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내장 (70)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 i/o 수의 핵심 핵심 핵심 핵심 속도 연결성 주변 주변 프로그램 프로그램 크기 프로그램 프로그램 유형 eeprom 크기 램 램 전압- v (VCC/VDD) 데이터 데이터 발진기 발진기
TMPM3HQF10BFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HQF10BFG 14.3800
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TXZ+ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 144-LQFP 144-LQFP (20x20) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 264-TMPM3HQF10BFG 60 134 ARM® Cortex®-M3 32 비트 120MHz I²C, SPI, UART/USART DMA, LVD, 모터 제어 PWM, POR, WDT 1MB (1m x 8) 플래시 32k x 8 128k x 8 2.7V ~ 5.5V A/D 21X12B SAR; d/a 2x8b 외부, 내부
TMPM067FWQG(EL,Z) Toshiba Semiconductor and Storage tmpm067fwqg (el, z) 4.2400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX00 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-vfqfn 노출 패드 TMPM067 48-QFN (7x7) 다운로드 rohs 준수 귀 99 8542.31.0001 2,000 32 ARM® Cortex®-M0 32 비트 싱글 비트 24MHz I²C, SIO, SPI, UART/USART, USB DMA, LVD, POR, WDT 128KB (128k x 8) 플래시 - 16k x 8 1.8V ~ 3.6V A/D 8x10B 외부
TMPM4G9F15FG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G9F15FG (DBB) -
RFQ
 ECAD 4560 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX04 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp TMPM4G9 100-LQFP (14x14) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 3A991A2 8542.31.0001 60 150 ARM® Cortex®-M4F 32 비트 싱글 비트 160MHz CEC, EBI/EMI, I²C, IRDA, SIO, SPI, SMIF, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 1.5MB (1.5MX 8) 플래시 32k x 8 192k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 24x12b; d/a 2x8b 내부
TMPM332FWUG(C) Toshiba Semiconductor and Storage tmpm332fwug (c) 2.6477
RFQ
 ECAD 6546 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX03 쟁반 활동적인 -20 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-LQFP TMPM332 64-LQFP (10x10) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 3A991A2 8542.31.0001 450 44 ARM® Cortex®-M3 32 비트 싱글 비트 40MHz i²c, sio, uart/usart 포, wdt 128KB (128k x 8) 플래시 - 8k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 8x10B 외부
TMPM061FWFG(C,OHZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM061FWFG (C, OHZ) -
RFQ
 ECAD 4666 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX00 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp TMPM061 100-LQFP (14x14) 다운로드 rohs 준수 TMPM061FWFG (COHZ) 귀 99 8542.31.0001 900 64 ARM® Cortex®-M0 32 비트 싱글 비트 16MHz i²c, sio, uart/usart LCD, LVD, Wdt 128KB (128k x 8) 플래시 - 8k x 8 1.8V ~ 3.6V A/D 2X10B 내부
TMPM370FYDFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM370FYDFG 7.8320
RFQ
 ECAD 6368 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX03 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-bqfp TMPM370 100-QFP (14x20) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 3A991A2 8542.31.0001 1 74 ARM® Cortex®-M3 32 비트 싱글 비트 80MHz i²c, sio, uart/usart DMA, PWM, Wdt 256KB (256k x 8) 플래시 - 10k x 8 4.5V ~ 5.5V A/D 22x12b SAR 내부
TMP91FW27UG Toshiba Semiconductor and Storage TMP91FW27UG -
RFQ
 ECAD 8461 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TLCS-900/L1 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-LQFP TMP91 64-LQFP (10x10) - 3 (168 시간) TMP91FW27UG (JZ) 3A991A2 8542.31.0001 10 53 900/L1 16 비트 27MHz EBI/EMI, I²C, IRDA, UART/USART DMA, Wdt 128KB (128k x 8) 플래시 - 12k x 8 2.2V ~ 3.6V A/D 4X10B 내부
TMPM037FWUG(KY,JZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM037FWUG (KY, JZ) 3.7900
RFQ
