX	0.7395	RFQ	5821	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	표면 표면	16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LM13700	2.6MA (x2 ()	푸시 푸시	2		16-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500	50V/µs		500 µA	초전도	2 MHz	400 NA	300 µV	10 v	36 v
LMC6482IN/NOPB	4.9500	RFQ	333	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			LMC6482	1.3ma (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	40	1.3V/µs		30 MA	CMOS	1.5MHz	0.02 PA	110 µV	3 v	15.5 v
LF347M/NOPB	2.8800	RFQ	9651	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LF347	7.2MA (x4 ()	-	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	55	13V/µs			J-FET	4 MHz	50 PA	5 MV	10 v	36 v
LM4866LQ/NOPB	-	RFQ	5088	텍사스 텍사스	부머 ®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	표면 표면	24-wfqfn q 패드	AB	Depop, 열, 셧다운 보호	LM4866		2 채널 (스테레오)		2V ~ 5.5V	24-WQFN (4x5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	1,000										3.2wx 2 @ 3ohm
tlv2470aidr	-	RFQ	1882	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLV247	600µA	철도 철도 레일	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500	1.5V/µs		35 MA	범용	2.8 MHz	2.5 PA	250 µV	2.7 v	6 v
opa301aidr	1.1385	RFQ	9314	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA301	9.5MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500	80V/µs		70 MA	전압 전압	150MHz	0.1 PA	1 MV	2.7 v	5.5 v
TL3472IP	0.9900	RFQ	5	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TL3472	3.5MA (x2 ()	-	2		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	50	13V/µs		34 MA	범용	4 MHz	100 NA	1 MV	4 v	36 v
opa334aidbvt	3.6500	RFQ	112	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	SOT-23-6			OPA334	285µA	철도 철도 레일	1		SOT-23-6	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	250	1.6V/µs		50 MA	제로 제로	2 MHz	70 PA	1 µV	2.7 v	5.5 v
INA114AU/1K	11.1900	RFQ	4329	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	표면 표면	16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비)			INA114	2.2MA	-	1		16-	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	1,000	0.6V/µs	1MHz	20 MA	수단		500 PA	25 µV	4.5 v	36 v
TLV2460cp	1.7066	RFQ	6785	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			TLV2460	550µA	철도 철도 레일	1		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	50	1.6V/µs		80 MA	범용	6.4 MHz	1.3 NA	500 µV	2.7 v	6 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

선형 (16030)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²