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![]() | B82498F1682J000 | 0.7800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.091 "L x 0.067"W (2.30mm x 1.70mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | 140MHz | 0805 (2012 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 3,000 | 80 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 6.8 µh | - | 4.7ohm Max | 20 @ 7.96MHz | 7.96 MHz | ||||||||||||
![]() | B82464D6472M000 | 2.0800 | ![]() | 600 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82464D6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.409 "L x 0.409"W (10.40mm x 10.40mm) | 0.248 "(6.30mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 600 | 5.08 a | 차폐 | 페라이트 | 4.7 µh | 9.9A | 31mohm Max | - | 100 kHz | |||||||||||
![]() | B82422H1122K000 | - | ![]() | 6397 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.094 "(2.40mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | - | 1210 (3225 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 2,000 | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 1.2 µh | - | - | - | ||||||||||||||
![]() | B78108E1333J009 | 0.3800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B78108E | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.157 "dia x 0.374"L (4.00mm x 9.50mm) | - | 구멍을 구멍을 | 축 | 드럼 드럼, 코어 | - | 9MHz | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 2,500 | 1.05 a | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 33 µh | 1A | 550mohm Max | 50 @ 796kHz | 100 kHz |
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