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![]() | B82422T1104J000 | 0.5200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.083 "(2.10mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 8MHz | 1210 (3225 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 2,000 | 60 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 100 µh | - | 최대 11ohm | 20 @ 796kHz | 796 kHz | ||||||||||||
![]() | B82144F2393J000 | 0.7400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | LBC | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.256 "dia x 0.362"L (6.50mm x 9.20mm) | - | 구멍을 구멍을 | 축 | 드럼 드럼, 코어 | 8.5MHz | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 1,000 | 1.75 a | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 39 µh | 1.5A | 250mohm Max | 40 @ 252khz | 100 kHz | ||||||||||||
B82477P4333M000 | 1.8800 | ![]() | 16 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82477p4 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.492 "L x 0.492"W (12.50mm x 12.50mm) | 0.335 "(8.50mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 350 | 3.35 a | 차폐 | 페라이트 | 33 µh | 3.5a | 52mohm Max | - | 100 kHz | |||||||||||||
![]() | B82477D6682M603 | 3.0900 | ![]() | 222 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82477D6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.492 "L x 0.492"W (12.50mm x 12.50mm) | 표면 표면 | 비표준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 250 | 차폐 | 0.413 "(10.50mm) | 2 | 최대 10.5mohm | 42mohm Max | 6.8 µh | 27.2 µh | 6.4 a | 11.8 a | 5.9 a |
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