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인덕터, 질식, 코일 (2556)
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 | B82442A1683K000 | - | | 3065 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.220 "L x 0.197"W (5.60mm x 5.00mm) | 0.209 "(5.30mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 7MHz | 2220 (5650 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 1,500 | 290 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 68 µh | - | 960mohm Max | 10 @ 2.52MHz | 2.52 MHz | |||
 | B82477G2473M000 | 1.5200 | | 569 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | B82477G2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 20% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.484 "L x 0.484"W (12.30mm x 12.30mm) | 0.236 "(6.00mm) | 표면 표면 | 비표준 | 드럼 드럼, 코어 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.4000 | 600 | 1.8 a | 차폐 | 페라이트 | 47 µh | - | 75mohm Max | - | 1 kHz | |||
 | B82422T1222J000 | 0.1841 | | 1860 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.083 "(2.10mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 100MHz | 1210 (3225 메트릭) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 6,000 | 320 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 2.2 µh | - | 800mohm Max | 30 @ 7.96MHz | 7.96 MHz | |||
| B82442A1564K000 | - | | 9695 | 0.00000000 | epcos -tdk 전자 장치 | Simid | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.220 "L x 0.197"W (5.60mm x 5.00mm) | 0.209 "(5.30mm) | 표면 표면 | 2-SMD, J-LEAD | 드럼 드럼, 코어 | 2.4MHz | 2220 (5650 5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8504.50.8000 | 3,000 | 110 MA | 차폐되지 차폐되지 | 페라이트 | 560 µh | - | 6.8ohm Max | 20 @ 796kHz | 796 kHz |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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