RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

선형 (16030)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	특징	기본 기본 번호	전류 - 공급	출력 출력	회로 회로	전압 - 공급	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	요소 요소	전압- 단일, 공급/듀얼 (±)	전압- 오프셋 입력 (최대)	현재- 바이어스 입력 (최대)	현재- 유형 (출력)	현재 -Quiescent (최대)	CMRR, PSRR (TYP)	전파 전파 (지연)	히스테리시스	슬림 슬림	-3dB 대역폭	현재 - 채널 / 출력	증폭기 증폭기	대역폭 대역폭 얻습니다	전류 - 바이어스 입력	전압 - 오프셋 입력	전압- 범위 공급 (최소)	전압- 범위 공급 (최대)	load
LMV721IDBVR	1.0000	RFQ	5	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C		표면 표면	SC-74A, SOT-753			LMV721	1.03MA	철도 철도 레일	1		SOT-23-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	3,000										5.25V/µs			범용	10MHz	260 NA	80 µV	2.2 v	5 v
TLV2442IDG4	-	RFQ	5109	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLV2442	750µa (x2 채널)	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	75										1.4V/µs		50 MA	CMOS	1.81 MHz	1 PA	300 µV	2.7 v	10 v
opa2375idsgr	2.0100	RFQ	3095	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8-Wfdfn d 패드 패드			OPA2375	990µA	철도 철도 레일	2		8-wson (2x2)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	3,000										4.6V/µs		68 MA	CMOS	10MHz	3 PA	150 µV	1.7 v	5.5 v
tlc252cpwle	0.8000	RFQ	5	텍사스 텍사스	Lincmos ™	대부분	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)				1.9ma (x2 ()	-	2		8-tssop	-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	공급 공급 정의되지 업체는	귀 99	8542.33.0001	1,500										2.9V/µs			CMOS	2.2 MHz	0.6 PA	1.1 MV	1.4 v	16 v
LMV716MMX	-	RFQ	3299	텍사스 텍사스	LMV®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)			LMV716	1.6MA (x2 ()	차동, 대 철도 레일	2		8-VSSOP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	3,500										5.8V/µs		41 MA	범용	5 MHz	0.6 PA	1.6 MV	2.7 v	5 v
tl062ipwr	0.8000	RFQ	3544	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)			TL062	200µa (x2 ()	-	2		8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,000										3.5V/µs		20 MA	J-FET	1MHz	30 PA	3 MV	10 v	30 v
LMH6554LEX/NOPB	4.9365	RFQ	5327	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	14-Ufqfn			LMH6554	52MA	미분	1		14-UQFN (2.5x2.5)	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	4,500										6200V/µs	2.8GHz	150 MA	현재 현재		1 µA	6.5 MV	4.7 v	5.25 v
lmv321aidckr	0.4700	RFQ	5	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353			LMV321	70µA	철도 철도 레일	1		SC-70-5	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	3,000										1.7V/µs		40 MA	범용	1MHz	10 PA	1 MV	2.5 v	5.5 v
tlv27l2id	2.4800	RFQ	355	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLV27L2	7µA (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	75										0.06V/µs		400 µA	범용	160 kHz	1 PA	500 µV	2.7 v	16 v
LMV7239 MWC	-	RFQ	8993	텍사스 텍사스	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	주사위	범용		LMV723		푸시 푸시, 풀 투 레일			wafersale	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		귀 99	8542.33.0001	1	1	2.7V ~ 5.5V	6MV @ 5V	0.4µa @ 5V	-	95µA	67dB CMRR, 85dB PSRR	62ns	-
LMP8640MKE-H/NOPB	2.9100	RFQ	5	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6			LMP8640	2.3ma	-	1		SOT-23-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	250										1.8V/µs			현재의 현재의	230kHz	13 µA	900 µV	2.7 v	12 v
LM4880MX/NOPB	1.7400	RFQ	3	텍사스 텍사스	부머 ®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AB	종료, 보호 열	LM4880		2 채널 (스테레오)		2.7V ~ 5.5V	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500																			325MW x 2 @ 8ohm
TPA005D12DCAR	6.4000	RFQ	4	텍사스 텍사스	자동차	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비) 노출 패드	d. d	-			스테레오 스테레오 2 헤드폰이있는 (스테레오)		4.5V ~ 5.5V	48-HTSSOP	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받습니다	귀 99	8542.33.0001	2,000																			2W x 2 @ 4ohm
OP07DPG4	-	RFQ	1836	텍사스 텍사스	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	0 ° C ~ 70 ° C		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			OP07	-	-	1		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	50										0.3V/µs			범용	600 kHz	2 NA	60 µV	6 v	36 v
