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![]() | B82422T1472K000 | 0.4600 | ![]() | 24 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.083 "(2.10mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 50MHz | 1210 (3225 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 2,000 | 220 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 4.7 µh | - | 1.5ohm | 30 @ 7.96MHz | 7.96 MHz | ||||||||||||
![]() | B82498F3151G001 | 0.2912 | ![]() | 7732 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.091 "L x 0.067"W (2.30mm x 1.70mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | 1.15GHz | 0805 (2012 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 6,000 | 400 MA | 차폐되지 차폐되지 | 세라믹 | 150 NH | - | 420mohm Max | 45 @ 250MHz | 100MHz | ||||||||||||
![]() | B82559A6682A019 | - | ![]() | 5795 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | ERU19--와이어 인덕터 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C | AEC-Q200 | 0.807 "L x 0.807"W (20.50mm x 20.50mm) | 0.358 "(9.10mm) | 표면 표면 | 비표준, 3 리드 | 드럼 드럼, 코어 | 2MHz | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 240 | 차폐 | 페라이트 | 6.8 µh | 16.4a | 8.25mohm 최대 | - | 100 kHz | |||||||||||||
![]() | B82479A1562M000 | 0.8501 | ![]() | 1658 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82479A1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | - | 0.730 "L x 0.600"W (18.54mm x 15.24mm) | 0.280 "(7.11mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 250 | 5.3 a | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 5.6 µh | 12a | 22mohm Max | - | 100 kHz |
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