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인덕터, 질식, 코일 (2556)
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| B82422T1153K008 | 0.1800 | | 3474 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.083 "(2.10mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 20MHz | 1210 (3225 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 8,000 | 130 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 15 µh | - | 2.8ohm Max | 27 @ 2.52MHz | 2.52 MHz | ||||||||||||
 | B82477D6392M603 | 3.0900 | | 214 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82477D6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.492 "L x 0.492"W (12.50mm x 12.50mm) | 표면 표면 | 비표준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 250 | 차폐 | 0.413 "(10.50mm) | 2 | 9mohm Max | 36mohm Max | 3.9 µh | 15.6 µh | 7.05 a | 16.1 a | 8.05 a | ||||||||||||||
 | B82144B1472K000 | 0.2380 | | 4534 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | LBC | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.256 "DIA (6.50mm) | 0.571 "(14.50mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형, 실린더 수직 | 드럼 드럼, 코어 | 100MHz | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 3,000 | 1.8 a | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 4.7 µh | - | 120mohm Max | 25 @ 7.96MHz | 1MHz | ||||||||||||
 | B82464P4683M000 | 2.2500 | | 740 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82464P4 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.409 "L x 0.409"W (10.40mm x 10.40mm) | 0.189 "(4.80mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 750 | 1.3 a | 차폐 | 페라이트 | 68 µh | 1.45A | 130mohm Max | - | 100 kHz |
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일일 평균 RFQ 볼륨
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표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
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