LM358bpx	-	RFQ	9062	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	8-VFBGA			LM358	300µA (x2 채널)	-	2		8- USMD	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	3,000										0.5V/µs		40 MA	범용	1.2 MHz	10 na	1 MV	3 v	30 v
opa561pwp	-	RFQ	5807	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	20-powertssop (0.173 ", 4.40mm 너비)			OPA561	50ma	-	1		20-HTSSOP	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	70										50V/µs		1.2 a	범용	17 MHz	10 PA	1 MV	7 v	15 v
TLC2272AMDR	1.4325	RFQ	5824	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC2272	2.4ma (x2 ()	철도 철도 레일	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500										3.6V/µs		50 MA	CMOS	2.25 MHz	1 PA	300 µV	4.4 v	16 v
NE5532P	0.7000	RFQ	15	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		구멍을 구멍을	8-DIP (0.300 ", 7.62mm)			NE5532	8ma (x2 2)	-	2		8-PDIP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	50										9V/µs		38 MA	범용	10MHz	200 NA	500 µV	10 v	30 v
TLE2141ACD	2.8800	RFQ	295	텍사스 텍사스	Excalibur ™	튜브	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLE2141	3.5MA	-	1		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	75										45V/µs		50 MA	범용	5.9 MHz	700 NA	175 µV	4 v	44 v
ONET1130ECRSMT	26.0537	RFQ	7196	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		광학 광학	표면 표면	32-vfqfn 노출 패드	증폭기 증폭기		ONET1130					32-VQFN (4x4)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	5A991B1	8542.39.0001	250
onet3301pargtr	-	RFQ	5477	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	16-vfqfn 노출 패드			onet330	32MA	미분	1		16-VQFN (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	3,000										-	45 kHz	25 MA	제한				3 v	3.6 v
tlc27l2bid	0.9546	RFQ	9233	텍사스 텍사스	Lincmos ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLC27L2	20µa (x2 ()	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	75										0.03V/µs		30 MA	CMOS	110 kHz	0.6 PA	240 µV	4 v	16 v
opa861idbvrg4	-	RFQ	7799	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	SOT-23-6			OPA861	5.4ma	-	1		SOT-23-6	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	3,000										900V/µs			초전도	80MHz	1 µA	3 MV	4 v	12.6 v
TL074CD	1.2300	RFQ	4	텍사스 텍사스	-	튜브	마지막으로 마지막으로	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TL074	1.4ma (x4 ()	-	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	50										13V/µs			J-FET	3MHz	65 PA	3 MV	10 v	30 v
OPA2277MDTEP	-	RFQ	7298	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			OPA2277	790µa (x2 채널)	-	2		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	250										0.8V/µs		35 MA	범용	1MHz	500 PA	20 µV	4 v	36 v
LMV931Q1MG/NOPB	0.8945	RFQ	6156	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		표면 표면	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353			LMV931	116µA	철도 철도 레일	1		SC-70-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	1,000										0.42V/µs			범용	1.5MHz	14 na	1 MV	1.8 v	5.5 v
LMH6502MA/NOPB	11.7200	RFQ	54	텍사스 텍사스	LMH®	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			LMH6502	27ma	-	1		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	55										1800V/µs	130MHz	90 MA	가변 가변		9 µA		5 v	12 v
TLE2064IDG4	-	RFQ	4562	텍사스 텍사스	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		표면 표면	14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			TLE206	1.25MA (x4 채널)	-	4		14 -Soic	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	50										3.4V/µs		80 MA	J-FET	2 MHz	4 PA	900 µV	7 v	36 v
TAS6424LQDKQQ1	12.6485	RFQ	9888	텍사스 텍사스	자동차, AEC-Q100	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		표면 표면	56-powerbssop (0.295 ", 7.50mm 너비)	d. d	Depop, Digital Inputs, i²c, i², 음소거, 단락 및 열 보호, 셧다운, 볼륨 제어	TAS6424		4 채널 (쿼드)		4.5V ~ 18V	56-HSSOP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	20																			80w x 4 @ 2ohm
ths4120idgnr	3.7065	RFQ	6952	텍사스 텍사스	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드			THS4120	11ma	미분	1		8-HVSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8542.33.0001	2,500										55V/µs	100MHz	100 MA	미분		1.2 PA	3 MV	3 v	3.5 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

선형 (16030)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²