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 | R5F104ECGNA#40 | 1.2300 | | 5059 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | RL78/G14 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 40-wfqfn q 패드 | R5F104 | 40-HWQFN (6x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 559-R5F104ECGNA#40tr | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 2,500 | 28 | RL78 | 16 비트 | 32MHz | CSI, I²C, Linbus, UART/USART | DMA, LVD, POR, PWM, WDT | 32KB (32k x 8) | 플래시 | 4K X 8 | 4K X 8 | 2.4V ~ 5.5V | A/D 9x8/10B | 내부 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| STM32L412CBT3TR | 3.4373 | | 4501 | 0.00000000 | stmicroelectronics | STM32L4 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 48-LQFP | 48-LQFP (7x7) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 497-STM32L412CBT3TR | 2,400 | 38 | ARM® Cortex®-M4 | 32 비트 | 80MHz | i²c, 적외선, irda, linbus, qspi, spi, uart/usart, usb | dma, dma, pwm, 온도 센서, wdt | 128KB (128k x 8) | 플래시 | - | 40k x 8 | 1.71V ~ 3.6V | A/D 10X12B SAR | 외부, 내부 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MC9S08PT60VLC-FR | - | | 9859 | 0.00000000 | 프리 프리 반도체 | S08 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 표면 표면 | 32-LQFP | MC9S08 | 32-LQFP (7x7) | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.31.0001 | 1 | 28 | S08 | 8 비트 | 20MHz | I²C, Linbus, SPI, UART/USART | LVD, POR, PWM, WDT | 60kb (60k x 8) | 플래시 | 256 x 8 | 4K X 8 | 2.7V ~ 5.5V | A/D 16x12b | 외부 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | MPC8378VRANGA | - | | 3698 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | MPC83XX | 쟁반 | 쓸모 쓸모 | 0 ° C ~ 125 ° C (TA) | 표면 표면 | 689-BBGA -b 패드 | MPC8378 | 689-Tepbga II (31x31) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 935314621557 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 27 | Powerpc E300c4s | 800MHz | 1 비트, 32 코어 | - | DDR, DDR2 | 아니요 | - | 10/100/1000Mbps (2) | - | USB 2.0 + phy (1) | 1.8V, 2.5V, 3.3V | - | Duart, I²C, MMC/SD, PCI, SPI |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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