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인덕터, 질식, 코일 (2556)
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| B82442H1824J000 | - | | 6566 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.220 "L x 0.197"W (5.60mm x 5.00mm) | 0.209 "(5.30mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 2MHz | 2220 (5650 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 3,000 | 130 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 820 µh | - | 최대 10.4ohm | 20 @ 796kHz | 796 kHz | |||
 | B82442T1152M050 | 1.3800 | | 1 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.220 "L x 0.197"W (5.60mm x 5.00mm) | 0.209 "(5.30mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 60MHz | 2220 (5650 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 1,500 | 3.02 a | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 1.5 µh | 5.48a | 33mohm Max | 15 @ 7.96MHz | 7.96 MHz | |||
 | B82462A4474K000 | 1.3900 | | 1 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82462-A4 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.236 "L x 0.236"W (6.00mm x 6.00mm) | 0.118 "(3.00mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 2,500 | 170 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 470 µh | 280ma | 5.6ohm | - | 100 kHz | |||
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2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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