SIC
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내장 (70)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 i/o 수의 핵심 핵심 핵심 핵심 속도 연결성 주변 주변 프로그램 프로그램 크기 프로그램 프로그램 유형 eeprom 크기 램 램 전압- v (VCC/VDD) 데이터 데이터 발진기 발진기
TMPM4GNF10FG Toshiba Semiconductor and Storage tmpm4gnf10fg -
RFQ
 ECAD 7226 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TXZ+ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 100-lqfp 100-LQFP (14x14) 다운로드 264-TMPM4GNF10FG 1 91 ARM® Cortex®-M4F 32 비트 200MHz EBI/EMI, FIFO, I²C, IRDA, SIO, SPI, UART/USART DMA, I²S, LVD, POR, PWM, WDT 1MB (1m x 8) 플래시 32k x 8 256k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 24x12b SAR; d/a 2x8b 외부, 내부
TMPM3HPF10BFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HPF10BFG 8.5600
RFQ
 ECAD 3815 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TXZ+ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 128-LQFP 128-LQFP (14x14) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 264-TMPM3HPF10BFG 180 118 ARM® Cortex®-M3 32 비트 120MHz I²C, SPI, UART/USART DMA, LVD, 모터 제어 PWM, POR, WDT 1MB (1m x 8) 플래시 32k x 8 128k x 8 2.7V ~ 5.5V A/D 19X12B SAR; d/a 2x8b 외부, 내부
TMPM3HQFDAFG Toshiba Semiconductor and Storage tmpm3hqfdafg 11.1800
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TXZ+ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 144-LQFP 144-LQFP (20x20) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 264-TMPM3HQFDAFG 60 135 ARM® Cortex®-M3 32 비트 120MHz I²C, SPI, UART/USART DMA, LVD, 모터 제어 PWM, POR, WDT 512KB (512k x 8) 플래시 32k x 8 64k x 8 2.7V ~ 5.5V A/D 21X12B SAR; d/a 2x8b 외부, 내부
TMPM475FYFG(A,DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM475FYFG (A, DBB) -
RFQ
 ECAD 6200 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX04 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 100-lqfp 100-LQFP (14x14) - Rohs3 준수 264-TMPM475FYFG (ADBB) 1 79 ARM® Cortex®-M4F 32 비트 120MHz Canbus, i²c, sio, uart/usart DMA, LVD, POR, PWM, WDT 256KB (256k x 8) 플래시 - 18K X 8 4.5V ~ 5.5V A/D 23x12b SAR 외부, 내부
TMPM333FDFG(C,J) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM333FDFG (C, J) 3.6400
RFQ
 ECAD 7282 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX03 쟁반 활동적인 -20 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp TMPM333 100-LQFP (14x14) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 3A991A2 8542.31.0001 1 78 ARM® Cortex®-M3 32 비트 싱글 비트 40MHz i²c, sio, uart/usart 포, wdt 512KB (512k x 8) 플래시 - 32k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 12x10B 외부
TMPM3HNFDADFG Toshiba Semiconductor and Storage tmpm3hnfdadfg 7.1800
RFQ
 ECAD 6936 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TXZ+ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 100-bqfp 100-QFP (14x20) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 264-TMPM3HNFDADFG 90 93 ARM® Cortex®-M3 32 비트 120MHz I²C, SPI, UART/USART DMA, LVD, 모터 제어 PWM, POR, WDT 512KB (512k x 8) 플래시 32k x 8 64k x 8 2.7V ~ 5.5V A/D 17X12B SAR; d/a 2x8b 외부, 내부
TMP91FY42FG(C,JZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP91FY42FG (C, JZ) -
RFQ
 ECAD 6684 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TLCS-900/L1 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp TMP91 100-LQFP (14x14) - 3 (168 시간) 3A991A2 8542.31.0001 10 81 900/L1 16 비트 27MHz EBI/EMI, I²C, IRDA, UART/USART DMA, PWM, Wdt 256KB (256k x 8) 플래시 - 16k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 8x10B 내부
TMPM366FYFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM366FYFG -
RFQ
 ECAD 2436 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX03 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp TMPM366 100-LQFP (14x14) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 3A991A2 8542.31.0001 200 73 ARM® Cortex®-M3 32 비트 싱글 비트 48MHz i²c, sio, uart/usart DMA, LVD, Wdt 256KB (256k x 8) 플래시 - 48k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 12x12b 내부
TMPM380FWFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM380FWFG 5.1480
RFQ
 ECAD 8413 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX03 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp TMPM380 100-LQFP (14x14) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 3A991A2 8542.31.0001 200 83 ARM® Cortex®-M3 32 비트 싱글 비트 40MHz i²c, sio, uart/usart DMA, LVD, Wdt 128KB (128k x 8) 플래시 - 12k x 8 4V ~ 5.5V A/D 18x12b 외부
TMPM462F15FG(BDBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM462F15FG (BDBB) 12.0065
RFQ
 ECAD 9466 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX04 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 176-LQFP TMPM462 176-LQFP (20x20) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 3A991A2 8542.31.0001 60 139 ARM® Cortex®-M4F 32 비트 싱글 비트 120MHz EBI/EMI, I²C, IRDA, MICROIR, SIO, SPI, SSI, SSP, UART/USART DMA, LVD, Wdt 1.5MB (1.5MX 8) 플래시 - 193k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 20X12B 외부