 ECAD 5507 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX00 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-LQFP TMPM037 64-LQFP (10x10) 다운로드 rohs 준수 tmpm037fwug (kyjz) 귀 99 8542.31.0001 150 51 ARM® Cortex®-M0 32 비트 싱글 비트 20MHz i²c, sio, uart/usart DMA, LVD, POR, WDT 128KB (128k x 8) 플래시 - 16k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 8x10B 외부
TMP86FS49BUG(C,JZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP86FS49BUG (C, JZ) -
RFQ
 ECAD 2353 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TLCS-870/c 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-LQFP TMP86 64-LQFP (10x10) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.31.0001 10 56 870/c 8 비트 16MHz i²c, sio, uart/usart LED, PWM, WDT 60kb (60k x 8) 플래시 - 2k x 8 2.7V ~ 5.5V A/D 16x10b 내부
TMPM383FWUG(JZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM383FWUG (JZ) 4.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX03 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-LQFP TMPM383 64-LQFP (10x10) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 3A991A2 8542.31.0001 160 47 ARM® Cortex®-M3 32 비트 싱글 비트 40MHz i²c, 전자,, sio, spi, ssi, ssp, uart/usart 포, wdt 128KB (128k x 8) 플래시 - 10k x 8 3.9V ~ 5.5V A/D 10X12B 외부
TMPM4G9FEFG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G9FEFG (DBB) 12.7000
RFQ
 ECAD 9982 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX04 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp TMPM4G9 100-LQFP (14x14) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 3A991A2 8542.31.0001 60 150 ARM® Cortex®-M4F 32 비트 싱글 비트 160MHz CEC, EBI/EMI, I²C, IRDA, SIO, SPI, SMIF, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 768KB (768k x 8) 플래시 32k x 8 128k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 24x12b; d/a 2x8b 내부
TMP86PH06UG(C,JZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP86PH06UG (C, JZ) -
RFQ
 ECAD 9854 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TLCS-870/c 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-LQFP TMP86 44-LQFP (10x10) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.31.0001 450 8 - 8 비트 16MHz EBI/EMI - 16KB (16k x 8) OTP - 512 x 8 1.8V ~ 5.5V - 외부
TMPM333FWFG(C,J) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM333FWFG (C, J) 4.7190
RFQ
 ECAD 3866 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX03 쟁반 활동적인 -20 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp TMPM333 100-LQFP (14x14) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) TMPM333FWFG (CJ) 3A991A2 8542.31.0001 200 78 ARM® Cortex®-M3 32 비트 싱글 비트 40MHz i²c, sio, uart/usart 포, wdt 128KB (128k x 8) 플래시 - 8k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 12x10B 외부
TMPM4G9F10FG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G9F10FG (DBB) -
RFQ
 ECAD 4453 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX04 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp TMPM4G9 100-LQFP (14x14) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 3A991A2 8542.31.0001 60 150 ARM® Cortex®-M4F 32 비트 싱글 비트 160MHz CEC, EBI/EMI, I²C, IRDA, SIO, SPI, SMIF, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 1MB (1m x 8) 플래시 32k x 8 192k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 24x12b; d/a 2x8b 내부
TMPM066FWUG Toshiba Semiconductor and Storage tmpm066fwug 2.7720
RFQ
 ECAD 3758 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX00 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-LQFP TMPM066 64-LQFP (10x10) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) tmpm066fwug (jz) 3A991A2 8542.31.0001 160 48 ARM® Cortex®-M0 32 비트 싱글 비트 24MHz I²C, SIO, SPI, UART/USART, USB DMA, LVD, POR, WDT 128KB (128k x 8) 플래시 - 16k x 8 1.8V ~ 3.6V A/D 8x10B 외부
TMPM4G6F10FG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G6F10FG (DBB) 11.7800
RFQ
