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![]() | B82111E0000C029 | - | ![]() | 3647 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82111E | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | ± 20% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.236 "DIA X 1.024"L (6.00mm x 26.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 축 | 드럼 드럼, 코어 | 16MHz | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 2,000 | 100 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 1.2 MH | - | 34ohm | - | 10 kHz | |||||||||||
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![]() | B82422T1683K000 | 0.4600 | ![]() | 186 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.083 "(2.10mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 9MHz | 1210 (3225 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 2,000 | 60 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 68 µh | - | 9ohm Max | 27 @ 2.52MHz | 2.52 MHz | |||||||||||
![]() | B78108T3151K9 | - | ![]() | 7613 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | MCC | 테이프 & t (TB) | 쓸모 쓸모 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.130 "dia x 0.276"L (3.30mm x 7.00mm) | - | 구멍을 구멍을 | 축 | 드럼 드럼, 코어 | 500MHz | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 10,000 | 1.02 a | 차폐되지 차폐되지 | 세라믹 | 150 NH | - | 155mohm Max | 38 @ 25.2MHz | 25.2 MHz | |||||||||||
B82559A0353A020 | 8.4200 | ![]() | 27 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | eru20- 플랫-인덕터 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.878 "L x 0.866"W (22.30mm x 22.00mm) | 0.571 "(14.50mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 200 | 차폐 | 페라이트 | 35 µh | 9.3a | 7mohm Max | - | 100 kHz | |||||||||||||
![]() | B82422T3390J000 | 0.1902 | ![]() | 5611 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.083 "(2.10mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 1.3GHz | 1210 (3225 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 6,000 | 450 MA | 차폐되지 차폐되지 | 세라믹 | 39 NH | - | 190mohm Max | 25 @ 100MHz | 100MHz |
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