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B82477R4152M100 | 1.4766 | ![]() | 1682 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82477R4 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.492 "L x 0.492"W (12.50mm x 12.50mm) | 0.335 "(8.50mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 350 | 9.75 a | 차폐 | 페라이트 | 1.5 µh | 20A | 6.5mohm Max | - | 100 kHz | ||||
![]() | B82144B2102K000 | 0.6700 | ![]() | 3893 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | LBC | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.256 "DIA (6.50mm) | 0.551 "(14.00mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형, 실린더 수직 | 드럼 드럼, 코어 | 200MHz | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 1,000 | 4.45 a | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 1 µh | 7.7a | 43mohm Max | 50 @ 2.52MHz | 1MHz |
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