TMPM369FDFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM369FDFG 12.0000
RFQ
 ECAD 9281 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX03 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-fqfp TMPM369 144-LQFP (20x20) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 3A991A2 8542.31.0001 200 102 ARM® Cortex®-M3 32 비트 싱글 비트 80MHz Canbus, EBI/EMI, Ethernet, I²C, Microwire, SIO, SPI, SSP, UART/USART, USB DMA, POR, WDT 512KB (512k x 8) 플래시 - 128k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 16x12b; d/a 2x10b 내부
TMP95C061BFG(Z) Toshiba Semiconductor and Storage TMP95C061BFG (Z) -
RFQ
 ECAD 5202 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TLCS-900/h 튜브 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-bfqfp TMP95 100-QFP (14x14) 다운로드 3 (168 시간) 귀 99 8542.31.0001 1 56 900/h 16 비트 25MHz EBI/EMI, SIO, UART/USART DMA, Wdt - 로마 - - 4.5V ~ 5.5V A/D 4X10B 외부
TMP86PM29BUG(C,JZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP86PM29BUG (C, JZ) -
RFQ
 ECAD 3291 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TLCS-870/c 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-LQFP TMP86 64-LQFP (10x10) - 3 (168 시간) TMP86PM29BUG (CJZ) 귀 99 8542.31.0001 1 39 - 8 비트 16MHz SIO, UART/USART LCD, PWM, Wdt 32KB (32k x 8) OTP - 1.5kx 8 1.8V ~ 5.5V A/D 8x10B 외부
TMPM3HQFDFG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HQFDFG (DBB) 9.1600
RFQ
 ECAD 375 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX03 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 144-fqfp TMPM3 144-LQFP (20x20) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 3A991A2 8542.31.0001 60 134 ARM® Cortex®-M4 32 비트 싱글 비트 80MHz I²C, SPI, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 512KB (512k x 8) 플래시 32k x 8 64k x 8 2.7V ~ 5.5V A/D 21X12B; d/a 2x8b 내부
TMPM46BF10FG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM46BF10FG 6.8200
RFQ
 ECAD 5136 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX04 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp TMPM46 100-LQFP (14x14) - rohs 준수 1 (무제한) TMPM46BF10FG (DBB) 5A002A1 8542.31.0001 90 71 ARM® Cortex®-M4F 32 비트 싱글 비트 120MHz EBI/EMI, I²C, IRDA, MICROIR, SIO, SPI, SSI, SSP, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 1MB (1m x 8) 플래시 - 514K x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 8x12b 내부
TMPM4G6FDFG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G6FDFG (DBB) -
RFQ
 ECAD 7500 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX04 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp TMPM4G6 100-LQFP (14x14) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 3A991A2 8542.31.0001 90 86 ARM® Cortex®-M4F 32 비트 싱글 비트 160MHz CEC, EBI/EMI, I²C, IRDA, SIO, SPI, SMIF, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 512KB (512k x 8) 플래시 32k x 8 128k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 16x12b; d/a 2x8b 내부
TMP86FS49FG Toshiba Semiconductor and Storage TMP86FS49FG -
RFQ
 ECAD 2336 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TLCS-870/c 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-bqfp TMP86 64-QFP (14x14) 다운로드 3 (168 시간) 귀 99 8542.31.0001 100 56 870/c 8 비트 16MHz i²c, sio, uart/usart PWM, Wdt 60kb (60k x 8) 플래시 - 2k x 8 3V ~ 5.5V A/D 16x10b 내부
TMPM3H2FSQG,A,EL Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3H2FSQG, A, EL 2.6334
RFQ
 ECAD 5609 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX03 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-vfqfn 노출 패드 TMPM3H2 48-VQFN (6x6) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 3A991A2 8542.31.0001 4,000 40 ARM® Cortex®-M3 32 비트 싱글 비트 40MHz I²C, SPI, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 16KB (16k x 8) 플래시 - 8k x 8 2.7V ~ 5.5V A/D 8x12b; d/a 1x8b 내부
TMP91FY22FG Toshiba Semiconductor and Storage TMP91FY22FG -
RFQ
 ECAD 4517 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TLCS-900/L1 쟁반 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-bqfp TMP91 100-QFP (20x14) 다운로드 3 (168 시간) 3A991A2 8542.31.0001 20 81 900/L1 16 비트 27MHz EBI/EMI, IRDA, UART/USART DMA 256KB (256k x 8) 플래시 - 16k x 8 - A/D 8x10B 내부
TMP87P808MG(KYZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP87p808mg (kyz) -
RFQ
 ECAD 8889 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -30 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 28-SOIC (0.345 ", 8.77mm 너비) TMP87 28-SOP 다운로드 3 (168 시간) 귀 99 8542.31.0001 100 20 870 8 비트 8MHz - - 8KB (8K X 8) OTP - 256 x 8 2.7V ~ 5.5V A/D 6x8b 외부
TMP86PM47AUG(C,JZ) Toshiba Semiconductor and Storage tmp86pm47aug (c, jz) -
