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 | B82442T1335J50 | - | | 1134 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | - | AEC-Q200 | 0.220 "L x 0.197"W (5.60mm x 5.00mm) | 0.209 "(5.30mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 1MHz | 2220 (5650 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B82442T1335J050 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 1,500 | 85 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 3.3 MH | 138ma | 32.8ohm Max | 30 @ 252khz | 252 kHz | |||||||||||
 | B78108E1473J009 | 0.4300 | | 7 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B78108E | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.157 "dia x 0.374"L (4.00mm x 9.50mm) | - | 구멍을 구멍을 | 축 | 드럼 드럼, 코어 | - | 8MHz | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 5,000 | 950 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 47 µh | 870ma | 680mohm Max | 40 @ 796kHz | 100 kHz | |||||||||||
| B82475A1154M | - | | 1356 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82475A1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | - | 0.409 "L x 0.370"W (10.40mm x 9.40mm) | 0.228 "(5.80mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B82475A1154M000 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 1,000 | 780 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 150 µh | 820ma | 470mohm Max | - | 100 kHz |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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