전화 : +86-0755-83501315
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![]() | B78148S1223K000 | 0.1348 | ![]() | 9594 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | 기원전 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.157 "dia x 0.362"L (4.00mm x 9.20mm) | - | 구멍을 구멍을 | 방사형 | 드럼 드럼, 코어 | 13MHz | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 6,000 | 560 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 22 µh | - | 740mohm Max | 55 @ 2.52MHz | 2.52 MHz | ||||||||||||
![]() | B82442A1125K000 | - | ![]() | 2617 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.220 "L x 0.197"W (5.60mm x 5.00mm) | 0.209 "(5.30mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 1.5MHz | 2220 (5650 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 3,000 | 75 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 1.2 MH | - | 13.6ohm Max | 30 @ 252khz | 252 kHz | ||||||||||||
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![]() | B82422T1152J000 | 0.1902 | ![]() | 8544 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.083 "(2.10mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 200MHz | 1210 (3225 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 6,000 | 370 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 1.5 µh | - | 700mohm Max | 30 @ 7.96MHz | 7.96 MHz | ||||||||||||
![]() | B82477G4222M000 | 1.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82477G4 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.504 "L x 0.504"W (12.80mm x 12.80mm) | 0.315 "(8.00mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 400 | 8 a | 차폐 | 페라이트 | 2.2 µh | 11a | 10mohm Max | - | 100 kHz | ||||||||||||
B82559A5332A020 | 8.4200 | ![]() | 5968 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | eru20- 플랫-인덕터 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.878 "L x 0.866"W (22.30mm x 22.00mm) | 0.571 "(14.50mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 100 | 차폐 | 페라이트 | 3.3 µh | 34A | 1.5mohm Max | - | 100 kHz | ||||||||||||||
![]() | B82422H1222K100 | - | ![]() | 3495 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.083 "(2.10mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 85MHz | 1210 (3225 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 2,000 | 560 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 2.2 µh | - | 330mohm Max | 10 @ 2.52MHz | 7.96 MHz | ||||||||||||
![]() | B82477D4682M000 | 1.4508 | ![]() | 2349 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82477D4 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.492 "L x 0.492"W (12.50mm x 12.50mm) | 표면 표면 | 비표준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 350 | 차폐 | 0.335 "(8.50mm) | 2 | 17.5mohm Max | 70mohm Max | 6.8 µh | 27.2 µh | 4.15 a | 8.25 a | 4.125 a |
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