RFQ
 ECAD 5896 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TLCS-870/c 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 44-LQFP TMP86 44-LQFP (10x10) 다운로드 3 (168 시간) tmp86pm47aug (CJZ) 귀 99 8542.31.0001 1 35 - 8 비트 16MHz SIO, UART/USART PWM, Wdt 32KB (32k x 8) OTP - 1K X 8 1.8V ~ 5.5V A/D 8x10B 외부
TMPM4G6FEFG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G6FEFG (DBB) -
RFQ
 ECAD 2379 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX04 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp TMPM4G6 100-LQFP (14x14) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 3A991A2 8542.31.0001 90 86 ARM® Cortex®-M4F 32 비트 싱글 비트 160MHz CEC, EBI/EMI, I²C, IRDA, SIO, SPI, SMIF, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 768KB (768k x 8) 플래시 32k x 8 128k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 16x12b; d/a 2x8b 내부
TMPM3H6FWFG,A,J Toshiba Semiconductor and Storage tmpm3h6fwfg, a, j 4.0172
RFQ
 ECAD 4413 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX03 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp TMPM3H6 100-LQFP (14x14) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 3A991A2 8542.31.0001 90 87 ARM® Cortex®-M3 32 비트 싱글 비트 40MHz I²C, SPI, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 128KB (128k x 8) 플래시 32k x 8 16k x 8 2.7V ~ 5.5V A/D 16x12b; d/a 2x8b 내부
TMP91FW27UG(C,JZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP91FW27UG (C, JZ) -
RFQ
 ECAD 1384 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TLCS-900/L1 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-LQFP TMP91 64-LQFP (10x10) 다운로드 rohs 준수 TMP91FW27UG (CJZ) 3A991A2 8542.31.0001 200 53 900/L1 16 비트 27MHz EBI/EMI, I²C, IRDA, UART/USART DMA, Wdt 128KB (128k x 8) 플래시 - 12k x 8 2.2V ~ 3.6V A/D 4X10B 내부
TMP19A43FDXBG Toshiba Semiconductor and Storage TMP19A43FDXBG 13.5910
RFQ
 ECAD 7080 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX19 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -20 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 193-FBGA TMP19 - rohs 준수 3 (168 시간) 3A991A2 8542.31.0001 168 143 TX19A 16/32 비트 40MHz EBI/EMI, I²C, UART/USART DMA, Wdt 512KB (512k x 8) 플래시 - 24k x 8 1.35V ~ 3.6V A/D 16x10b; d/a 2x8b 외부
TMP86FS49BFG(CZHZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP86FS49BFG (CZHZ) 5.0980
RFQ
 ECAD 7443 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TLCS-870/c 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-bqfp TMP86 64-QFP (14x14) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 3A991A2 8542.31.0001 450 56 870/c 8 비트 16MHz i²c, sio, uart/usart LED, PWM, WDT 60kb (60k x 8) 플래시 - 2k x 8 2.7V ~ 5.5V A/D 16x10b 내부
TMPM361F10FG(C,J) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM361F10FG (C, J) 8.2236
RFQ
 ECAD 4325 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX03 쟁반 활동적인 -20 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp TMPM361 100-LQFP (14x14) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) TMPM361F10FG (CJ) 3A991A2 8542.31.0001 200 68 ARM® Cortex®-M3 32 비트 싱글 비트 64MHz i²c, sio, uart/usart DMA, PWM, Wdt 1MB (1m x 8) 플래시 - 64k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 8x10B 내부
TMPM333FYFG(C) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM333FYFG (C) 4.0755
RFQ
 ECAD 4483 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX03 쟁반 활동적인 -20 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp TMPM333 100-LQFP (14x14) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 3A991A2 8542.31.0001 200 78 ARM® Cortex®-M3 32 비트 싱글 비트 40MHz i²c, sio, uart/usart 포, wdt 256KB (256k x 8) 플래시 - 16k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 12x10B 외부
TMPM330FDFG(C) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM330FDFG (C) 5.0908
RFQ
 ECAD 2960 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX03 쟁반 활동적인 -20 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 100-lqfp TMPM330 100-LQFP (14x14) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 3A991A2 8542.31.0001 200 79 ARM® Cortex®-M3 32 비트 싱글 비트 40MHz i²c, sio, uart/usart 포, wdt 512KB (512k x 8) 플래시 - 32k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 12x10B 외부
TMPM067FWQG(EL,Z) Toshiba Semiconductor and Storage tmpm067fwqg (el, z) 4.2400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 TX00 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-vfqfn 노출 패드 TMPM067 48-QFN (7x7) 다운로드 rohs 준수 귀 99 8542.31.0001 2,000 32 ARM® Cortex®-M0 32 비트 싱글 비트 24MHz I²C, SIO, SPI, UART/USART, USB DMA, LVD, POR, WDT 128KB (128k x 8) 플래시 - 16k x 8 1.8V ~ 3.6V A/D 8x10B 외부
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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