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![]() | PID75-560M | 1.8200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | PID*-560M/650M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -40 ° C ~ 150 ° C | - | 0.295 "L x 0.295"W (7.50mm x 7.50mm) | 0.189 "(4.80mm) | 표면 표면 | 비표준 | 전선 | - | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 1,000 | 580 MA | 차폐 | 페라이트 | 56 µh | 800ma | 480mohm | - | ||||||||||||
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![]() | B82432A1182K000 | - | ![]() | 3356 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.177 "L x 0.126"W (4.50mm x 3.20mm) | 0.126 "(3.20mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 210MHz | 1812 (4532 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B82432A1182K | 귀 99 | 8504.50.8000 | 5,000 | 490 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 1.8 µh | - | 410mohm Max | 25 @ 7.96MHz | 1MHz | |||||||||||
![]() | B82498F3221G000 | 0.2912 | ![]() | 1259 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.091 "L x 0.067"W (2.30mm x 1.70mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | 950MHz | 0805 (2012 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 6,000 | 320 MA | 차폐되지 차폐되지 | 세라믹 | 220 NH | - | 700mohm Max | 45 @ 320MHz | 100MHz | ||||||||||||
![]() | B82422T3100K000 | 0.4300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.083 "(2.10mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 4GHz | 1210 (3225 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 2,000 | 450 MA | 차폐되지 차폐되지 | 세라믹 | 10 NH | - | 100mohm max | 15 @ 100MHz | 100MHz |
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