 ECAD 8616 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX04 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp TMPM4G6 100-LQFP (14x14) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 3A991A2 8542.31.0001 90 86 ARM® Cortex®-M4F 32 비트 싱글 비트 160MHz CEC, EBI/EMI, I²C, IRDA, SIO, SPI, SMIF, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 1MB (1m x 8) 플래시 32k x 8 192k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 16x12b; d/a 2x8b 내부
TMPM362F10FG(C) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM362F10FG (C) 8.6152
RFQ
 ECAD 2024 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX03 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -20 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-fqfp TMPM362 144-LQFP (20x20) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 3A991A2 8542.31.0001 200 104 ARM® Cortex®-M3 32 비트 싱글 비트 64MHz EBI/EMI, I²C, Microir, SIO, SPI, SSP, UART/USART DMA, Wdt 1MB (1m x 8) 플래시 - 64k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 16x10b 외부
TMPM380FYFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM380FYFG 5.6782
RFQ
 ECAD 5995 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX03 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp TMPM380 100-LQFP (14x14) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 3A991A2 8542.31.0001 200 83 ARM® Cortex®-M3 32 비트 싱글 비트 40MHz i²c, sio, uart/usart DMA, LVD, Wdt 256KB (256k x 8) 플래시 - 16k x 8 4.5V ~ 5.5V A/D 18x12b 외부
TMP86FS49BFG(ZHZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP86FS49BFG (ZHZ) -
RFQ
 ECAD 6089 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TLCS-870/c 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-bqfp TMP86 64-QFP (14x14) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.31.0001 10 56 870/c 8 비트 16MHz i²c, sio, uart/usart LED, PWM, WDT 60kb (60k x 8) 플래시 - 2k x 8 2.7V ~ 5.5V A/D 16x10b 내부
TMPM4G8FDFG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G8FDFG (DBB) 11.7800
RFQ
 ECAD 1123 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX04 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp TMPM4G8 100-LQFP (14x14) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 3A991A2 8542.31.0001 60 122 ARM® Cortex®-M4F 32 비트 싱글 비트 160MHz CEC, EBI/EMI, I²C, IRDA, SIO, SPI, SMIF, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 512KB (512k x 8) 플래시 32k x 8 128k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 24x12b; d/a 2x8b 내부
TMPM330FDFG(C) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM330FDFG (C) 5.0908
RFQ
 ECAD 2960 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX03 쟁반 활동적인 -20 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp TMPM330 100-LQFP (14x14) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 3A991A2 8542.31.0001 200 79 ARM® Cortex®-M3 32 비트 싱글 비트 40MHz i²c, sio, uart/usart 포, wdt 512KB (512k x 8) 플래시 - 32k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 12x10B 외부
TMPM4GNFDFG Toshiba Semiconductor and Storage tmpm4gnfdfg -
RFQ
 ECAD 2266 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TXZ+ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 100-lqfp 100-LQFP (14x14) 다운로드 264-TMPM4GNFDFG 1 91 ARM® Cortex®-M4F 32 비트 200MHz EBI/EMI, FIFO, I²C, IRDA, SIO, SPI, UART/USART DMA, I²S, LVD, POR, PWM, WDT 512KB (512k x 8) 플래시 32k x 8 192k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 24x12b SAR; d/a 2x8b 외부, 내부
TMPM4NRF10FG Toshiba Semiconductor and Storage tmpm4nrf10fg -
RFQ
