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B82111E0000C020 | 2.9200 | ![]() | 958 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82111E | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | ± 20% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.295 "DIA X 1.024"L (7.50mm x 26.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 축 | 드럼 드럼, 코어 | 180MHz | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 1,000 | 6 a | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 7 µh | - | 20mohm | - | 1MHz | ||||||||||||
![]() | B82432T1563K000 | 0.9600 | ![]() | 16 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.177 "L x 0.126"W (4.50mm x 3.20mm) | 0.134 "(3.40mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 10MHz | 1812 (4532 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 2,500 | 300 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 56 µh | - | 2ohm max | 10 @ 2.52MHz | 2.52 MHz | |||||||||||
![]() | B82442H1106K000 | - | ![]() | 9384 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.220 "L x 0.197"W (5.60mm x 5.00mm) | 0.209 "(5.30mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 500kHz | 2220 (5650 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 1,500 | 35 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 10 mh | - | 120ohm Max | 30 @ 79.6kHz | 79.6 kHz | |||||||||||
![]() | B82422A3391K108 | 0.2012 | ![]() | 6383 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.083 "(2.10mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 540MHz | 1210 (3225 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 8,000 | 190 MA | 차폐되지 차폐되지 | 세라믹 | 390 NH | - | 1.4ohm | 22 @ 30MHz | 1MHz |
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