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| B82462G2104M | - | | 2264 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82462G2 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.248 "L x 0.248"W (6.30mm x 6.30mm) | 0.098 "(2.50mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | 100kHz | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 2,500 | 410 MA | 차폐 | 페라이트 | 100 µh | 410ma | 950mohm Max | - | 100 kHz | ||||||||||||
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| B82442A1824K000 | - | | 2293 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.220 "L x 0.197"W (5.60mm x 5.00mm) | 0.209 "(5.30mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 2MHz | 2220 (5650 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 3,000 | 90 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 820 µh | - | 최대 10.4ohm | 20 @ 796kHz | 796 kHz | ||||||||||||
| B82442A1685K000 | - | | 6399 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.220 "L x 0.197"W (5.60mm x 5.00mm) | 0.209 "(5.30mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 700kHz | 2220 (5650 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 1,500 | 30 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 6.8 mh | - | 88ohm Max | 30 @ 252khz | 252 kHz | ||||||||||||
| B82442A1183K000 | - | | 3614 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.220 "L x 0.197"W (5.60mm x 5.00mm) | 0.209 "(5.30mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 14MHz | 2220 (5650 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 3,000 | 530 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 18 µh | - | 290mohm Max | 10 @ 2.52MHz | 2.52 MHz | ||||||||||||
| B82422A1104K108 | 0.2012 | | 4867 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.083 "(2.10mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 7MHz | 1210 (3225 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 8,000 | 65 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 100 µh | - | 11.5ohm Max | 27 @ 2.52MHz | 100 kHz | ||||||||||||
| B78148S1393J000 | 0.1549 | | 4251 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | 기원전 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.157 "dia x 0.362"L (4.00mm x 9.20mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형 | 드럼 드럼, 코어 | 8MHz | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 4,000 | 470 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 39 µh | - | 1.02ohm max | 50 @ 2.52MHz | 2.52 MHz |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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