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![]() | B82432A1333J000 | - | ![]() | 7502 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.177 "L x 0.126"W (4.50mm x 3.20mm) | 0.126 "(3.20mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 10.5MHz | 1812 (4532 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B82432A1333J | 귀 99 | 8504.50.8000 | 5,000 | 230 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 33 µh | - | 1.85ohm max | 45 @ 2.52MHz | 100 kHz | ||||||||||
![]() | B82462G4683M000 | 1.7200 | ![]() | 16 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82462G4 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.248 "L x 0.248"W (6.30mm x 6.30mm) | 0.118 "(3.00mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 2,500 | 650 MA | 차폐 | 페라이트 | 68 µh | 500ma | 410mohm Max | - | 100 kHz | |||||||||||
![]() | B82432T1332K000 | 0.9600 | ![]() | 23 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.177 "L x 0.126"W (4.50mm x 3.20mm) | 0.134 "(3.40mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 50MHz | 1812 (4532 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 2,500 | 900 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 3.3 µh | - | 190mohm Max | 10 @ 7.96MHz | 7.96 MHz | |||||||||||
![]() | B78148T1272K | - | ![]() | 8669 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | MCC | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.130 "dia (3.30mm) | 0.386 "(9.80mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형, 실린더 수직 | 드럼 드럼, 코어 | 110MHz | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | B78148T1272K000 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 6,000 | 480 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 2.7 µh | - | 400mohm Max | 40 @ 7.96MHz | 7.96 MHz |
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