 ECAD 5881 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TXZ+ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 176-LQFP 176-LQFP (20x20) 다운로드 264-TMPM4NRF10FG 1 146 ARM® Cortex®-M4F 32 비트 200MHz Canbus, EBI/EMI, Ethernet, FIFO, I²C, Irda, SIO, SPI, UART/USART, USB DMA, I²S, LVD, POR, PWM, WDT 1MB (1m x 8) 플래시 32k x 8 256k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 24x12b SAR; d/a 2x8b 외부, 내부
TMPM4NRF15FG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4NRF15FG -
RFQ
 ECAD 3495 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TXZ+ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 176-LQFP 176-LQFP (20x20) 다운로드 264-TMPM4NRF15FG 1 146 ARM® Cortex®-M4F 32 비트 200MHz Canbus, EBI/EMI, Ethernet, FIFO, I²C, Irda, SIO, SPI, UART/USART, USB DMA, I²S, LVD, POR, PWM, WDT 1.5MB (1.5MX 8) 플래시 32k x 8 256k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 24x12b SAR; d/a 2x8b 외부, 내부
TMPM3HLFDAUG Toshiba Semiconductor and Storage tmpm3hlfdaug 8.5900
RFQ
 ECAD 5132 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TXZ+ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 64-LQFP 64-LQFP (10x10) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 264-TMPM3HLFDAUG 160 57 ARM® Cortex®-M3 32 비트 120MHz I²C, SPI, UART/USART DMA, LVD, 모터 제어 PWM, POR, WDT 512KB (512k x 8) 플래시 32k x 8 64k x 8 2.7V ~ 5.5V A/D 12x12b SAR; d/a 2x8b 외부, 내부
TMPM3HMFDAFG Toshiba Semiconductor and Storage tmpm3hmfdafg 9.9300
RFQ
 ECAD 3683 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TXZ+ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 80-LQFP 80-LQFP (12x12) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 264-TMPM3HMFDAFG 119 73 ARM® Cortex®-M3 32 비트 120MHz I²C, SPI, UART/USART DMA, LVD, 모터 제어 PWM, POR, WDT 512KB (512k x 8) 플래시 32k x 8 64k x 8 2.7V ~ 5.5V A/D 12x12b SAR; d/a 2x8b 외부, 내부
TMPM3HNFDAFG Toshiba Semiconductor and Storage tmpm3hnfdafg 10.1200
RFQ
 ECAD 2238 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TXZ+ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 100-lqfp 100-LQFP (14x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 264-TMPM3HNFDAFG 90 93 ARM® Cortex®-M3 32 비트 120MHz I²C, SPI, UART/USART DMA, LVD, 모터 제어 PWM, POR, WDT 512KB (512k x 8) 플래시 32k x 8 64k x 8 2.7V ~ 5.5V A/D 17X12B SAR; d/a 2x8b 외부, 내부
TMPM365FYXBG(HJ) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM365FYXBG (HJ) 6.5400
RFQ
 ECAD 660 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX03 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 105-LFBGA TMPM365 105-LFBGA (9x9) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 3A991A2 8542.31.0001 168 73 ARM® Cortex®-M3 32 비트 싱글 비트 48MHz I²C, SIO, SPI, UART/USART, USB DMA, Wdt 256KB (256k x 8) 플래시 - 24k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 12x12b 외부
TMPM3HNF10BFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HNF10BFG 13.0700
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TXZ+ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 100-lqfp 100-LQFP (14x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 264-TMPM3HNF10BFG 90 92 ARM® Cortex®-M3 32 비트 120MHz I²C, SPI, UART/USART DMA, LVD, 모터 제어 PWM, POR, WDT 1MB (1m x 8) 플래시 32k x 8 128k x 8 2.7V ~ 5.5V A/D 17X12B SAR; d/a 2x8b 외부, 내부
TMPM366FYXBG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM366FYXBG 5.2553
RFQ
 ECAD 5683 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX03 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 109-tfbga TMPM366 109-TFBGA (9x9) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 3A991A2 8542.31.0001 200 73 ARM® Cortex®-M3 32 비트 싱글 비트 48MHz i²c, sio, spi, uart/usart DMA, LVD, Wdt 256KB (256k x 8) 플래시 - 48k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 12x12b 내부
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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