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인덕터, 질식, 코일 (2556)
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 | B82498F1392J000 | 0.3009 | | 5468 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.091 "L x 0.067"W (2.30mm x 1.70mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | 230MHz | 0805 (2012 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 6,000 | 95 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 3.9 µh | - | 3.6ohm | 20 @ 7.96MHz | 7.96 MHz | ||||||||||||
| B82432C1182K000 | 0.3780 | | 7131 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.177 "L x 0.126"W (4.50mm x 3.20mm) | 0.134 "(3.40mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 100MHz | 1812 (4532 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 5,000 | 490 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 1.8 µh | - | 410mohm Max | 40 @ 7.96MHz | 1MHz | ||||||||||||
| B82442H1683K000 | - | | 8394 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.220 "L x 0.197"W (5.60mm x 5.00mm) | 0.209 "(5.30mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 7MHz | 2220 (5650 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 3,000 | 400 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 68 µh | - | 960mohm Max | 10 @ 2.52MHz | 2.52 MHz | ||||||||||||
| B82442H1392K000 | - | | 1812 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.220 "L x 0.197"W (5.60mm x 5.00mm) | 0.209 "(5.30mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 32MHz | 2220 (5650 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 3,000 | 1.45 a | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 3.9 µh | - | 72mohm Max | 10 @ 7.96MHz | 7.96 MHz | ||||||||||||
| B78108S1123J009 | 0.1327 | | 6242 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | 기원전 | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.157 "dia x 0.362"L (4.00mm x 9.20mm) | - | 구멍을 구멍을 | 축 | 드럼 드럼, 코어 | 30MHz | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 5,000 | 650 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 12 µh | - | 550mohm Max | 70 @ 2.52MHz | 2.52 MHz | ||||||||||||
| B82498F3390J001 | 0.2406 | | 3033 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.091 "L x 0.067"W (2.30mm x 1.70mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | 2.1GHz | 0805 (2012 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 6,000 | 600 MA | 차폐되지 차폐되지 | 세라믹 | 39 NH | - | 120mohm Max | 65 @ 500MHz | 250MHz |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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